高頻開(kāi)關(guān)的集成電路直接驅(qū)動(dòng)
作者：
時(shí)間：2012-09-27
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)
收藏
英飛凌汽車(chē)電子生態(tài)圈
掃碼關(guān)注
獲取最新最全汽車(chē)電子
技術(shù)方案與實(shí)用技巧
?。?）應(yīng)用條件。驅(qū)動(dòng)芯片的浮地端可以與MOSFET源端同電位相連，驅(qū)動(dòng)芯片PWM功率輸出級(jí)能拉、灌電流500 mA，一般可以直接驅(qū)動(dòng)數(shù)十安的MOSFET和IGBT。
?。?）電路，其電路如圖1所示，其中V3為被驅(qū)動(dòng)的MOSFET，V1提供“拉”電流，V2提供“灌”電流。R1（5～10Ω）用米限制峰值電流，以減小尖峰干擾。R2為靜態(tài)放電電阻（1≈100 kΩ），電路不通電時(shí)，保證CGS處在無(wú)電壓狀態(tài)，以防止V3長(zhǎng)期處于導(dǎo)通狀態(tài)，并使柵－源之間處在低電阻狀態(tài)，不易受到外界的干擾，或使柵一源擊穿。
圖1直接驅(qū)動(dòng)電路
評(píng)論