新聞中心

EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設計應用 > VDMOS器件損傷的DC/DC轉換器輻射預兆單元設計

VDMOS器件損傷的DC/DC轉換器輻射預兆單元設計

作者: 時間:2013-06-17 來源:網(wǎng)絡 收藏
der=0 sizset="false" sizcache027861493069699683="2.0.7">VDMOS器件損傷的DC/DC轉換器輻射預兆單元設計
由于電路采用抗輻射加固設計,其他器件輻射損傷對輸出影響不大,仿真結果沒有變化,在此不再給出仿真結果。航天用DC/DC工作在很大的溫度范圍內,預兆單元溫度變化仿真結果,如圖6所示,輸出電壓不受影響,跳變點微小變化對報警影響不大。仿真結果證實所設計的預兆單元電路和預警方案是合理可行的。

VDMOS器件損傷的DC/DC轉換器輻射預兆單元設計

VDMOS器件損傷的DC/DC轉換器輻射預兆單元設計
 
4 結束語

文中把預警和健全管理(PHM)方法用于DC/DC抗輻射可靠性研究,研究了VDMOS器件和DC/DC之間的輻射損傷關系。結合輻射損傷關系和預兆單元技術原理設計了基于的DC/DC轉換器輻射預兆單元,仿真結果證實所設計的預兆單元可以對DC/DC轉換器輻射損傷失效提前報警。

上一頁 1 2 下一頁

評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉