詳解如何讓工頻機(jī)穩(wěn)定之管壓降探測(cè)

工頻機(jī)要穩(wěn)定，還得是管壓降探測(cè)！

趁著前段時(shí)間不忙，我又研究了工頻機(jī)?，F(xiàn)在我將一點(diǎn)心得寫(xiě)出來(lái)，和大家共勉。

大部分的朋友認(rèn)為工頻機(jī)較高頻的扎實(shí)，其實(shí)我認(rèn)為工頻機(jī)要做到萬(wàn)無(wú)一失還是需要非常多的機(jī)器和經(jīng)驗(yàn)的。首先我們來(lái)看一組照片：

這是我一個(gè)客戶拍的照片，晚上給我發(fā)來(lái)的，從以上照片可以看出來(lái)，這些管子一旦壞了，就是一排排的炸掉，可見(jiàn)這個(gè)保護(hù)，是要做的很給力才能避免類(lèi)似情況。

我一直在試驗(yàn)很多保護(hù)，在H橋的電路中有幾種保護(hù)：

1、H橋負(fù)極加采樣電阻的保護(hù)，這種電路的特點(diǎn)是直接采樣H橋的母線電流，用電流峰值做短路保護(hù)，該電路存在的缺陷就是不隔離，H橋母線上的干擾很大，在工頻機(jī)里面，H橋上走的電流超大，對(duì)該采樣電阻的要求很高，采樣電阻大了，自己發(fā)熱，采樣電阻小了，反應(yīng)不過(guò)來(lái)，還能影響驅(qū)動(dòng)，這個(gè)在大功率的逆變上，沒(méi)有人這么干了。我之前用2110加采樣電阻這樣搞過(guò)，太費(fèi)力，保護(hù)不一定好，功率還出不來(lái)，長(zhǎng)期可靠性有待驗(yàn)證。

2、H橋輸出用電流互感器采集，這個(gè)辦法在經(jīng)典的APC的UPS上出現(xiàn)了。這是一種無(wú)損檢測(cè)方式，值得大家學(xué)習(xí)與采用，他具有H橋在每個(gè)SPWM脈沖輸出的時(shí)候，探測(cè)電流的能力，隔離采樣，無(wú)干擾，靈敏度很高，因?yàn)镾PWM脈沖頻率不高，所以這個(gè)互感器的帶寬并不需要多高。但是確定依然很明顯，這個(gè)互感器因?yàn)椴杉降拿}沖有相當(dāng)多的部分是在超過(guò)50%占空比下，需要一個(gè)去磁電路，另外由于輸出是雙極性的，需要一堆外部運(yùn)放比較器之類(lèi)的東西搭個(gè)限流保護(hù)監(jiān)測(cè)的信號(hào)處理單元，APC的機(jī)器上這部分很復(fù)雜。另外這個(gè)磁芯需要很高的抗低頻工頻紋波的特性，這一個(gè)指標(biāo)就能讓成本很高了。

3、管壓降探測(cè)，我之前所想的是工頻的耐折騰，應(yīng)該隨便一個(gè)保護(hù)都可以，實(shí)際上并不是這樣，做慣了高頻，啥都要想著最完善的保護(hù)，沒(méi)有想到在工頻上走了彎路，其實(shí)一定要按照高頻的保護(hù)，照搬到工頻上來(lái)，這樣才能讓工頻機(jī)如虎添翼，一邊能有強(qiáng)帶載能力的體現(xiàn)，一邊能將壽命保證到最長(zhǎng)。

工頻機(jī)并聯(lián)管子的問(wèn)題：

在中小功率的工頻機(jī)中，大部分都是用的MOSFET并聯(lián)，而且通常的做法，是一并就并N多N多。炸起來(lái)，也是一炸炸N多N多，呵呵。我也炸過(guò)的，后面想想，MOSFET這種東西還得從頭開(kāi)始學(xué)習(xí)。

MOSFET有個(gè)特性，你并聯(lián)越多了，導(dǎo)通內(nèi)阻是小了，但是并聯(lián)的結(jié)電容也越多了，結(jié)電容越多了，驅(qū)動(dòng)也難了，好不容易解決了驅(qū)動(dòng)問(wèn)題，GS波形漂亮了，但是還在發(fā)熱，而且好像比不并還熱點(diǎn)，而且有的開(kāi)機(jī)就炸了，高頻逆變后級(jí)部分的H橋，經(jīng)常聽(tīng)到有人問(wèn)我，高壓IRFP460并聯(lián)，還沒(méi)有帶載就炸了。

其實(shí)并聯(lián)的不但增加了驅(qū)動(dòng)上結(jié)電容，而且增加了米勒電容，這個(gè)米勒我們看不到，我習(xí)慣統(tǒng)稱為米勒。這個(gè)地方很致命，我曾經(jīng)詳細(xì)說(shuō)過(guò)這個(gè)電容的機(jī)理，在此不再說(shuō)明。

米勒電容的表現(xiàn)為，管子并聯(lián)多了，這個(gè)電容會(huì)在MOSFET的GD上越并越多。這樣在H橋上形成很大的DV/DT的尖峰脈沖，這個(gè)是會(huì)嚴(yán)重影響效率的，因?yàn)樗麜?huì)造成上下2管的輕微直接導(dǎo)通。隨著管子的熱量開(kāi)始積累，越來(lái)越嚴(yán)重，這也是我為何一定要分開(kāi)光耦隔離驅(qū)動(dòng)，外加正負(fù)電源驅(qū)動(dòng)MOSFET的原因。