基于EMI濾波器設(shè)計(jì)中的干擾特性和阻抗特性的研究
隨著電子技術(shù)的發(fā)展,電磁兼容性問(wèn)題成為電路設(shè)計(jì)工程師極為關(guān)注和棘手的問(wèn)題。 根據(jù)多年的工程經(jīng)驗(yàn),大家普遍認(rèn)為電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)中最重要的也是最難解決的兩個(gè)項(xiàng)目就是傳導(dǎo)發(fā)射和輻射發(fā)射。為了滿足傳導(dǎo)發(fā)射限制的要求,通常使用電磁干擾(EMI)濾波器來(lái)抑制電子產(chǎn)品產(chǎn)生的傳導(dǎo)噪聲。但是怎么選擇一個(gè)現(xiàn)有的濾波器或者設(shè)計(jì)一個(gè)能滿足需要的濾波器?工程師表現(xiàn)得很盲目,只有憑借經(jīng)驗(yàn)作嘗試。首先根據(jù)經(jīng)驗(yàn)使用一個(gè)濾波器,如果不能滿足要求再重新修改設(shè)計(jì)或者換另一個(gè)新的濾波器。因此,要找到一個(gè)合適的EMI濾波器就成為一個(gè)費(fèi)時(shí)且高成本的任務(wù)。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/227006.htm電子系統(tǒng)產(chǎn)生的干擾特性
解決問(wèn)題首先要了解電子系統(tǒng)產(chǎn)生的總干擾情況,需要抑制多少干擾電壓才能滿足標(biāo)準(zhǔn)要求?共模干擾是多少,差模干擾是多少?只有明確了這些干擾特性我們才能根據(jù)實(shí)際的需要提出要求。
從被測(cè)物體的電流路徑來(lái)看,干擾信號(hào)回流路徑可能通過(guò)地線,或者通過(guò)其它電網(wǎng),如圖1所示。通過(guò)地線的干擾電流在電源網(wǎng)上產(chǎn)生同相位的共模干擾電壓。通過(guò)其它線在兩根電源線上產(chǎn)生反相的差模干擾電壓。干擾電流的路徑如圖2所示。
圖1 干擾信號(hào)的回流路徑
圖2 a)差模干擾濾波和b)共模干擾濾波。
通常有四種技術(shù)可進(jìn)行電源濾波,以便抑制干擾噪聲。在實(shí)際使用中,經(jīng)常是混合使用其中的兩種,甚至多種技術(shù)。它們是:正負(fù)極電源線之間添加電容,即X電容;每根電源線和地線之間添加電容,即Y電容;共模抑制(兩根電源線上的抑制線圈同向繞線);差模抑制(每根電源線有它自己的抑制線圈)。
電容的作用是將高頻干擾電壓“短路”,另外,當(dāng)干擾信號(hào)頻率很高時(shí),抑制線圈將產(chǎn)生很大的交流阻抗。圖2顯示了兩種濾波類(lèi)型的結(jié)構(gòu),其中,LISN是用于測(cè)量目的的線性阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)。如果是共模問(wèn)題引起的干擾,X類(lèi)型電容基本上沒(méi)有作用,因?yàn)閮删€上的干擾電壓是一樣的。因此,了解干擾類(lèi)型對(duì)于選擇合理的電路結(jié)構(gòu)將起重要作用,并為解決問(wèn)題提供技術(shù)依據(jù)。
在標(biāo)準(zhǔn)電磁兼容性測(cè)試實(shí)驗(yàn)室可得到設(shè)備的總干擾情況,但無(wú)法了解設(shè)備的共模干擾和差模干擾特性。為了在測(cè)量中分辨共?;蛘卟钅8蓴_信號(hào),通用的儀器是很難實(shí)現(xiàn)的。使用專(zhuān)用的傳導(dǎo)測(cè)試儀,可獲得設(shè)備的總干擾、共模干擾和差模干擾。測(cè)試結(jié)果如圖3所示。
圖3 傳統(tǒng)測(cè)試儀獲得的總干擾、共模干擾和差模干擾。電源輸入阻抗特性
濾波器的制造商給出的濾波器插損是在50W標(biāo)準(zhǔn)阻抗系統(tǒng)中的性能。眾所周知,電源的輸入阻抗隨著頻率的變化具有不連續(xù)性。阻抗的改變導(dǎo)致濾波器的插損特性產(chǎn)生很大的變化。
由圖4可見(jiàn),在一個(gè)50W的系統(tǒng)中,100mH的濾波器提供約18dB的衰減,但是在一個(gè)500W系統(tǒng)中只提供約4dB的衰減。 同樣對(duì)于100nF電容器;在50W系統(tǒng)中,1MHz時(shí)大約23dB的衰減在5W系統(tǒng)中降至7dB。
上面的例子說(shuō)明,選擇一個(gè)具有很高插損的濾波器也不能很好抑制傳導(dǎo)噪聲的原因是,電源輸入端阻抗的影響。因此,設(shè)計(jì)者除了選擇一個(gè)合適的濾波器之外,還需要了解電源的阻抗特性、共模阻抗和差模阻抗。阻抗測(cè)試可以借助專(zhuān)用的阻抗測(cè)試儀或者傳導(dǎo)分析儀。一種濾波器的共模阻抗(a)和差模阻抗(b)的變化如圖5所示。
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