基于STM32F103RB的兩相混合式步進電機細分驅(qū)動器設(shè)計

步進電機是一種運用廣泛的控制電機，其特征是不使用位置反饋回路就能進行速度控制及定位控制，即所謂的電機開環(huán)控制。相對于伺服電機，步進電機有著成本低廉，控制簡單等優(yōu)點，尤其是兩相混合式步進電機，在工業(yè)運動控制系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。然而，傳統(tǒng)的驅(qū)動方式，比如單電壓驅(qū)動、高低電壓驅(qū)動、斬波恒流驅(qū)動等等，雖然已經(jīng)應(yīng)用十分成熟，但是只限于低速運行，并且細分度一般限制在1／2步距，無法很好消除低頻振蕩，以及定位精度差等缺點。細分驅(qū)動的出現(xiàn)很好地彌補了這一缺點。
常見的細分控制器一般由MCU、專用邏輯驅(qū)動芯片以及功率驅(qū)動模塊組成，這樣的驅(qū)動器雖然能滿足多細分驅(qū)動，但由于細分數(shù)量和效果會受到邏輯驅(qū)動芯片的影響，并且無法調(diào)整細分數(shù)和限流值、從而造成系統(tǒng)調(diào)試困難、矩頻特性差等缺點。本文使用ST公司的32位ARM單片機，加上MOSFET驅(qū)動模塊及電流傳感模塊，省去了邏輯驅(qū)動芯片。電機電流采用單片機內(nèi)部AD采樣，控制邏輯算法直接由單片機軟件實現(xiàn)，MOSFET按照外部輸入的脈沖速度及內(nèi)部的時序來運行，從而大大簡化了應(yīng)用電路，提高了電路的通用性和驅(qū)動性能。

1 意法半導體STM32F103RB單片機簡述
STM32F103RB采用ARM公司最新的Cortex-M3內(nèi)核，具有運行速度高、處理能力強、外設(shè)接口豐富等特點。由于其低廉的價格和很強的控制、運算性能，被廣泛運用于電機控制。其具體性能指標如下：1)工作頻率：最高72 MHz；工作溫度范圍：-40～+85℃；寬電壓供電：2．0～3．6 V；2)128 k字節(jié)的閃存存儲器和16 k的SRAM；3)12位16通道AD轉(zhuǎn)換器具有雙采樣和保持功能，轉(zhuǎn)換時間最短1μs。4)3個16位通用定時器，每個定時器有多達4個通道，用于輸入捕獲／輸出比較／PWM或脈沖輸出；1個16位帶死區(qū)控制盒緊急剎車，用于電機控制的PWM高級控制定時器。

2 細分驅(qū)動原理
一般兩相步進電機驅(qū)動分為單極型和雙極性驅(qū)動兩種，單極型驅(qū)動適用于6線制電機，這樣的驅(qū)動方法等于將兩相電機轉(zhuǎn)變?yōu)樗南嚯姍C，從表面上看步距角缺損減小了，實則是以犧牲電機的拖動轉(zhuǎn)矩換來的，這樣電機的帶負載能力就會大大下降。而雙極型驅(qū)動則主要針對兩相四線(或者八線制)電機，一般機械步距角為50齒1．8°(也可為100齒0．9°價格較貴)，故細分驅(qū)動技術(shù)主要是通過對步進電機的相電流進行階梯化控制，使電機的以更小的單位步距角運行，從而減小步長和低頻振蕩。細分驅(qū)動的思想是把原來簡單的對轉(zhuǎn)子電流的通斷過程改變?yōu)橹饾u的改變各相繞組的電流大小和方向，使電機內(nèi)部的空間合成磁場逐步改變，這樣就能把原來的一個步距角的通電方式改變成為跟隨電流的階梯波，變成多步。具體的計算方法如下：
轉(zhuǎn)矩T在一般情況下可表示為：
T=KT·(-Iasinθ+Ibcosθ) (1)
式子中KT在理想狀態(tài)下的比例常數(shù)，θ為轉(zhuǎn)子的電角度位置。
如果兩相步進電機的矩角特性是正弦波，則給繞組通入如下電流：
Ia=Im·cosβ
Ib=Im·sinβ (2)
β為電機希望定位的電角度。
將式(2)代入式(1)，則
T=KT·Im·sin(β-θ) (3)
從而可見，兩相混合式步進電機的細分就是控制兩相繞組中的電流大小。理想狀態(tài)下，電機內(nèi)部的磁場為圓形空間旋轉(zhuǎn)磁場，使步進電機按照交流同步電機的方式旋轉(zhuǎn)。而AB相的理想電流為正弦波，而一般情況下通過階梯波來模擬正弦波，從而達到恒轉(zhuǎn)矩幅值的控制效果。而轉(zhuǎn)矩的大小由合成磁場的矢量來決定，即相鄰兩個合成磁場的夾角為細分步距角。每當β變化一度，則步進電機走過1／360的電角度，例如一般的8細分控制，則β的步長為π／16。所以為了實現(xiàn)對兩相混合式步進電機的恒轉(zhuǎn)矩細分控制，就需要在電機的兩相繞組中通以按正弦規(guī)律變化并互差90°相位的的兩相電流，階梯越細小，越接近于正弦波，步距角也越小，細分效果越好。

3 系統(tǒng)硬件設(shè)計
基于STM32F103RB驅(qū)動系統(tǒng)的硬件部分主要由信號輸入端、電源輸入端、電源模塊、MOSFET驅(qū)動模塊、H橋模塊和采樣放大模塊組成。總體硬件圖如圖3所示。