GF、ARM共同定義行動技術平臺新標準

GLOBALFOUNDRIES與ARM日前于2010 MWC中，公布針對新一代無線產品及應用開發(fā)的尖端系統(tǒng)單芯片(SoC)平臺全新細節(jié)資料。全新的芯片生產制造平臺預估將提升40%運算效能、減低30%功耗，并在待機狀態(tài)下增加100%的電池使用壽命。

此全新平臺包括兩種不同的GLOBALFOUNDRIES工藝整合：移動及消費性應用適用的28納米超低功耗(SLP)工藝，及針對需要最高效能的應用開發(fā)的28納米高效能(HP)工藝。

ARM與GLOBALFOUNDRIES的SoC平臺采用ARM Cortex-A9處理器、最佳化ARM實體IP及GLOBALFOUNDRIES的28納米閘極優(yōu)先高介電質金屬閘極(gate-first HKMG)工藝。此外，ARM及GLOBALFOUNDRIES將使智能型手機、smartbook、平板計算機等嵌入式裝置的制造商有能力因應日益復雜的設計及生產制造過程，并縮短成熟量產的時間。GLOBALFOUNDRIES預估將于2010下半年于德國Dresden開始進行新一代技術的生產制造。

由于智能型移動產品市場加速成長，業(yè)界對移動應用產品效能的需求不斷提升，以持續(xù)刺激市場創(chuàng)新。相較于前一代40/45納米技術，GLOBALFOUNDRIES采用閘極優(yōu)先高介電質金屬閘極(gate-first HKMG)技術的28納米工藝可達更顯著的效能提升。

目前預估采用HKMG的28納米技術在相同熱度范圍將提升40%的效能，以強化移動裝置的應用效能及多任務處理能力。GLOBALFOUNDRIES目前可將此一技術迅速推出上市，提供客戶受廣泛采用的閘極優(yōu)先HKMG技術。閘極優(yōu)先技術獲得多家全球大規(guī)模IDM廠及無晶圓廠設計公司的廣泛支持。

各項新技術都需要提升功耗表現(xiàn)，以提供長時間通話/待機、多媒體播放及交互式游戲與繪圖等功能。ARM IP與GLOBALFOUNDRIES 28納米HKMG工藝的結合，將可提供較40/45納米降低30%功耗的效能，并提升100%待機電池壽命。

ARM總裁Tudor Brown表示：“改采28納米技術對無線技術而言是一重要轉折點。ARM與GLOBALFOUNDRIES的合作將可提供客戶大量實作的28納米HKMG技術，以迅速推出高效能、低功耗的ARM架構設計產品。GLOBALFOUNDRIES技術、ARM領先業(yè)界的實體IP解決方案與ARM處理器提供之完整因特網功能的整合，將可展現(xiàn)強大的處理、繪圖及功耗整合成果。”

除了與GLOBALFOUNDRIES合作外，ARM也與IBM Joint Development Alliance的其它成員建立策略合作關系，以開發(fā)采用HKMG工藝的最佳化處理器及實體IP。ARM于MWC展出采用HKMG技術開發(fā)的首款28納米晶圓，以展現(xiàn)與晶圓廠合作伙伴進行前期合作，加速改采新一代SoC節(jié)點設計的優(yōu)勢。