低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)在開關(guān)電源中的應(yīng)用
LDO是一種微功耗的低壓差線性穩(wěn)壓器,它通常具有極低的自有噪聲和較高的電源抑制比PSRR(PowerSupplyRejectionRatio)。
LDO低壓差線性穩(wěn)壓器的結(jié)構(gòu)如圖(2)主要包括啟動電路、恒流源偏置單元、使能電路、調(diào)整元件、基準(zhǔn)源、誤差放大器、反饋電阻網(wǎng)絡(luò)和保護電路等。基本工作原理是這樣的:系統(tǒng)加電,如果使能腳處于高電平時,電路開始啟動,恒流源電路給整個電路提供偏置,基準(zhǔn)源電壓快速建立,輸出隨著輸入不斷上升,當(dāng)輸出即將達到規(guī)定值時,由反饋網(wǎng)絡(luò)得到的輸出反饋電壓也接近于基準(zhǔn)電壓值,此時誤差放大器將輸出反饋電壓和基準(zhǔn)電壓之間的誤差小信號進行放大,再經(jīng)調(diào)整管放大到輸出,從而形成負反饋,保證了輸出電壓穩(wěn)定在規(guī)定值上,同理如果輸入電壓變化或輸出電流變化,這個閉環(huán)回路將使輸出電壓保持不變,即:Vout=(R1+R2)/R2 ×Vref
實際的低壓差線性穩(wěn)壓器還具有如負載短路保護、過壓關(guān)斷、過熱關(guān)斷、反接保護等其它的功能。
LDO應(yīng)用于開關(guān)電源
目前大多IC設(shè)計產(chǎn)商生產(chǎn)的低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)典型封裝都是SOT23-5和SOT23-3,如圣邦微電子的SGM2007,SGM2013。如圖(3)為SGM2007的典型應(yīng)用電路圖。
目前市場上出售的開關(guān)電源中采用雙極性晶體管制成的開關(guān)頻率100kHz,用MOS-FET制成的開關(guān)頻率500kHz電源。開關(guān)電源的突出缺點是產(chǎn)生較強的EMI。EMI信號既具有很寬的頻率范圍,又有一定的幅度,經(jīng)傳導(dǎo)和輻射會污染電磁環(huán)境,對通信設(shè)備和電子產(chǎn)品造成干擾。如果處理不當(dāng),開關(guān)電源本身就會變成一個干擾源。當(dāng)用開關(guān)電源做為LDO的輸入VIN時要注意LDO電源抑制比和功耗。
電源抑制比PSRR(Power supply ripple rejectionratio)是反應(yīng)LDO輸出對輸入紋波抑制能力的一個交流參數(shù),一般輸出和輸入的頻率是一樣的,PSRR的值越大說明LDO的紋波能力越強,也就是說輸入對輸出的影響很小。盡管LDO的電源抑制比很強,但都是在一定頻率內(nèi)的抑制很強,一般的在50KHz到200kHz的電源抑制比還是很差的如圖(4)為SGM2007的PSRR和頻率曲線,而這段頻率正是大多數(shù)開關(guān)電源的工作頻率,如果LDO的負載和輸入輸出電容匹配不好,很容易引起LDO振蕩。而造成整個LDO供電系統(tǒng)的不穩(wěn)定。
目前市場上出售的開關(guān)電源大多數(shù)都是固定電壓輸出的,一般常用都是5V輸出的,而一般的LDO應(yīng)用最多的是3.3V輸出的,在開關(guān)電源的輸出做為LDO的輸入時,就存在一個很大的壓差,為1.7V。如果LDO電流很大的話如200mA,那么芯片的溫度就會很高,功耗很大,長時間工作在高溫的情況下,會影響芯片的工作壽命。
低壓差線性穩(wěn)壓器功耗主要是輸入電壓,輸出電壓以及輸出電流的函數(shù)。下列方程式可用來計算最惡劣情況下的功耗:
PD=(VINMAX-VOUTMIN)ILMAX。其中:PD=最惡劣情況下的實際功耗,VINMAX=VIN腳上的最大電壓,VOUTMIN=穩(wěn)壓器輸出的最小電壓,ILMAX=最大(負載)輸出電流。
最大允許功耗(PDMAX)是最大環(huán)境溫度(*AX),最大允許結(jié)溫(TJMAX)(+125℃)和結(jié)點到空氣間熱阻(θJA)的函數(shù)。對于安裝在典型雙層FR4電解銅鍍層PCB板上的5引腳SOT-23封裝器件,其(θJA)約為250℃/Watt。
PDMAX=(*AX-TJMAX)/θJA
VINMAX=3.0V+10%,VOUTMIN=2.7V-2.5%,ILOADMAX=40mA,TJMAX=+125℃,*AX=+55℃
實際功耗PD=26.7mW,最大允許功耗:PDMAX=280mW
當(dāng)開關(guān)電源做為低壓差線性穩(wěn)壓器輸入時,一定要注意開關(guān)電源的紋波,開關(guān)頻率對LDO的影響,及LDO負載電容的匹配,不要超過他的最大功耗,以影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
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