13.8V 20A電源及PCB設(shè)計

　　ü = 12(1 + R5/R6)

　　低電流(這里15毫安)將保持其正常功能的7812。只要15毫安以上的電流上升，R4上的壓降會嗎?打開??第三季度，實際處理高輸出電流。這是一個PNP晶體管(IC> 25)和至少20電流放大系數(shù)。，已經(jīng)過測試，證明這里是2N5683。，最大輸出功率為20安培的電流限制電阻RL應(yīng)該是0.03歐姆，額定功率為

　　至少15W。您可以使用電阻絲或開關(guān)幾個電阻并聯(lián)，總電阻/功率值。其他電流值可以計算規(guī)則：

　　RL = 0.7/Imax

　　RL和Q2(3A如BD330 PNP)形成短路?自動熔斷?。盡快的最大電流達到20安培，在電阻RL上的電壓下降將打開第二季度，從而限制Q3的電流。第二季度的并行是第一季度，??該燈的LED時，電流限制電路被激活。當?保險絲?是積極的，R3的第二季度的橋梁，使全電流會流經(jīng)IC1的，和損壞它。因此R4插入，以15mA的電流IC1的限制。這使得它可以運行沒有任何冷卻援助IC1的。的LED會亮起來每次接通電源的時間。

　　有一個可調(diào)平行固定輸出電流限制器，從而提供較小的電流可調(diào)的電流源。

　　該電路是非常簡單的。你會發(fā)現(xiàn)，沒有電流傳感電阻。但是，這的確有，在電阻RDS - ON的N溝道FET，實際處理負荷，從源頭截斷的一種形式。FET的功能是在圖2所示。當電流Id是上升的，在導(dǎo)通電阻RDS緊張UDS上升速度非常緩慢，在一開始，但速度非?？旌蟮难b飾品。這意味著，前裝飾品的場效應(yīng)管作為一個電阻，但行為后，恒流源。

　　D2，R3和第四季度的連接感的FET1 UDS電壓。當電壓足夠的上升，第四季度將快捷FET1門的質(zhì)量，并削減通過FET 1關(guān)閉電流的流動。但是，要使FET1打開，有一定的柵極電壓有必要，在這種情況下所帶來的奧迪R8，Z1，P1和R9組成的電壓分壓器。所以最大的柵極電壓將之一的Z1，和最小的將周圍3V6。Z1的電壓(Uz1)，從而確定最大電流通過FET 1的電流。

　　圖2顯示，5安培的Uz1應(yīng)5V6，和周圍9V620安培。電容器C4將決定速度或限制器的反應(yīng)時間。100用友將作出的反應(yīng)時間大約為100ms，1N會使它1us的。

　　設(shè)計的范圍內(nèi)，P1將限制在20A的范圍為15mA的電流輸出。您可以同時使用這兩種輸出，但總輸出電流，將有限的RL值。此電源可內(nèi)置也為較高的輸出，只要變壓器將處理當前的要求，并提供足夠的冷卻第三季度。

如果有人有興趣，有PCB設(shè)計準備。

　　REV1。

　　我收到了一些修改的幾個要求，我覺得有用的是另外一個放大器米。因此，稍加修改的圖是包含在本次修訂?，F(xiàn)在放置在PCB上的虛線邊框內(nèi)的所有元素。包括元素的位置也有設(shè)計。如果一個有一個手25Amp工具，有沒有更容易。掛上線，它有它去 。然而，一根火腿腸可能會找到一個儀器某處他的嗎,但其規(guī)模將是完全不同的東西，讓說電壓表。沒問題。我們已經(jīng)有了放大器，它是有作為限流電阻RL。 已經(jīng)從之前的0V7，有一個超過20A的電流流過電阻的壓降。我們現(xiàn)在要做的，是簡單地測量在電阻的壓降，合作與當前 。讓我們說，我們的儀器13R內(nèi)部的阻力，具有60mV的滿量程讀數(shù)。在RL上的電壓下降20安培 0V7。因此，我們需要另一個電阻與儀器，將使以60mV的0V7，或一個640mV的壓降。

　　公式很簡單：

　　U1：R1 = U2樂隊：R2

　　60:13 = 640：X

　　X = 13x640/60

　　X = 138.66

　　因此，要插入行的電阻大約是140R 。我建議周圍200R插入一個微調(diào)(VR1)，精細修剪閱讀校準儀器時。使用您最喜愛的繪圖軟件，設(shè)計你的規(guī)模，您的喜好，(至少為20A的滿刻度)，把它插入你有儀器。由于PCB布局的許多要求，我這里所包含的設(shè)計。的確切尺寸 的PCB是160x100mm。請記住，PCB，要作為一個鏡像，以獲得更高的質(zhì)量時，將其傳輸?shù)诫娐钒宓你~方印。