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DS1250 4096k、非易失SRAM

作者: 時間:2012-03-31 來源:網絡 收藏

非易失為4,194,304位、全靜態(tài)非易失,按照8位、524,288字排列。每個完整的NV 均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍,一旦超出容差范圍,鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護將無條件使能、防止數據被破壞。DIP封裝的器件可以直接用來替代現有的512k x 8靜態(tài)RAM,符合通用的單字節(jié)寬、32引腳DIP標準。 PowerCap模塊封裝的器件為表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構成一個完整的非易失SRAM模塊。該器件沒有寫次數限制,可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

  關鍵特性

  無外部電源時最少可以保存數據10年

  掉電期間數據被自動保護

  替代512k x 8易失靜態(tài)RAM、EEPROM及閃存

  沒有寫次數限制

  低功耗CMOS操作

  70ns的讀寫存取時間

  第一次上電前,鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)

  ±10% VCC工作范圍(DS1250Y)

  可選擇的±5% VCC工作范圍(DS1250AB)

  可選的工業(yè)級溫度范圍:-40°C至+85°C,指定為IND

  JEDEC標準的32引腳DIP封裝

  PowerCap模塊(PCM)封裝

  表面貼裝模塊

  可更換的即時安裝PowerCap提供備份鋰電池

  所有非易失SRAM器件提供標準引腳

  分離的PCM用常規(guī)的螺絲起子便可方便拆卸

DS1250 4096k、非易失SRAM



關鍵詞: DS1250 4096k SRAM

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