內(nèi)存條芯片參數(shù)
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(1)世界主要內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠(chǎng)商的前綴標(biāo)志如下：
▲ HY HYUNDAI ------- 現(xiàn)代
▲ MT Micron ------- 美光
▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西門(mén)子
▲ HM Hitachi ------ 日立
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
▲ TC Toshiba ------ 東芝
▲ KM Samsung ------ 三星
▲ KS KINGMAX ------ 勝創(chuàng)
(2)內(nèi)存芯片速度編號(hào)解釋如下:
★ -7 標(biāo)記的SDRAM 符合 PC143 規(guī)范,速度為7ns.
★ –75標(biāo)記的SDRAM 符合PC133規(guī)范,速度為7.5ns.
★ –8標(biāo)記的SDRAM 符合PC125規(guī)范,速度為8ns.
★ –7k/-7J/10P/10S標(biāo)記的SDRAM 符合PC100規(guī)范,速度為10ns.
★ –10K標(biāo)記的SDRAM符合PC66規(guī)范,速度為15ns.
(3) 編 號(hào) 形 式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示芯片類(lèi)別,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.
b表示電壓,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示帶寬。
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.
g表示版本號(hào)，B—第三代。
h表示電源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。
ii表示封裝形式， TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例：1） HY57V651620B TC-75
按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ
全球主要內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠(chǎng)家(掌握內(nèi)存芯片生產(chǎn)技術(shù)的廠(chǎng)家主要分布在美國(guó)、韓國(guó)、日本、德國(guó)、臺(tái)灣)：
序號(hào) 品牌 國(guó)家/地區(qū) 標(biāo)識(shí) 備注
1 三星 韓國(guó) SAMSUNG
2 現(xiàn)代 韓國(guó) HY
3 樂(lè)金 韓國(guó) LGS 已與HY合并
4 邁克龍 美國(guó) MT
5 德州儀器 美國(guó) Ti 已與Micron合并
6 日電 日本 NEC
7 日立 日本 HITACHI
8 沖電氣 日本 OKI
9 東芝 日本 TOSHIBA
10 富士通 日本 F
11 西門(mén)子 德國(guó) SIEMENS
12 聯(lián)華 臺(tái)灣 UMC
13 南亞 臺(tái)灣 NANYA
14 茂矽 臺(tái)灣 MOSEI
SAMSUNG內(nèi)存
體含義解釋?zhuān)?BR>例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含義：
第1位——芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。
第2位——芯片類(lèi)型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更進(jìn)一步的類(lèi)型說(shuō)明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率，也會(huì)使用不同的編號(hào)。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——數(shù)據(jù)線(xiàn)引腳個(gè)數(shù)，08代表8位數(shù)據(jù)；16代表16位數(shù)據(jù)；32代表32位數(shù)據(jù)；64代表64位數(shù)據(jù)。
第11位——連線(xiàn)“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。
知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義，拿到一個(gè)內(nèi)存條后就非常容易計(jì)算出它的容量。例如一條三星DDR內(nèi)存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號(hào)第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣我們可以計(jì)算出該內(nèi)存條的容量是128Mbits（兆數(shù)位） × 16片/8bits=256MB（兆字節(jié)）。
注：“bit”為“數(shù)位”，“B”即字節(jié)“byte”，一個(gè)字節(jié)為8位則計(jì)算時(shí)除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計(jì)算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內(nèi)存，每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存；另一種ECC內(nèi)存，在每64位數(shù)據(jù)之后，還增加了8位的ECC校驗(yàn)碼。通過(guò)校驗(yàn)碼，可以檢測(cè)出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯(cuò)誤，糾正一位錯(cuò)誤。所以在實(shí)際計(jì)算容量的過(guò)程中，不計(jì)算校驗(yàn)位，具有ECC功能的18片顆粒的內(nèi)存條實(shí)際容量按16乘。在購(gòu)買(mǎi)時(shí)也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ECC內(nèi)存。
Hynix(Hyundai)現(xiàn)代
現(xiàn)代內(nèi)存的含義：
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品
2、內(nèi)存芯片類(lèi)型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5、代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、BANK數(shù)量：1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank，是2的冪次關(guān)系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、芯片內(nèi)核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新&n
評(píng)論