內(nèi)存條芯片參數(shù)

內(nèi)存條芯片參數(shù)

整個(gè)DDR SDRAM顆粒的編號(hào)，一共是由14組數(shù)字或字母組成，他們分別代表內(nèi)存的一個(gè)重要參數(shù)，了解了他們，就等于了解了現(xiàn)代內(nèi)存。

顆粒編號(hào)解釋如下：

1． HY是HYNIX的簡(jiǎn)稱(chēng)，代表著該顆粒是現(xiàn)代制造的產(chǎn)品。

2． 內(nèi)存芯片類(lèi)型：（5D=DDR SDRAM）

3． 處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V VDDQ=1.8V）

4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5． 內(nèi)存條芯片結(jié)構(gòu)：（4＝4顆芯片；8＝8顆芯片；16＝16顆芯片；32＝32顆芯片）

6． 內(nèi)存bank（儲(chǔ)蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7． 接口類(lèi)型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 內(nèi)核代號(hào)：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10． 封裝類(lèi)型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11． 封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=MT；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））

12． 封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素）

13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14． 工作溫度：（I=工業(yè)常溫（-40 - 85度）；E=擴(kuò)展溫度（-25 - 85度））

由上面14條注解，我們不難發(fā)現(xiàn)，其實(shí)最終我們只需要記住2、3、6、13等幾處數(shù)字的實(shí)際含義，就能輕松實(shí)現(xiàn)對(duì)使用現(xiàn)代DDR SDRAM內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品進(jìn)行辨別。尤其是第13位數(shù)字，它將明確的告訴消費(fèi)者，這款內(nèi)存實(shí)際的最高工作狀態(tài)是多少。假如，消費(fèi)者買(mǎi)到一款這里顯示為L(zhǎng)的產(chǎn)品（也就是說(shuō)，它只支持DDR 200的工作頻率），那么就算內(nèi)存條上貼的標(biāo)簽或者包裝盒上吹的再好，它也只是一款低檔產(chǎn)品。

常見(jiàn)SDRAM 編號(hào)識(shí)別