新聞中心

EEPW首頁 > 模擬技術 > 設計應用 > 內(nèi)存芯片識別方法

內(nèi)存芯片識別方法

作者: 時間:2012-04-03 來源:網(wǎng)絡 收藏
GHT: 0px; PADDING-LEFT: 0px; PADDING-BOTTOM: 0px; MARGIN: 0px 0px 20px; WORD-SPACING: 0px; FONT: 14px/24px 宋體, arial; TEXT-TRANSFORM: none; COLOR: rgb(0,0,0); TEXT-INDENT: 3em; PADDING-TOP: 0px; WHITE-SPACE: normal; LETTER-SPACING: normal; BACKGROUND-COLOR: rgb(255,255,255); orphans: 2; widows: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">CL3],10=100MHz[PC66規(guī)格])。
 
  TOSHIBA的編號例如TC59S6408BFTL-80表示:TC代表是東芝的產(chǎn)品;

59代表SDRAM(其后的S=普通SDRAM,R=Rambus SDRAM,W=DDR SDRAM);64代表容

量(64=64Mb,M7=128Mb);08表示數(shù)據(jù)位寬(04、08、16、32分別代表4位、8位

、16位和32位);B表示內(nèi)核的版本;FT為TSOPⅡ封裝(FT后如有字母L=低功耗,

空白=普通);80代表速度(75=7.5ns[133MHz],80=8ns[125MHz],10=10ns

[100MHz CL=3])。
 
  IBM的編號例如IBM0316809CT3D-10,其中IBM代表IBM的產(chǎn)品;03代

表SDRAM;16代表容量16MB;80表示數(shù)據(jù)位寬(40、80、16分別代表4、8、16位)

;C代表功耗(P=低功耗,C=普通);D表示內(nèi)核的版本;10代表速度(68=6.8ns

[147MHz],75A=7.5NS[133MHz], 260或222=10ns[PC100 CL2或3],360或

322=10ns[PC100 CL3],B版的64Mbit芯片中,260和360在CL=3時的標定速度為



關鍵詞: 內(nèi)存芯片 識別方法

評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉