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基于ARM與MEMS的AHRS設計

作者: 時間:2012-09-03 來源:網(wǎng)絡 收藏
NG: 0px; FONT: 14px/25px 宋體, arial; TEXT-TRANSFORM: none; COLOR: rgb(0,0,0); TEXT-INDENT: 0px; PADDING-TOP: 0px; WHITE-SPACE: normal; LETTER-SPACING: normal; BACKGROUND-COLOR: rgb(255,255,255); orphans: 2; widows: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">  可設溫漂曲線為三次多項式BX=At3+Bt2+Ct1+D,通過最小二乘法擬合之后可得到各項系數(shù)。經過溫度補償后的陀螺儀曲線如圖3所示。

  

基于ARM與MEMS的AHRS設計

  圖3 靜止時減去溫漂后的角速率曲線

  4.2 硬磁及非正交度校正

  地磁場正常情況下測量到的三維數(shù)據(jù)在空間上的包絡應該是一個標準的圓球。但是磁場計測量出來的數(shù)據(jù)由于受到外界磁場的影響,加上磁阻傳感器各軸的標度因子和非正交度,導致傳感器采集到的數(shù)據(jù)在三維空間內分布的包絡面為球心偏移原點的橢球面,磁場裸數(shù)據(jù)三維分布如圖4所示。

  

基于ARM與MEMS的AHRS設計

  圖4 磁場裸數(shù)據(jù)三維分布

  橢球面約束方程如式(15)所示。

  其中m為傳感器測得的三維磁場強度,c為球心偏移的三維向量,U為標度因子及非正交度校矩陣。磁場強度沒有實際意義,關心的是傳感器測量的地磁三維矢量方向,所以設磁場向量模為1。通過最小二乘法可以計算出U和c。磁場數(shù)據(jù)校正前后對比如圖5所示,左右兩圖為校正前后數(shù)據(jù)在XY平面上的投影。

  

基于ARM與MEMS的AHRS設計

  圖5 磁場數(shù)據(jù)校正前后對比


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關鍵詞: ARM MEMS AHRS

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