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高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計

作者: 時間:2012-10-31 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
dows: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">  其中Mp1,Mp2,MN1,MN2均工作在飽和狀態(tài),Mp1,Mp2復(fù)制了Iout,從而確定了IREF。從本質(zhì)上講,IREF被“自舉”到Iout。選擇一定的MOS管尺寸,如果忽略襯底溝長長度調(diào)制效應(yīng),則有Iout=KIREF,因為每個二極管連接的器件都是由一個電流源驅(qū)動的,故IREF和Iout與VDD無關(guān),左右兩支路永遠(yuǎn)維持這兩個電流值。雙極晶體管Q1和Q2工作在不同的電流密度下,它們的基極與發(fā)射極間的電壓差與絕對溫度成正比。將與電源無關(guān)的偏置電路與雙極晶體管結(jié)合,得到核心電路。

  假設(shè)Mp1,Mp2和MN1,MN2均為相同的對管,將PTAT電流Ip3加到基極-發(fā)射極電壓上,因此輸出電流為:

  

高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計

  PTAT基準(zhǔn)電流IMp3PTAT(與絕對溫度成正比)通過R3產(chǎn)生輸出基準(zhǔn)電壓。

  2.2 自偏置電路及反饋補(bǔ)償電路

  為了提高電源電壓抑制,該設(shè)計對核心電路和運(yùn)放的電源電壓進(jìn)行了調(diào)節(jié),由MOS管的電流電壓特性可知,當(dāng)VDS≥VG-VTH時器件工作在飽和區(qū),有:

  

高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計

  對其求導(dǎo)得:

  

高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計

  式中:VGS為柵源電壓;VTH為閾值電壓。

  因為柵漏短接,故MN3,MN5一定處于飽和狀態(tài),它們均可作為一個阻值由過驅(qū)動電壓控制的等效電阻,定義MN3和MN5的等效電阻分別為RN3和RN5,則可將MN3與R3視為并聯(lián)電阻Rx,如果Vout增大,則RN3減小,并聯(lián)電阻Rx減小,從而使PTAT基準(zhǔn)電流通過MN3分流一部分;同樣原理適用于MN5和MN6,達(dá)到抑制補(bǔ)償輸出電壓,使輸出電壓穩(wěn)定。其中Mp4和Mp5為MN3提供偏置電流,但使用這種“自偏置電路”會帶來電路的啟動問題。

  2.3 啟動電路

  在電路中需要啟動電路使得系統(tǒng)上電時電路能夠進(jìn)入正常的工作狀態(tài),而自偏置放大器電路往往也存在啟動問題。當(dāng)電路處于非工作狀況時,放大器的輸入端電壓初始值為零,而輸出電壓由于寄生電容的存在可能位于一個比較高的電勢,當(dāng)電源接通后不但放大器的偏置電路為截止?fàn)顟B(tài),而且的核心電路也無法正常啟動。本文設(shè)計的啟動電路則可以同時滿足放大器和核心電路的啟動要求,它由Mp6~Mp8,MN7,MN8,R4,R5構(gòu)成。



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