過去一年出現(xiàn)的LED照明十大關(guān)鍵技術(shù)盤點(diǎn)(一)

　　最有威脅的挑戰(zhàn)無疑來自硅襯底，2012年1月12日，歐司朗宣傳在150mm的硅片上成功長出GaN的外延，切成1mm2在350mA下亮度可以達(dá)到140lm，該項(xiàng)目是德國聯(lián)邦教育和研究部資助的“硅上氮化鎵”專案的一部分。

　　而東芝的動(dòng)作就更快一步，2012年12月中，原來并不涉足封裝的東芝直接開賣LED，而芯片正是采用與美國普瑞（Bridgelux）合作的在8吋硅基板上生長的LED芯片。東芝共發(fā)布了四款現(xiàn)行產(chǎn)品的規(guī)格書，包括一款色溫3000K，一款色溫4000K及兩款色溫5000K的LED產(chǎn)品。其中在典型正向電壓為2.9V時(shí)，350mA驅(qū)動(dòng)色溫5000K，顯色指數(shù)為70的型號為TL1F1-NW0的LED，光效達(dá)到110lm/W。

　　圖片來源：OSRAM

　　圖片來源：TOSHIBA

　　中國廠商晶能光電經(jīng)過多年在硅襯底領(lǐng)域的耕耘，在2012年推出的發(fā)光效率超過120lm/W硅基大功率LED芯片產(chǎn)品，這對渴望自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國產(chǎn)芯片是一個(gè)極大的利好消息。

　　在中國工信部公布的2012年第十二屆資訊產(chǎn)業(yè)重大技術(shù)發(fā)明評選結(jié)果中，晶能光電（江西）有限公司《硅襯底氮化鎵基LED材料及大功率芯片技術(shù)》專案被評為資訊產(chǎn)業(yè)重大技術(shù)發(fā)明，并納入《電子資訊產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金專案指南》，享受國家電子資訊產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金專案資金扶持。

　　而GaN基同質(zhì)外延也并不示弱，在2012年7月3日，首爾半導(dǎo)體全球首次發(fā)布了“npola”，單顆亮度達(dá)到500lm，中村修二博士專程去首爾去為發(fā)布會(huì)站臺(tái)。而中村博士參與創(chuàng)辦的SORAA公司更是以前瞻性的GaN-on-GaN LED技術(shù)獲得了美國DOE下屬的能源轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)ARPA-E（Advanced Research Projects Agency - Energy）的資助。

　　而CREE在所謂SC3這種新一代技術(shù)平臺(tái)下，連續(xù)推出多款刷新業(yè)界光效的量產(chǎn)LED產(chǎn)品，12月更推出XLamp系列MK-R在1W和25°C溫度的條件下，可提供高達(dá)200 lm/W的發(fā)光效率。再次提振SiC襯底LED在光效競賽中綜合實(shí)力排頭地位。

　　非藍(lán)寶石襯底方案，不僅僅是一次次為產(chǎn)業(yè)界所共同關(guān)注，各國政府也都將之作為重要的基礎(chǔ)研究而納入政策視野，入選十大理所當(dāng)然。

　　資料來源：Seoul Semiconductor

　　資料來源：Soraa