MEMS加速計的三種高壓滅菌器失效機理
其中 l是鍵合線的長度,r 是鍵合線的半徑,d是兩條鍵合線之間的距離,εr是EMC的介電常數(干燥時和高壓滅菌測試之后)。
象體積電阻率一樣,EMC材料的介電常數也可以通過攝取水分來改變(圖4)。干燥條件和吸水條件下的介電常數變化可能高達兩個數量級。在低頻率范圍(小于1Hz),這種影響更明顯。在較高頻率范圍,差別通常小很多。測試 MEMS 加速計的 QEN封裝所用的特定EMC材料與 MEMS器件采用相同的高壓滅菌器測試條件。表1顯示了EMC材料的介電常數在高壓滅菌器壓力前后可能增加2.8%。
表1 EMC的介電性能: 96小時的高壓滅菌器測試之后
項目 | 體積電阻率(ohm-cm) | 介電常數 | 耗散因子(%) | |
RT | 150C | |||
T=0 | 5.00E+16 | 1.00E+10 | 3.6 | 0.5 |
PCT96h | 1.00E+16 | 2.00E+10 | 3.7 | 0.7 |
EMC 介電常數出現2.8%的變化可能產生1.4fF的電容變化。如此小的電容變化要使用 LCR 儀表測量出來是不可能的,但它足以在9位輸出上產生15個計數的偏移變化。高壓滅菌器壓力產生的寄生電容變化很難控制,因為它是EMC材料特征的一部分。但有幾種設計對策可以緩解此問題。一種方法是提高傳感器靈敏度,從而只需要較低的調制器增益。我們的觀察也支持這種方法,發(fā)現用不同的MEMS加速計設計(具有2倍靈敏度)在高壓滅菌器測試中有更好的表現。另一種方法是采用不同前端/架構設計,將屏蔽節(jié)點從中間節(jié)點分離出來,這樣敏感節(jié)點和屏蔽節(jié)點之間的寄生電容不會產生偏移。
V. 結論
本文共討論了MEMS加速計的三種高壓滅菌器失效機理。分別說明了每一種失效機理的FA方法(通過建模和測量)和設計改進。排除了封裝應力作為高壓滅菌器失效的根源。傳感單元內的漏電通過調制器掃頻測量得到了確認。依據EMC材料的介電性能測量研究了寄生電容。我們認為漏電和寄生電容變化都存在于高壓滅菌失效器件中。最后還為所確定的每個根源建議了設計對策。當測試結果一出來,就會按照報告的測試結果進行這些改進。
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