英諾賽科PCB layout 設計案列分享1----高壓單管
Layout設計中的幾個關鍵步驟是布局、走線、鋪銅、散熱,英諾賽科高壓單管GaN的Layout設計也不例外。
反激拓撲是高壓單管GaN的典型應用,快充場合常用。該拓撲在地線的處理上都需特別注意,如下圖所示,Layout時輔助繞組地、IC信號地功率地在bulk電容處匯合,避免IC地受干擾導致驅(qū)動振蕩。
在GaN應用時,Layout上還需注意以下方面:
1) 由于電流檢測電阻的存在,此種場合GaN的開爾文腳與源極直接連接,否則電流采樣電阻失去作用。
2) Source端與bulk電容地的走線盡可能短、粗,減小寄生電感LS。
3) 驅(qū)動電路和功率電路分開布置,避免干擾
4) 驅(qū)動IC及驅(qū)動電路盡量靠近GaN一些,減小驅(qū)動回路的走線和面積
5) 高壓場合,GaN的漏源極交疊銅皮的寄生電容盡量小,以優(yōu)化開關loss。
下面為DFN封裝的高壓GaN在65W快充應用中的layout案例:
QR反激拓撲,GaN在高網(wǎng)下無法零電壓開通,GaN的漏極和源極的鋪銅如果形成寄生電容,會額外增大開通loss,該案例的Layout中避免了該問題,由左圖可見。同時,GaN的功率回路和驅(qū)動回路在布局上較好的分開,避免了功率電路對驅(qū)動電路的干擾。
另由圖可見,通過中間層的大鋪銅將輔助電源的地和功率的地線相連,地線的處理干凈清晰.
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