英諾賽科PCB layout 設(shè)計(jì)案列分享1----高壓?jiǎn)喂?/h1>
Layout設(shè)計(jì)中的幾個(gè)關(guān)鍵步驟是布局、走線(xiàn)、鋪銅、散熱，英諾賽科
在GaN應(yīng)用時(shí)，Layout上還需注意以下方面：
1) 由于電流檢測(cè)電阻的存在，此種場(chǎng)合GaN的開(kāi)爾文腳與源極直接連接，否則電流采樣電阻失去作用。
2) Source端與bulk電容地的走線(xiàn)盡可能短、粗，減小寄生電感LS。
3) 驅(qū)動(dòng)電路和功率電路分開(kāi)布置，避免干擾
4) 驅(qū)動(dòng)IC及驅(qū)動(dòng)電路盡量靠近GaN一些，減小驅(qū)動(dòng)回路的走線(xiàn)和面積
5) 高壓場(chǎng)合，GaN的漏源極交疊銅皮的寄生電容盡量小，以?xún)?yōu)化開(kāi)關(guān)loss。
下面為DFN封裝的高壓GaN在65W快充應(yīng)用中的layout案例：
QR反激拓?fù)?，GaN在高網(wǎng)下無(wú)法零電壓開(kāi)通，GaN的漏極和源極的鋪銅如果形成寄生電容，會(huì)額外增大開(kāi)通loss，該案例的Layout中避免了該問(wèn)題，由左圖可見(jiàn)。同時(shí)，GaN的功率回路和驅(qū)動(dòng)回路在布局上較好的分開(kāi)，避免了功率電路對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的干擾。
另由圖可見(jiàn)，通過(guò)中間層的大鋪銅將輔助電源的地和功率的地線(xiàn)相連，地線(xiàn)的處理干凈清晰.
本文引用地址：http://2s4d.com/article/202503/468129.htm
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Layout設(shè)計(jì)中的幾個(gè)關(guān)鍵步驟是布局、走線(xiàn)、鋪銅、散熱，英諾賽科
在GaN應(yīng)用時(shí)，Layout上還需注意以下方面：
1) 由于電流檢測(cè)電阻的存在，此種場(chǎng)合GaN的開(kāi)爾文腳與源極直接連接，否則電流采樣電阻失去作用。
2) Source端與bulk電容地的走線(xiàn)盡可能短、粗，減小寄生電感LS。
3) 驅(qū)動(dòng)電路和功率電路分開(kāi)布置，避免干擾
4) 驅(qū)動(dòng)IC及驅(qū)動(dòng)電路盡量靠近GaN一些，減小驅(qū)動(dòng)回路的走線(xiàn)和面積
5) 高壓場(chǎng)合，GaN的漏源極交疊銅皮的寄生電容盡量小，以?xún)?yōu)化開(kāi)關(guān)loss。
下面為DFN封裝的高壓GaN在65W快充應(yīng)用中的layout案例：
QR反激拓?fù)?，GaN在高網(wǎng)下無(wú)法零電壓開(kāi)通，GaN的漏極和源極的鋪銅如果形成寄生電容，會(huì)額外增大開(kāi)通loss，該案例的Layout中避免了該問(wèn)題，由左圖可見(jiàn)。同時(shí)，GaN的功率回路和驅(qū)動(dòng)回路在布局上較好的分開(kāi)，避免了功率電路對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的干擾。
另由圖可見(jiàn)，通過(guò)中間層的大鋪銅將輔助電源的地和功率的地線(xiàn)相連，地線(xiàn)的處理干凈清晰.
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