愛普高電容密度硅電容S-SiCap? Gen3通過客戶驗證

全球客制化存儲芯片解決方案設(shè)計公司愛普科技今日宣布，新一代硅電容(S-SiCap?, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通過客戶驗證，此產(chǎn)品具備超高電容密度及超薄(<100um薄度)等優(yōu)勢，可在先進封裝制程中與系統(tǒng)單芯片(SoC)進行彈性客制化整合，滿足客戶在高端手機及高性能計算(HPC)芯片的應(yīng)用需求。

愛普科技的S-SiCap^?使用先進的堆棧式電容技術(shù)(Stack Capacitor)開發(fā)，相比傳統(tǒng)深溝式電容技術(shù)(Deep Trench Capacitor)的電容密度更高、體積更小更薄，且具有極佳的溫度與電壓穩(wěn)定性。S-SiCap? Gen3的電容值密度可達2.5uF/mm²，操作電壓最高可支持1.2V，同時具有相當?shù)偷牡刃Т?lián)電感(Equivalent Series Inductance)及等效串聯(lián)電阻(Equivalent Series Resistance)，在高頻操作下能提供優(yōu)異的穩(wěn)壓能力。

S-SiCap?具有超薄、客制化尺寸的特色，在先進封裝制程中，能滿足多樣整合應(yīng)用并且與SoC更接近。例如：接腳側(cè)硅電容(S-SiCap? on the landside)、封裝基板內(nèi)埋硅電容(S-SiCap? embedded in package substrate)、2.5D封裝應(yīng)用硅電容(S-SiCap? for 2.5D packaging)、硅電容中介層(S-SiCap? in an interposer)等。

愛普科技總經(jīng)理洪志勛表示，在高端手機及HPC芯片的應(yīng)用趨勢中，SoC需提供更高的效能，但同時可能會伴隨功耗增加、電壓不穩(wěn)的情況，客戶為了穩(wěn)定電壓，對電容規(guī)格的要求也會提高，優(yōu)化產(chǎn)品整體表現(xiàn)。愛普新一代S-SiCap^? Gen3超越傳統(tǒng)電容，電容密度更高、更薄、應(yīng)用更多元，可搭配先進封裝制程大幅提升SoC效能，在目前市場上極具優(yōu)勢。