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硅電容 文章 最新資訊

三星 Exynos 2500 芯片被曝使用硅電容

  • 7 月 17 日消息，韓媒 bloter 于 7 月 15 日發(fā)布博文，爆料稱三星計劃在 Exynos 2500 芯片中使用硅電容。注：硅電容（Silicon Capacitor）通常采用 3 層結構（金屬 / 絕緣體 / 金屬，MIM），超薄且性狀靠近半導體，能更好地保持穩(wěn)定電壓以應對電流變化。硅電容具有許多優(yōu)點，讓其成為集成電路中常用的元件之一：· 首先，硅電容的制造成本較低，可以通過批量制造的方式大規(guī)模生產?！?其次，硅電容具有較高的可靠性和長壽命。由于其結構簡單，易于加工和集成，硅電容的失效率較低
  • 關鍵字： 三星  Exynos 2500  芯片  硅電容  

愛普高電容密度硅電容S-SiCap? Gen3通過客戶驗證

  • 全球客制化存儲芯片解決方案設計公司愛普科技今日宣布，新一代硅電容(S-SiCap?, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通過客戶驗證，此產品具備超高電容密度及超薄(<100um薄度)等優(yōu)勢，可在先進封裝制程中與系統(tǒng)單芯片(SoC)進行彈性客制化整合，滿足客戶在高端手機及高性能計算(HPC)芯片的應用需求。愛普科技的S-SiCap?使用先進的堆棧式電容技術(Stack Capacitor)開發(fā)，相比傳統(tǒng)深溝式電容技術(Deep Trench Capacitor)的電容密度
  • 關鍵字： 愛普  高電容密度  硅電容  S-SiCap  

硅電容差壓傳感器疊層靜電封接工藝研究

  • 差壓傳感器廣泛應用于武器裝備和工業(yè)過程控制。為了樹立用戶對國產品牌的信心，開發(fā)性能優(yōu)異、擁有自主知識產權的差壓芯片是非常必要的。為了解決差壓芯片溫度特性差、靜壓偏差大的常見問題，本文提出了一種電容式差壓芯體雙面疊層靜電封接工藝設計方法，并對雙面疊層靜電封接的工藝參數(shù)：溫度、電壓、時間、表面光潔度、壓力等行了優(yōu)化，使其適合大規(guī)模生產。
  • 關鍵字： 202301  硅電容  差壓  疊層  封接  

沈陽儀表高性能硅電容差壓傳感器項目通過驗收

  • 　　新聞事件： 　　沈陽儀表高性能硅電容差壓傳感器項目通過驗收 　　事件影響： 　　該項目完成后，將實現(xiàn)年產10萬只傳感器芯片，1.5萬臺傳感器的生產能力，年產值達1000萬元 　　將給航空、航天、石油化工、能源電力、冶金、機械、電子、環(huán)保等各個領域帶來更多產品 　　中國機械工業(yè)集團所屬沈陽儀器|儀表院“高性能硅電容差壓傳感器”項目日前順利通過驗收。該項目是沈陽儀表院承擔的2007年度企業(yè)技術創(chuàng)新計劃項目。該項目開發(fā)了一種適用于智能工業(yè)變送器用硅電容差壓傳感器的設計和工藝
  • 關鍵字： 硅電容  傳感器  能源電力  
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硅電容介紹

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