一種具有高階溫度補(bǔ)償?shù)母呔萊C振蕩器設(shè)計(jì)
基金項(xiàng)目:四川省科技計(jì)劃項(xiàng)目重點(diǎn)研發(fā)項(xiàng)目,項(xiàng)目編號(hào)2022YFG003
本文引用地址:http://2s4d.com/article/202308/449329.htm0 引言
振蕩器作為一種時(shí)鐘信號(hào)電路,是許多電子系統(tǒng)重要組成部分。隨著集成電路的快速發(fā)展,振蕩器會(huì)在數(shù)字及數(shù)模混合集成電路中扮演極其重要的角色。因此,需要一種高穩(wěn)定高精度的可集成的振蕩器。
振蕩器是在不外加輸入信號(hào)的條件下,可僅僅依靠電路自激振蕩而產(chǎn)生具有周期性的信號(hào)。一般地,晶體振蕩器的頻率比較穩(wěn)定,但不能集成到芯片內(nèi)部,而且精度只與所選擇的晶體器件的固有頻率有關(guān)[1]。RC振蕩器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉,因而受到非常廣泛的應(yīng)用,但其振蕩頻率易受電壓和溫度變化的影響,其次也與電阻和電容與工藝有關(guān)系[2,3]。
文章介紹的高精度RC振蕩器電路,其電路的內(nèi)部電流源電路采用高階溫度補(bǔ)償?shù)脑O(shè)計(jì)方案,得到在較寬的溫度范圍內(nèi)具有與溫度無(wú)關(guān)的電流源電路。此外,針對(duì)工藝會(huì)帶來(lái)的偏差,采用電流數(shù)字修調(diào)電路來(lái)提高振蕩器頻率的穩(wěn)定性。
1 RC振蕩器的結(jié)構(gòu)與設(shè)計(jì)重點(diǎn)
1.1 RC振蕩器的結(jié)構(gòu)
RC振蕩器的原理圖,如圖1 所示。
圖1 RC振蕩器
RC振蕩器的工作原理:假設(shè)初始狀態(tài)的RS鎖存器的輸出端Q=0,整型反向器的輸出端CLK=0、CLKN=1。此時(shí),開(kāi)關(guān)管M1導(dǎo)通, M2關(guān)斷,充電電流Ic對(duì)電容C1進(jìn)行充電,電容兩端電壓不斷上升,與此同時(shí),開(kāi)關(guān)管M3關(guān)斷,M4導(dǎo)通,電容C2同過(guò)開(kāi)關(guān)管M4對(duì)地進(jìn)行放電直到0 V。當(dāng)電容C1兩端電壓上升至Vref時(shí),比較器Comp2的輸出跳變?yōu)?,此時(shí)RS鎖存器的輸出為Q=1,整型反向器的輸出端CLK=1、CLKN=0,開(kāi)關(guān)管M3導(dǎo)通, M4關(guān)斷,充電電流Ic對(duì)電容C2進(jìn)行充電,此時(shí)電容C1兩端的電壓對(duì)地進(jìn)行放電直至到0 V。當(dāng)電容C2兩端電壓等于Vref時(shí),比較器Comp1輸出發(fā)生改變,變?yōu)?,而此時(shí)RS鎖存器的輸出變?yōu)镼=0,整型反向器的輸出端CLK=0、CLKN=1,電路回到了初始狀態(tài),電容完成一個(gè)充放電周期,電路形成一個(gè)振蕩周期,如此往復(fù)循環(huán),使RC振蕩器以一定的頻率不斷進(jìn)行。
根據(jù)前面的分析以及電容的充放電特性可知,電容完成充電時(shí)間t1和放電時(shí)間t2為:
t1= (1)
t2= (2)
其中,C為電容的容值; ΔU為電容兩端的電壓差值。當(dāng)充放電電流Ic為固定值,一個(gè)完整的電容充放電的周期T= t1+ t2。
因此,可以得到RC振蕩器的輸出頻率計(jì)算公式為:
f= = (3)
式3中,Ic是電流源電流,即也是充電電流,Vref為帶隙基準(zhǔn)電壓值,C為電容值。當(dāng)電容C1和C2兩端電壓與Vref相等時(shí),充電電流Ic 停止對(duì)電容充電,隨之電容開(kāi)始對(duì)地放電直至電容兩端電壓為0,隨后充電電流為另一電容充電,兩個(gè)電容的充放電時(shí)間為一個(gè)振蕩周期。
1.2 RC振蕩器的設(shè)計(jì)重點(diǎn)
在一些高精度的應(yīng)用領(lǐng)域,時(shí)鐘信號(hào)在抗工藝漂移(P)、電源電壓(V)、溫度(T)變化時(shí)要滿(mǎn)足高精度的要求,因此這也是RC振蕩器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)和重點(diǎn)。使用CMOS工藝可有效提高系統(tǒng)集成度和降低成本,但是,實(shí)現(xiàn)高精度振蕩器面臨的以上的問(wèn)題,因此,現(xiàn)階段也是主要從工藝漂移(P)、電源電壓(V)、溫度(T)這3 個(gè)方面解決輸出頻率的穩(wěn)定性[4-9]。
為使RC振蕩器的工作電壓受電源電壓的影響較小,采用LDO電路的輸出電壓作為振蕩器的電源電壓;同時(shí)設(shè)計(jì)具有3階溫度補(bǔ)償的電流源電路使得輸出頻率也與溫度變化不相關(guān);為避免數(shù)字電路對(duì)模擬電路性能的影響,設(shè)計(jì)低通濾波器將模擬電路與數(shù)字電路隔離起來(lái);最后,設(shè)計(jì)電流數(shù)字修調(diào)電路使得振蕩器電路得到精度較高的輸出頻率。
2 電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
2.1 電壓和電流基準(zhǔn)源
電壓基準(zhǔn)電路為電流型低壓帶隙基準(zhǔn),根據(jù)其原理為,可以得到具有零溫度系數(shù)的電流ID2 。如圖2 所示。
圖2 電壓基準(zhǔn)電路
Vref和Vref1均是1階溫度系數(shù)為零的基準(zhǔn)電壓,它們被用作電流源電路的采樣電壓,對(duì)應(yīng)的電路如圖3所示。
圖3 電流源電路
在電流源電路中,可以將兩個(gè)運(yùn)算放大器的正負(fù)輸出端看作近似相等,可得:
I1= (4)
I2= (5)
在現(xiàn)有的文獻(xiàn)中,一些具有相反溫度特性的器件被組合起來(lái)以獲得良好的溫度特性[8-9]。而R7,R8分別為兩個(gè)相反溫度特性的電阻疊加而成,這里做了簡(jiǎn)化處理。此時(shí),得到的電流I1和I2均為2階溫度系數(shù)為零的電流,但其值不同。為得到具有3階溫度系數(shù)的電流I3 ,可以通過(guò)I1減去適當(dāng)比例的I2即可得到。
I3=αI1?βI2 (6)
2.2 LDO穩(wěn)壓器
LDO穩(wěn)壓器即低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器。它以結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、低壓差、輸出電壓受電源電壓的變化影響較小而得到廣泛運(yùn)用。如圖4 所示,它主要由誤差放大器、功率管、反饋電阻等組成。由于誤差放大器、功率管Mp 、電阻R1和R2組成了負(fù)反饋結(jié)構(gòu),利用負(fù)反饋機(jī)制可以得到輸出穩(wěn)定且的電壓[10]。因此,LDO的輸出電壓可以作為振蕩器的電源電壓。通過(guò)分析可以得到輸出電壓表達(dá)式為:
VOUT=Vref (7)
由上述分析可知,當(dāng)LDO輸出電壓VOUT變大時(shí),經(jīng)過(guò)反饋電阻分壓,誤差運(yùn)放的負(fù)輸入端也會(huì)變大,此時(shí)誤差運(yùn)放輸出變大,使功率管VGS變小,流過(guò)功率管的電流減小,進(jìn)而減小輸出電壓VOUT的值,反之亦然。
因此,LDO電路可以得到穩(wěn)定的輸出電壓,受電源電壓和溫度的影響幾乎不變的電壓值,并將這個(gè)電壓值作為RC 振蕩器的核心模塊的電源電壓。
圖4 低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器
2.3 低通濾波器
文中RC振蕩器電路系統(tǒng)含有模擬電路和數(shù)字電路,振蕩器的核心電路主要為數(shù)字電路,而它的電源電壓由模擬電路LDO的輸出電壓VOUT進(jìn)行供電,此外,電壓基準(zhǔn)及電流源電路也為模擬電路。但是,由于數(shù)字電路發(fā)生高低電位轉(zhuǎn)換時(shí),會(huì)導(dǎo)致電源上發(fā)生一定的抖動(dòng),該抖動(dòng)會(huì)直接傳遞到LDO的輸出端,進(jìn)而會(huì)影響到模擬電路的性能。可以將模擬電路與數(shù)字電路隔離,如圖5所示。
圖5 模擬電路與數(shù)字電路隔離示意圖
采用工作于線(xiàn)性區(qū)的PMO 管和NMOS電容形成一個(gè)RC低通濾波器的方式,對(duì)模擬電路與數(shù)字電路進(jìn)行隔離。仿真結(jié)果表明,當(dāng)數(shù)字電路的電源有抖動(dòng)噪聲產(chǎn)生時(shí),采用這種方式能夠有效的改善電源抖動(dòng)現(xiàn)象,優(yōu)化了模擬電路的性能。
2.4 數(shù)字修調(diào)電路
實(shí)際上,整個(gè)電路的設(shè)計(jì),再到最后的仿真驗(yàn)證過(guò)程中,在不考慮數(shù)字修調(diào)模塊的情況下,RC 振蕩器電路也能實(shí)現(xiàn)功能。但是,由于存在工藝漂移,電阻和電容的誤差失配,影響輸出頻率的精度。因此,可以采用將電路的充放電電流、電阻和電容陣列進(jìn)行修調(diào)的方法[11-13]。
文中的數(shù)字修調(diào)電路采用8位修調(diào)信號(hào)來(lái)控制PMOS開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷,每一位控制一個(gè)開(kāi)關(guān)管。當(dāng)輸出信號(hào)頻率減小時(shí),會(huì)打開(kāi)更多開(kāi)關(guān),會(huì)使充電電流Ic增大,輸出頻率增大。理論上修調(diào)位數(shù)越多,振蕩器的精度越高。如圖6所示。
圖6 電流數(shù)字修調(diào)電路
3 仿真結(jié)果與分析
文章采用CSMC 0.18 μmCMOS工藝,仿真結(jié)果和數(shù)據(jù)由Cadence Spectre電路仿真工具所得到。
電流源電路采用3 階溫度補(bǔ)償結(jié)構(gòu), 當(dāng)溫度變化從-40℃~125℃時(shí), 誤差不超過(guò)0.8%,表明該電流源電路具有優(yōu)異的溫度特性。如圖7所示。
圖7 電流溫度特性
LDO輸出電壓的精度可以用線(xiàn)性調(diào)整率來(lái)衡量,線(xiàn)性調(diào)整率越小,LDO輸出電壓精度越高。仿真結(jié)果表明,線(xiàn)性調(diào)整率為5.29 mV/V,誤差不超過(guò)0.5%。如圖8 所示。
圖8 LDO仿真圖
在tt工藝角,溫度27℃ 時(shí),RC振蕩器的輸出結(jié)果,如圖9所示。
圖9 RC振蕩器輸出信號(hào)
在溫度為-40℃~125℃,電源電壓為2.5 V~5.5 V 的情況下,RC 振蕩器的輸出頻率的結(jié)果。如表1 所示。
表1 不同工藝角下RC振蕩器的輸出頻率
文章設(shè)計(jì)的高精度RC振蕩器與國(guó)內(nèi)外參考文獻(xiàn)的設(shè)計(jì)性能指標(biāo)的仿真結(jié)果對(duì)比。如表2所示。
表2 文章與文獻(xiàn)中的振蕩器結(jié)果比較
4 結(jié)束語(yǔ)
文中采用CSMC 0.18 μm CMOS 工藝,采用高階溫度補(bǔ)償電流源以及電流數(shù)字修調(diào)技術(shù),實(shí)現(xiàn)了一種具有高階溫度補(bǔ)償高精度的RC 振蕩器。仿真結(jié)果表明:在電源電壓為2.5 V~5.5 V,溫度為-40℃~125℃ 條件下,振蕩器輸出中心頻率保持在±0.25% 以?xún)?nèi)。該電路可集成應(yīng)用到一些較為復(fù)雜的系統(tǒng)中,如可作為數(shù)模轉(zhuǎn)換器(ADC)的內(nèi)部時(shí)鐘,也可集成單獨(dú)的時(shí)鐘芯片。
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(本文來(lái)源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2023年7月期)
評(píng)論