泛林集團推出全球首個晶圓邊緣沉積解決方案以提高芯片良率

近日，泛林集團 (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX產(chǎn)品，這是業(yè)界首個晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應對下一代邏輯、3D NAND和先進封裝應用中的關鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導體芯片關鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得越來越復雜，在硅晶圓上構(gòu)建納米級器件需要數(shù)百個工藝步驟。僅需一個工藝步驟，Coronus DX 可在晶圓邊緣的兩側(cè)沉積一層專有的保護膜，有助于防止在先進半導體制造過程中經(jīng)常發(fā)生的缺陷和損壞。這一強大的保護技術(shù)提高了良率，并使芯片制造商能夠?qū)嵤┬碌那把毓に噥砩a(chǎn)下一代芯片。Coronus DX 是Coronus^? 產(chǎn)品系列的最新成員，擴大了泛林集團在晶圓邊緣技術(shù)領域的領先地位。

泛林集團全球產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：“在 3D 芯片制造時代，生產(chǎn)復雜且成本高昂?；诜毫旨瘓F在晶圓邊緣創(chuàng)新方面的專長，Coronus DX 有助于實現(xiàn)更可預測的制造并大幅提高良率，為以前不可行的先進邏輯、封裝和 3D NAND生產(chǎn)工藝得以采用鋪平道路。”

沉積在工藝集成過程中增加了關鍵保護

與 Coronus 晶圓邊緣刻蝕技術(shù)互補，Coronus DX 使新的器件架構(gòu)成為現(xiàn)實，這對于芯片制造商來說是顛覆性的。重復疊加的薄膜層會導致殘留物和粗糙度沿著晶圓邊緣積聚，并且它們可能會剝落、漂移到其它區(qū)域并產(chǎn)生導致器件失效的缺陷。比如：

·       在 3D 封裝應用中，來自生產(chǎn)線后端的材料可能會遷移，并在之后的工藝中成為污染源。晶圓的塌邊會影響晶圓鍵合的質(zhì)量。

·       3D NAND 制造中的長時間濕法刻蝕工藝可能會導致邊緣處襯底的嚴重損壞。

當這些缺陷不能被刻蝕掉時，Coronus DX 會在晶圓邊緣沉積一層薄的電介質(zhì)保護層。這種精確和可調(diào)整的沉積有助于解決這些可能影響半導體質(zhì)量的常見問題。

CEA-Leti 半導體平臺部門負責人 Anne Roule 表示：“CEA-Leti 運用其在創(chuàng)新、可持續(xù)技術(shù)解決方案方面的專業(yè)知識，幫助泛林集團應對先進半導體制造方面的關鍵挑戰(zhàn)。通過簡化 3D 集成，Coronus DX大幅提高良率，使芯片制造商能夠采用突破性的生產(chǎn)工藝。”

專有工藝推動良率提升

Coronus DX 采用了一流的精確晶圓中心定位和工藝控制，包括內(nèi)置量測模塊，以確保工藝的一致性和可重復性。Coronus 產(chǎn)品逐步提高了晶圓良率，每個刻蝕或沉積步驟提高 0.2% 至 0.5% 的良率，這可以使整個晶圓生產(chǎn)流程的良率提高 5%。每月加工超過 100,000 片晶圓的制造商在一年中可通過 Coronus 提高芯片產(chǎn)量達數(shù)百萬 ——價值數(shù)百萬美元。

各大芯片制造商都使用了 Coronus

Coronus 產(chǎn)品系列于 2007年首次推出，被各大半導體制造商使用，在全球范圍內(nèi)安裝了數(shù)千個腔體。泛林集團的 Coronus 產(chǎn)品系列是業(yè)界首個經(jīng)過大規(guī)模生產(chǎn)驗證的晶圓邊緣技術(shù)。其 Coronus 和 Coronus HP 解決方案是刻蝕產(chǎn)品，旨在通過去除邊緣層來防止缺陷。Coronus 解決方案被用于制造邏輯、內(nèi)存和特色工藝器件，包括領先的 3D 器件。Coronus DX 目前已在全球領先的客戶晶圓廠中用于大批量制造。

Kioxia Corporation 內(nèi)存工藝技術(shù)執(zhí)行官 Hideshi Miyajima博士表示：“通過晶圓邊緣技術(shù)等領域的進步提高生產(chǎn)工藝的質(zhì)量，對于我們向客戶大規(guī)模提供下一代閃存產(chǎn)品至關重要。我們期待繼續(xù)與泛林集團及其 Coronus 解決方案合作，以實現(xiàn)領先的晶圓生產(chǎn)。”