應(yīng)用材料公司推出新技術(shù)和新功能加快推進(jìn)半導(dǎo)體行業(yè)的異構(gòu)集成路線圖
應(yīng)用材料公司近日宣布推出全新技術(shù)和功能,旨在助力客戶加快推進(jìn)其異構(gòu)芯片設(shè)計與集成的技術(shù)路線圖。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/202109/428187.htm● 應(yīng)用材料公司的先進(jìn)封裝開發(fā)中心以全新的芯片對晶圓混合鍵合先進(jìn)軟件建模與仿真技術(shù),助力客戶加速上市時間
● 與EV Group達(dá)成聯(lián)合開發(fā)協(xié)議,協(xié)同優(yōu)化晶圓對晶圓混合鍵合解決方案
● 通過最近對面板級工藝領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)Tango Systems的收購,為先進(jìn)封裝提供更大且更高質(zhì)量的襯底
● 通過自身顯示業(yè)務(wù),為客戶提供大面積良率管理解決方案和其它技術(shù)
應(yīng)用材料公司將自身在先進(jìn)封裝和大面積襯底領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)與行業(yè)協(xié)作相結(jié)合,加速提供解決方案,實(shí)現(xiàn)功率、性能、面積、成本和上市時間(PPACt?)的同步改善。
異構(gòu)集成通過將具備不同技術(shù)、功能和尺寸的芯片集成到單一封裝內(nèi),為半導(dǎo)體和設(shè)備公司的設(shè)計和制造賦予了全新的靈活性。應(yīng)用材料公司是先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域最大的供應(yīng)商之一,其優(yōu)化產(chǎn)品豐富多樣,覆蓋刻蝕、物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、電鍍、表面處理和退火技術(shù)。應(yīng)用材料公司位于新加坡的先進(jìn)封裝開發(fā)中心具有業(yè)內(nèi)極為廣泛的產(chǎn)品組合,包括先進(jìn)凸塊、微凸塊、精密導(dǎo)線再分布層(RDL)、硅通孔技術(shù)(TSV)以及混合鍵合,為異構(gòu)集成奠定了堅實(shí)的基礎(chǔ)。
異構(gòu)集成通過將具備不同技術(shù)、功能和尺寸的芯片集成到單一封裝內(nèi),為半導(dǎo)體和設(shè)備公司的設(shè)計和制造賦予了全新的靈活性。應(yīng)用材料公司結(jié)合在工藝和大面積襯底方面的領(lǐng)導(dǎo)地位,攜手生態(tài)系統(tǒng)加速行業(yè)的異構(gòu)設(shè)計和集成路線圖。
應(yīng)用材料公司先進(jìn)封裝事業(yè)部集團(tuán)副總裁Nirmalya Maity表示:“應(yīng)用材料公司業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的先進(jìn)封裝解決方案產(chǎn)品組合能為客戶的異構(gòu)集成提供廣泛的支持技術(shù)選擇。通過與業(yè)內(nèi)其它企業(yè)開展技術(shù)協(xié)同優(yōu)化與合作,我們構(gòu)建了一整套生態(tài)系統(tǒng),加快推進(jìn)客戶的PPACt 路線圖,并為我們公司創(chuàng)造激動人心的全新發(fā)展機(jī)遇。”
今天,應(yīng)用材料公司揭曉了在異構(gòu)集成先進(jìn)封裝三大關(guān)鍵領(lǐng)域的多項(xiàng)創(chuàng)新成果,即芯片對晶圓混合鍵合、晶圓對晶圓鍵合、以及先進(jìn)襯底。
加速芯片對晶圓混合鍵合
芯片對晶圓混合鍵合使用銅到銅直接互連來提升I/O密度,縮短小芯片間的連線長度,從而改善總體性能、功率和成本。為了加速該技術(shù)的開發(fā),應(yīng)用材料公司正在為自身的先進(jìn)封裝開發(fā)中心提升先進(jìn)軟件建模與仿真能力。這些能力支持在硬件開發(fā)之前,首先對諸如材料選擇和封裝架構(gòu)等各種參數(shù)進(jìn)行評估和優(yōu)化,從而大幅縮短學(xué)習(xí)周期,助力客戶加速上市時間。這一切都得益于應(yīng)用材料公司與 BE Semiconductor Industries N.V.(Besi)于2020年10月宣布簽定的聯(lián)合開發(fā)協(xié)議,該協(xié)議旨在為基于芯片的混合鍵合制定出業(yè)內(nèi)首個經(jīng)驗(yàn)證的完整設(shè)備解決方案。
Besi首席技術(shù)官Ruurd Boomsma表示:“我們與應(yīng)用材料公司制定的聯(lián)合開發(fā)計劃加深了雙方對于協(xié)同優(yōu)化設(shè)備解決方案的理解,幫助我們滿足客戶需求,使客戶能夠在晶圓級量產(chǎn)環(huán)境內(nèi)使用復(fù)雜的混合鍵合工藝。Besi與應(yīng)用材料公司位于新加坡的混合鍵合卓越中心團(tuán)隊(duì)通力協(xié)作,技術(shù)在短時間內(nèi)突飛猛進(jìn),不僅優(yōu)化了客戶材料的處理,更加速了先進(jìn)異構(gòu)集成技術(shù)的開發(fā)進(jìn)度?!?/p>
為晶圓對晶圓混合鍵合制定協(xié)同優(yōu)化解決方案
晶圓對晶圓鍵合使芯片制造商能夠在其中一片晶圓上構(gòu)建某些芯片結(jié)構(gòu),而在另一片晶圓上構(gòu)建其它不同的芯片結(jié)構(gòu),隨后,將兩片晶圓鍵合以制造出完整的器件。為了實(shí)現(xiàn)高性能和高良率,關(guān)鍵在于保證前端工藝步驟的質(zhì)量,并確保晶圓鍵合時的均勻性以及晶圓對齊精度。應(yīng)用材料公司今日宣布與EV Group(EVG)簽署聯(lián)合開發(fā)協(xié)議,開發(fā)適用于晶圓對晶圓鍵合的協(xié)同優(yōu)化解決方案。應(yīng)用材料公司在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域具備沉積、平坦化、離子注入、測量和檢測工藝方面的豐富專業(yè)知識,而EVG則在晶圓鍵合、晶圓預(yù)處理和活化以及鍵合疊對的測量方面享有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先地位,此次協(xié)作得以將兩者優(yōu)勢有機(jī)結(jié)合在一起。
EVG業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)Thomas Uhrmann博士表示:“3D集成與材料工程助力半導(dǎo)體行業(yè)不斷創(chuàng)新,驅(qū)動晶圓對晶圓混合鍵合的需求不斷提升。要優(yōu)化此關(guān)鍵工藝來發(fā)展新的應(yīng)用領(lǐng)域,就需要深入理解工藝制程鏈上下游的各種集成問題。通過開展行業(yè)協(xié)作,不同工藝設(shè)備公司之間不僅可以分享數(shù)據(jù),還可相互學(xué)習(xí)各自的優(yōu)勢領(lǐng)域,博采眾長,以此協(xié)同優(yōu)化解決方案,更好地為客戶解決各種新的關(guān)鍵性制造難題?!?/p>
應(yīng)用材料公司先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)發(fā)展總經(jīng)理Vincent DiCaprio表示:“我們與包括Besi和EVG在內(nèi)的業(yè)內(nèi)合作伙伴協(xié)作,為客戶提供所需的功能和專業(yè)知識,幫助客戶加速開發(fā)和部署包括芯片對晶圓和晶圓對晶圓在內(nèi)的混合鍵合技術(shù)。使用異構(gòu)設(shè)計技術(shù)來驅(qū)動PPACt路線圖發(fā)展的芯片制造商不斷增加,應(yīng)用材料公司也期待在生態(tài)系統(tǒng)內(nèi)與客戶及合作伙伴構(gòu)建起更深入的互動協(xié)作關(guān)系。”
更大、更先進(jìn)的襯底助力優(yōu)化PPAC
隨著芯片制造商不斷嘗試將越來越多的芯片融入復(fù)雜的2.5D和3D封裝設(shè)計中,對于更先進(jìn)的襯底的需求與日俱增。為了擴(kuò)大封裝尺寸并增大互連密度,應(yīng)用材料公司運(yùn)用了頂尖的面板級工藝技術(shù),這一技術(shù)正是來自于最近收購的Tango Systems。面板尺寸的襯底測量范圍不小于500毫米 x 500毫米,能夠比晶圓尺寸規(guī)格容納更多封裝,不僅可以優(yōu)化功率、性能和面積,還能節(jié)省成本。
對于采用更大面板尺寸襯底的客戶,應(yīng)用材料公司為其提供來自顯示業(yè)務(wù)部門的大面積材料工程技術(shù),包括沉積、電子束測試、掃描電子顯微鏡(SEM)檢視和測量、以及用于缺陷分析的聚焦離子束技術(shù)。
應(yīng)用材料公司在美國時間9月8日舉辦的2021年ICAPS和封裝大師課程上進(jìn)一步詳細(xì)探討了公司的封裝技術(shù)。
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