英飛凌OptiMOS?源極底置功率MOSFET系列新添PQFN封裝的40 V裝置

當(dāng)代的電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要高功率密度等級(jí)和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系統(tǒng)級(jí)性能。英飛凌科技股份公司近日通過(guò)專注于強(qiáng)化元器件產(chǎn)品達(dá)到系統(tǒng)創(chuàng)新，來(lái)應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。繼2 月份推出 25 V 裝置后，英飛凌又推出了 OptiMOS? 40 V 低電壓功率 MOSFET，采用源極底置 (SD, Source-Down) PQFN 封裝，尺寸為 3.3mm x 3.3 mm。這款 40 V SD MOSFET 適用于服務(wù)器的 SMPS、電信和 OR-ing，還適用于電池保護(hù)、電動(dòng)工具和充電器等應(yīng)用。

SD 封裝的內(nèi)部采用上下倒置的芯片。如此一來(lái)，讓源極電位 (而非汲極電位) 能通過(guò)導(dǎo)熱片連接至 PCB。與現(xiàn)有技術(shù)相比，此版本最終可使 RDS(on)大大降低 25%。相較于傳統(tǒng)的 PQFN 封裝，接面與外殼間的熱阻 (RthJC)亦獲得大幅改善。SD OptiMOS 可承受高達(dá) 194 A 的高連續(xù)電流。此外，經(jīng)過(guò)優(yōu)化的配置可能性和更有效的 PCB 利用，可實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)靈活性和出色的性能。

OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。中央柵極版針對(duì)多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。采用源極底置 (SD) PQFN 封裝的裝置尺寸為 3.3mm x 3.3 mm，可使 RDS(on)大大降低 25%，接面與外殼間的熱阻 RDS(on)亦獲得大幅改善

供貨情況

OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。中央柵極版針對(duì)多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。兩個(gè)版本皆采用 PQFN 3.3mm x 3.3 mm封裝，已開(kāi)始接受訂購(gòu)。