獨樹一幟：英飛凌開發(fā)出先進的硫化氫保護功能，延長IGBT模塊的使用壽命

耐用性決定了模塊在惡劣環(huán)境下的使用壽命和可靠性。特別是當暴露于硫化氫(H2S)中時,電子元件的壽命會受到很大的影響。為了應對這一威脅,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)開發(fā)出了一項獨特的保護功能。采用TRENCHSTOP? IGBT4芯片組的EconoPACK?+模塊是Econo系列中率先具備這一全新保護特性的產(chǎn)品,適用于逆變器應用。硫化氫達到臨界水平的惡劣環(huán)境在造紙、采礦、廢水、石化加工以及橡膠業(yè)中尤為常見。

硫化氫對于功率半導體而言,是最具威脅的腐蝕性污染物。IGBT模塊在運行期間溫度通常會上升形成高溫,再加上施加的電壓和硫化氫污染,會發(fā)生反應生成硫化銅(Cu2S)晶體。這種導電結構會在陶瓷基板DCB上的覆銅的溝槽內蔓延,最壞的情況是會引發(fā)短路。IGBT模塊過早地發(fā)生故障,會導致逆變器的壽命大打折扣。英飛凌先進的硫化氫保護功能能夠防止硫化氫進入模塊敏感區(qū)域。這個方法不僅獨一無二,效率也很高。

與此同時,模塊的所有電氣、熱學和機械參數(shù)均未發(fā)生改變,同時還保留了和標準模塊一樣的屬性,這便延長了在惡劣環(huán)境下運行的系統(tǒng)的壽命。為了確認這一點,英飛凌根據(jù)ISA 71.04-2013標準,設計了一個專有的HV-H2S測試,來證明IGBT模塊能夠在特定條件下運行。該標準根據(jù)污染影響的嚴重程度從“輕度(G1)”到“重度(GX)”劃分了四個級別。英飛凌的測試涵蓋了廣泛的工業(yè)應用,為評估IGBT模塊的可靠性,提供了一個可量化的方法。

在英飛凌硫化氫技術的保護下,IGBT模塊在HV-H2S指定測試條件下未顯示出枝晶生長,因此,根據(jù)ISA 71.04標準,在“G3(嚴重)”等級上限(≤ 2000 ? / 50 ppb)條件下, IGBT模塊預計可使用20年。具有該保護功能的EconoPACK+可輕松替換標準模塊,無需成本高昂且費時的設計工作。此外,借助該功能,使用逆變器系統(tǒng)的公司可省去一些額外的保護措施,比如在逆變器的安裝區(qū)域乃至密封柜增設空調、溫度和濕度控制。

供貨情況：

具有先進的硫化氫保護功能的EconoPACK+模塊現(xiàn)可批量訂購,其中電壓為1200V的有300A和450A兩個型號可供選擇,電壓為1700V的有300A和500A兩個型號可供選擇。EconoPIM 2和EconoPIM 3的樣品同樣可供訂購。