ROHM面向車載系統(tǒng)開發(fā)出200V耐壓肖特基勢壘二極管RBxx8BM/NS200
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都),面向包括xEV在內(nèi)的動力傳動系統(tǒng)等車載系統(tǒng),開發(fā)出200V耐壓的超低IR※1肖特基勢壘二極管※2(以下簡稱SBD)RBxx8BM200和RBxx8NS200。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/201908/404156.htm
RBxx8BM/NS200是RBxx8系列的新產(chǎn)品,該系列產(chǎn)品是可在高溫環(huán)境下工作的超低IR SBD,已經(jīng)在日本國內(nèi)的汽車市場取得非常優(yōu)異的業(yè)績。此次,利用其超低IR特性,實現(xiàn)了高達(dá)200V的耐壓,可替換以往在汽車中普遍使用的整流二極管※3和快速恢復(fù)二極管※4(以下簡稱FRD),因此可顯著改善VF※5特性(比以往FRD低約11%)。不僅有助于進(jìn)一步降低應(yīng)用的功耗,還可因發(fā)熱量降低而實現(xiàn)小型封裝設(shè)計,從而進(jìn)一步節(jié)省空間。
本產(chǎn)品已于2019年7月份開始出售樣品(樣品價格250日元/個,不含稅),預(yù)計將于2019年9月開始以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Wako Co., Ltd.(日本岡山),后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)和ROHM Korea Corporation(韓國)。
<開發(fā)背景>
ROHM已實現(xiàn)可在車載的高溫環(huán)境下使用的耐壓達(dá)150V的超低IR SBD RBxx8系列的量產(chǎn),并已獲得高度好評。近年來,在48V輕度混合動力等驅(qū)動系統(tǒng)中,將電機(jī)和外圍部件集成于1個模塊的“機(jī)電一體化”已成為趨勢技術(shù),能夠在高溫環(huán)境下工作的高耐壓、高效率SBD的需求日益高漲。而另一方面,在以往使用150V產(chǎn)品的系統(tǒng)中,高性能化和高可靠性要求越來越嚴(yán)格,因此要求SBD要具有更高的耐壓性能。
在這種背景下,ROHM在RBxx8系列的產(chǎn)品陣容中新增加了200V耐壓的產(chǎn)品。未來,羅姆將進(jìn)一步擴(kuò)充產(chǎn)品陣容,為車載和工業(yè)設(shè)備等廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)一步降低功耗、節(jié)省空間貢獻(xiàn)力量。
<特點>
在高溫環(huán)境下使用的車載和電源設(shè)備的電路,希望將以往的整流二極管和FRD替換為效率性能更優(yōu)異的SBD。然而另一方面,SBD存在的問題是隨著工作環(huán)境溫度上升,IR特性會惡化,容易引發(fā)熱失控,因此對于高效率且在高溫環(huán)境下也可安全使用的產(chǎn)品開發(fā)需求越來越強(qiáng)烈。
RBxx8系列采用非常適用于高溫環(huán)境的阻擋金屬,大大改善了在車載和電源設(shè)備的電路中使用SBD時的最大課題--IR特性,成功打造了在車載和工業(yè)設(shè)備等高溫環(huán)境下也可安全使用、無需擔(dān)心熱失控的SBD系列產(chǎn)品。
1.替換FRD,有助于進(jìn)一步降低應(yīng)用的功耗
擁有超低IR特性,可實現(xiàn)高達(dá)200V的耐壓,從而可將以往在需要200V耐壓的車載系統(tǒng)中使用的FRD替換為SBD。RBxx8BM/NS200與FRD產(chǎn)品相比,VF特性可降低約11%,有助于應(yīng)用的低功耗化。
2.發(fā)熱量減少,可小型封裝設(shè)計,有助于應(yīng)用進(jìn)一步節(jié)省空間
更低VF可抑制發(fā)熱量,因此與以往產(chǎn)品相比,可實現(xiàn)同一尺寸小型封裝設(shè)計。
目前,中等功率封裝品也在開發(fā)中,未來,曾經(jīng)使用的5.9×6.9mm尺寸FRD產(chǎn)品將能夠被替換為2.5×4.7mm的小型封裝產(chǎn)品,安裝面積可削減71%。
<產(chǎn)品陣容>
此次新增加的200V產(chǎn)品包括8款機(jī)型,至此,RBxx8系列的產(chǎn)品陣容已多達(dá)212款機(jī)型。
<應(yīng)用>
動力傳動系統(tǒng)等車載系統(tǒng)(xEV等)、工業(yè)設(shè)備逆變器、各種電源設(shè)備等。
<術(shù)語解說>
※1)IR(Reverse Current)
施加反向電壓時產(chǎn)生的反向電流。值越小功耗越低。
※2)肖特基勢壘二極管(Schottky-Barrier Diode:SBD)
具有“正向電壓降較小、開關(guān)速度快”特點的二極管。主要用于開關(guān)電源等。
※3)整流二極管(Rectifier Diode)
具有從交流轉(zhuǎn)換為直流功能的二極管。
※4)快速恢復(fù)二極管(Fast Recovery Diode: FRD)
將施加的正向電壓切換為反向電壓時,瞬間流過的反向電流達(dá)到零的時間(即反向恢復(fù)時間)很短的二極管。
※5)VF (Forward Voltage)
流過正向電流時二極管產(chǎn)生的電壓值。值越小功耗越低。
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