智能電表設計中如何應用相變存儲器PCM
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相變存儲器即是英文Phase Change Memory-- PCM 的縮寫。就是一種利用六族與第四、五族的化合物作為存儲材料的存儲器。 該種化合物是一種相態(tài)可逆變的物質?？梢栽谟行蚪Y構(晶態(tài)-低阻)和無序結構(非晶態(tài)-高阻) 之間變化。本文引用地址：http://2s4d.com/article/201893.htm
通過圖片可以看出，電流電壓曲線圖是從一個ＰＣＭ的存儲單元獲得。讀取操作是工作在電壓５００毫伏且電流小于１００微安以下的區(qū)間內，所以沒有對ＧＳｔ產生加熱的效應。晶態(tài)和非晶態(tài)的存儲狀態(tài)也就沒有變化。當電壓大于５００毫伏且電流大于５００微安時，電阻加熱器就會融化ＧＳＴ材料。此時晶態(tài)和非晶體的狀態(tài)就會發(fā)生變化。
基于相變技術的存儲器具有三個特性，包括位修改（直接寫入），高寫入次數(shù)，工藝和成本的可延續(xù)性。下面圖片是對現(xiàn)在流行的存儲器之間的比較。
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