相變存儲器文章進入相變存儲器技術社區(qū)

新存儲設備，替代DRAM和NAND

韓國研究人員團隊開發(fā)了一種新型存儲設備，該設備可用于取代現(xiàn)有內存或用于實現(xiàn)下一代人工智能硬件的神經(jīng)擬態(tài)計算。
關鍵字：相變存儲器

相變存儲器的工作原理和最新的研究進展

　　近年來，非易失性存儲技術在許多方面都取得了一些重大進展，為計算機系統(tǒng)的存儲能效提升帶來了新的契機，采用新型非易失性存儲技術來替代傳統(tǒng)的存儲技術可以適應計算機技術發(fā)展對高存儲能效的需求。以相變存儲器為代表的多種新型存儲器技術因具備高集成度、低功耗等特點而受到國內外研究者的廣泛關注，本文介紹相變存儲器的工作原理、技術特點及其國內外最新研究進展?！　∫?、相變存儲器的工作原理　　相變存儲器(Phase Change Random Access Memory, 簡稱PCRAM)的基本結構如圖1所示，相變存儲器的
關鍵字：相變存儲器

帶你了解一下什么叫相變存儲器

　　近年來，非易失性存儲技術在許多方面都取得了一些重大進展，為計算機系統(tǒng)的存儲能效提升帶來了新的契機，采用新型非易失性存儲技術來替代傳統(tǒng)的存儲技術可以適應計算機技術發(fā)展對高存儲能效的需求。以相變存儲器為代表的多種新型存儲器技術因具備高集成度、低功耗等特點而受到國內外研究者的廣泛關注，本文介紹相變存儲器的工作原理、技術特點及其國內外最新研究進展。　　一、相變存儲器的工作原理　　相變存儲器(Phase Change Random Access Memory, 簡稱PCRAM)的基本結構如圖1所示，相變存儲器的
關鍵字：相變存儲器

國產相變存儲器開啟產業(yè)化應用

潛心相變存儲器研究15年，中科院上海微系統(tǒng)所研究院宋志棠團隊在130納米技術節(jié)點相變存儲器技術研發(fā)取得重大突破。近4年來，通過和珠海艾派克微電子有
關鍵字：國產相變存儲器產業(yè)化

國產相變存儲器如何開啟產業(yè)化應用？

潛心相變存儲器研究15年，中科院上海微系統(tǒng)所研究院宋志棠團隊在130納米技術節(jié)點相變存儲器技術研發(fā)取得重大突破。近4年來，通過和珠海艾派克微電子有
關鍵字：相變存儲器產業(yè)化應用

0.7納秒！相變存儲器速度新極限

　　隨著數(shù)字全球化，爆炸式增長的信息對數(shù)據(jù)的存儲與傳輸提出了極大的挑戰(zhàn)，而且目前商用計算體系架構內各存儲部件，即緩存(SRAM)、內存(DRAM)和閃存(NAND Flash)之間性能差距日益加大，其間的數(shù)據(jù)交換效率也已成為了電子設備發(fā)展的瓶頸。因此研發(fā)具備存儲密度大、讀寫速度快、能耗低、非易失(即斷電后數(shù)據(jù)不丟失)等特點的新式通用式存儲介質勢在必行。　　　　近日，美國Science雜志發(fā)表了西安交通大學與上海微系統(tǒng)與信息技術研究所的合作論文——《Red
關鍵字：相變存儲器 DRAM

相變存儲器（PCM）技術基礎

相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉的相變來存儲信息。同一物質可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在，這些狀態(tài)都稱為相。相變存儲器便是利用特殊材料在不同相間的電阻差異進行工作的。本文將介紹相變存儲器的基本技術與功能。
關鍵字：相變存儲器 PCM RAM EEPROM

相變存儲器驅動電路的設計與實現(xiàn)

介紹了一種新型的相變存儲器驅動電路的基本原理，設計了一種依靠電流驅動的驅動電路，整體電路由帶隙基準電壓源電路、偏置電流產生電路、電流鏡電路及控制電路組成。該結構用于16 Kb以及1 Mb容量的相變存儲器芯片的設計，并采用中芯國際集成電路制造(上海) 有限公司的0118μm標準CMOS 工藝實現(xiàn)。
關鍵字：相變存儲器 PCM 電流驅動基準電壓偏置電流電流鏡互補金屬氧化物半導體

PCM是什么

　　導讀：PCM是什么?其實就是變相存儲，初次聽到"相變"這個詞,很多讀者朋友會感到比較陌生吧，想了解更多姿勢的朋友們快來看看吧。 1.PCM是什么--簡介　　PCM是Phase Change Memory的簡稱，中文名稱為相變存儲器，它利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導電性差異來存儲數(shù)據(jù)的。PCM是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉的相變來存儲信息。同一物質可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在，這些狀態(tài)都稱為相。相變存儲器便是利用特殊材料在不同相間的電
關鍵字： PCM 相變存儲器 PCM是什么

寧波鄞州欲打造成“中國芯片之城”

　　近日，浙江省寧波市鄞州區(qū)投資約20億美元成功引進簽約美國全芯科技有限公司相變存儲器項目，致力于研發(fā)、生產、銷售具有完整知識產權的存儲芯片，建成后預計年營收可達數(shù)十億元人民幣，并有望助推該區(qū)打造成“中國芯片之城”。　　該項目是通過鄞州區(qū)一事一議招引渠道引進的。據(jù)悉，鄞州區(qū)為提高招才引智和招商引資效率，特設一事一議招引渠道，先后引進了一批高端人才項目。除一系列的配套優(yōu)惠政策之外，在項目資金扶持方面合計投入近4500萬元。
關鍵字：相變存儲器存儲芯片

相變存儲器：基本原理與測量技術

相變存儲器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計算機存儲器技術。它可能在將來代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復原性更好，能夠實現(xiàn)一億次以上的擦寫次數(shù)。本文
關鍵字：相變存儲器測量技術原理

相變存儲器PCM應用智能電表設計方案

5月初，美光斥資12億美元收購恒憶，完成收購后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術的記憶體晶片大廠。對于這么大的收購舉動，有傳言，是英特爾在后面起到的推動作用，因為三星的快速崛起，不想一家獨大的局面在存
關鍵字： PCM 相變存儲器設計方案智能電表

IBM研發(fā)出最新多位相變存儲器提高了數(shù)據(jù)存儲的可靠性

IBM的科學家演示了最新的多位相變存儲器，其每個存儲格都能長時間可靠地存儲多個字節(jié)的數(shù)據(jù)。最新技術讓...
關鍵字： IBM 相變存儲器數(shù)據(jù)存儲

智能電表設計中如何應用相變存儲器PCM

5月初，美光斥資12億美元收購恒憶，完成收購后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術的記憶體晶片大廠。對于這么大的收購舉動，有傳言，是英特爾在后面起到的推動作用，因為三星的快速崛起，不想一家獨大的局面在存
關鍵字： PCM 智能電表相變存儲器

我國研制成功相變存儲器芯片

　　我國第一款具有自主知識產權的相變存儲器(PCRAM)芯片在中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所研制成功，打破了存儲器芯片生產技術長期被國外壟斷的局面，產業(yè)化前景可觀。　　
關鍵字：相變存儲器射頻識別

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相變存儲器介紹

相變存儲器（phase change memory）,簡稱PCM，利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導電性差異來存儲數(shù)據(jù)的。相變存儲器-物理變化初次聽到"相變"這個詞,很多讀者朋友會感到比較陌生.其實,相(phase)是物理化學上的一個概念,它指的是物體的化學性質完全相同,但是物理性質發(fā)生變化的不同狀態(tài).例如水有三種不同的狀態(tài),水蒸氣(汽相)，液態(tài)水（液相）以及固態(tài)水 [ 查看詳細 ]

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