從晉華DRAM事件出發(fā)，了解我國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)瓶頸在哪里

　　圖12 DRAM和NAND競(jìng)爭(zhēng)格局分析

　　海關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2017年中國(guó)進(jìn)口存儲(chǔ)芯片889億美元，比2016年增長(zhǎng)39.6%。DRAM、NAND的寡頭壟斷造成下游客戶毫無(wú)議價(jià)能力。2017財(cái)年，三星、SK海力士、美光三家存儲(chǔ)巨頭的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在中國(guó)的營(yíng)收分別為104、254、89億美金，合計(jì)達(dá)到447億美金，超過(guò)中國(guó)存儲(chǔ)芯片進(jìn)口額度的半數(shù)。

　　因此，無(wú)論從經(jīng)濟(jì)安全，還是信息安全角度，我國(guó)都亟待發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)。

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　　我國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)：短期格局難變

　　作為全球最大的存儲(chǔ)芯片消費(fèi)市場(chǎng)之一，面對(duì)產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)薄弱，自給率極低的窘境，在政府引導(dǎo)和支持下，產(chǎn)業(yè)界全力以赴追趕超越，加快發(fā)展。目前，國(guó)內(nèi)有三大存儲(chǔ)項(xiàng)目：紫光集團(tuán)與武漢、南京及成都合作展開(kāi)的NAND與DRAM項(xiàng)目，兆易創(chuàng)新與合肥合作的DRAM項(xiàng)目(合肥長(zhǎng)鑫)，聯(lián)電與福建省合作的DRAM項(xiàng)目(福建晉華)。

　　表2 主要存儲(chǔ)芯片企業(yè)分析

　　紫光集團(tuán)(長(zhǎng)江存儲(chǔ)+紫光南京+紫光成都)

　　紫光集團(tuán)在南京、成都各有一座半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，又與武漢新芯合作成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地。南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地主要生產(chǎn)DRAM以及NAND芯片，成都基地和長(zhǎng)江存儲(chǔ)將專(zhuān)注于3D NAND閃存芯片。

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)2016年7月成立，由紫光集團(tuán)、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路基金、湖北科投聯(lián)合投資240億美元。

　　2016年12月，以長(zhǎng)江存儲(chǔ)為主體的國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地正式開(kāi)工，建設(shè)3座全球單座面積最大的3D NAND Flash廠。項(xiàng)目一期2018年建成投產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)零的突破，成功進(jìn)入市場(chǎng)，預(yù)計(jì)2019年毛利轉(zhuǎn)正，2020年月產(chǎn)能30萬(wàn)片，2023年月產(chǎn)能100萬(wàn)片，年產(chǎn)值達(dá)1000 億人民幣。

　　圖13 長(zhǎng)江存儲(chǔ)項(xiàng)目重要時(shí)間節(jié)點(diǎn)

　　紫光南京/成都半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地均由紫光集團(tuán)投資建設(shè)，目前處于建設(shè)期，未來(lái)產(chǎn)能均為30萬(wàn)片/月。

　　合肥長(zhǎng)鑫

　　合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)由兆易創(chuàng)新與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股合作，建設(shè)19nm、12寸晶圓DRAM芯片項(xiàng)目，預(yù)算金額180億元。

　　合肥長(zhǎng)鑫2018年一季度已完成設(shè)備安裝，一期計(jì)劃產(chǎn)能12.5萬(wàn)片/月，三期全部滿產(chǎn)產(chǎn)能為37.5萬(wàn)片/月。第一階段主要生產(chǎn)基于19nm平臺(tái)的8GB LPDDR4產(chǎn)品，用于智能手機(jī)。目前已開(kāi)始投產(chǎn)，預(yù)計(jì)2018年底良率可達(dá)10%，2019年底良率可達(dá)80%左右，實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

　　圖14 合肥長(zhǎng)鑫項(xiàng)目重要時(shí)間節(jié)點(diǎn)

　　福建晉華

　　由福建省電子信息集團(tuán)、晉江能源投資集團(tuán)有限公司等共同出資，與臺(tái)灣聯(lián)電展開(kāi)技術(shù)合作，總投資56.5億美元，建設(shè)12寸內(nèi)存晶圓廠生產(chǎn)線，從事利基型DRAM的研發(fā)和生產(chǎn)銷(xiāo)售，產(chǎn)品主要應(yīng)用于PC及數(shù)據(jù)中心，未來(lái)瞄準(zhǔn)消費(fèi)電子產(chǎn)品。雖然消費(fèi)電子的存儲(chǔ)需求步入存量博弈階段，但市場(chǎng)規(guī)模依舊龐大。

　　該項(xiàng)目共4期，每期設(shè)計(jì)產(chǎn)能6萬(wàn)片/月，總計(jì)24萬(wàn)片/月。預(yù)計(jì)4期滿產(chǎn)總產(chǎn)值500億人民幣。規(guī)劃第一階段提供25nm 4GB DDR4/DDR3產(chǎn)品，爭(zhēng)取2018年研發(fā)成功，后續(xù)繼續(xù)研發(fā)1xnm產(chǎn)品。此次美國(guó)禁售，原計(jì)劃很大可能將會(huì)推遲。

　　圖15 福建晉華項(xiàng)目重要時(shí)間節(jié)點(diǎn)

　　圖16 中國(guó)大陸主要半導(dǎo)體制造產(chǎn)線分布圖

　　從上述規(guī)劃看，我國(guó)廠商仍處于起步階段，存儲(chǔ)芯片研發(fā)、良品率、成本控制等能否達(dá)到預(yù)期，還有一定的不確定性，產(chǎn)能釋放將是一個(gè)緩慢的過(guò)程。從產(chǎn)能規(guī)劃看，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片市占率短期內(nèi)將維持較低水平，2-3年內(nèi)難以超過(guò)1%，2020年后有望得到較大提升。

　　從存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的專(zhuān)利分布、申請(qǐng)趨勢(shì)以及產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)的深入分析看，我們清晰的看到自身技術(shù)積累的薄弱，在人才儲(chǔ)備、產(chǎn)能規(guī)模、企業(yè)體量與國(guó)際巨頭還有顯著的差距。雖然晉華事件走向何方還不明朗，但我國(guó)發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的決心只會(huì)更加堅(jiān)定。面臨挑戰(zhàn)，我們必須著眼于產(chǎn)業(yè)生態(tài)打造，進(jìn)一步整合資源，完善產(chǎn)業(yè)鏈布局，同時(shí)加大力度布局前瞻性技術(shù)研發(fā)，尋找技術(shù)變革帶來(lái)的新發(fā)展機(jī)遇?？上驳氖牵?0月26日，中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟在武漢成立，行業(yè)抱團(tuán)取暖，團(tuán)結(jié)就是力量。雖然產(chǎn)業(yè)發(fā)展道阻且長(zhǎng)，但是我們別無(wú)選擇。