下世代DDR4 DRAM 功能更強(qiáng)

在英特爾下一代處理器將支援新世代記憶體DDR4 DRAM下，包括三星、美光及海力士及相關(guān)模組廠，近期也相繼導(dǎo)入DDR4 DRAM試產(chǎn)行動，業(yè)者強(qiáng)調(diào)，DDR 4 DRAM因功耗低，運算速度更快，且支援矽鉆孔(TSV)3D IC設(shè)計，預(yù)料明年可望成為伺服器新寵。

DRAM業(yè)者表示，和DD3 DRAM比較，DDR4未來功耗將遠(yuǎn)低于1.2伏特，比現(xiàn)在的DDR 3 1.5伏特更低，而資料轉(zhuǎn)換率每秒更達(dá)3.2Gb，同時具備16個族群，遠(yuǎn)比DDR3的資料轉(zhuǎn)換率每秒2.13Gb、8個族群，資料處理速度更快且頻寬更寬。

不過，主導(dǎo)半導(dǎo)體技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的JEDEC，此次對未針對DDR4DRAM提出如DDR3 DRAM般公板設(shè)計，導(dǎo)致記憶體模組廠只能依照過去累積的設(shè)計能力，投入開發(fā)DDR 4 記憶體模組。

日前率先在英特爾開發(fā)者論壇，領(lǐng)先業(yè)界針對企業(yè)用戶、伺服器平臺，展示新世代DDR4記憶體模組的威剛，表示看好DDR4 DRAM未來應(yīng)用。

威剛表示，未來仍會依循英特爾主導(dǎo)的規(guī)格進(jìn)行相關(guān)DDR4設(shè)計，在JEDEC未制定公板下，將采客制化，依企業(yè)用戶需求，提供這項更高性能的記憶體儲存方案。

威剛表示，由于DDR 4尚未處于量產(chǎn)階段，初期價格預(yù)料也會非常昂貴，但因這項新記憶體導(dǎo)入更新的防錯設(shè)計，也支援TSV 3D IC架構(gòu)，是未來3D IC必備的新世代記憶體，初期將會切入伺服器等應(yīng)用領(lǐng)域。

據(jù)了解，包括三星、美光及SK海力士均已投入試產(chǎn)階段;國內(nèi)DRAM大廠華亞科和南科，也預(yù)定第4季開始試產(chǎn)。