用過壓故障保護模擬開關(guān)代替 分立保護器件

摘要

設(shè)計具有魯棒性的電子電路較為困難，通常會導致具有大量 分立保護器件的設(shè)計的相關(guān)成本增加、時間延長、空間擴大。 本文將討論故障保護開關(guān)架構(gòu)，及其與傳統(tǒng)分立保護解決方 案相比的性能優(yōu)勢和其他優(yōu)點。下文討論了一種新型開關(guān)架 構(gòu)，以及提供業(yè)界領(lǐng)先的故障保護性能以及精密信號鏈所需 性能的專有高電壓工藝。ADI的故障保護開關(guān)和多路復用器 新型產(chǎn)品系列(ADG52xxF和ADG54xxF)就是采用這種技術(shù)。

高性能信號鏈的模擬輸入保護往往令系統(tǒng)設(shè)計人員很頭痛。 通常，需要在模擬性能(例如漏電阻和導通電阻)和保護水 平(可由分立器件提供)之間進行權(quán)衡。

用具有過電壓保護功能的模擬開關(guān)和多路復用器代替分立 保護器件能夠在模擬性能、魯棒性和解決方案尺寸方面提供 顯著的優(yōu)勢。過電壓保護器件位于敏感下游電路和受到外部 應(yīng)力的輸入端之間。一個例子是過程控制信號鏈中的傳感器 輸入端。

本文詳細說明了由過電壓事件引起的問題，討論了傳統(tǒng)分立 保護解決方案及其相關(guān)缺點，還介紹了過電壓保護模擬開關(guān) 解決方案的特性和系統(tǒng)優(yōu)勢，最后介紹了ADI業(yè)界領(lǐng)先的故 障保護模擬開關(guān)產(chǎn)品系列。

過電壓問題—回顧基礎(chǔ)

如果施加在開關(guān)上的輸入信號超過電源電壓(VDD或VSS)一 個以上二極管壓降，則IC內(nèi)的ESD保護二極管將變成正向偏 置，而且電流將從輸入信號端流至電源，如圖1所示。這種 電流會損壞元件，如果不加以限制，還可能觸發(fā)閂鎖事件。

圖1.過壓電流路徑

如果開關(guān)未上電，則可能出現(xiàn)以下幾種情形：

如果電源浮動，輸入信號可能通過ESD二極管停止向VDD 電軌供電。這種情況下，VDD引腳將處于輸入信號的二極 管壓降范圍內(nèi)。這意味著能夠?qū)﹂_關(guān)有效供電，就像使 用相同VDD電軌的其他元件一樣。這可能導致信號鏈中的 器件執(zhí)行未知且不受控制的操作。

如果電源接地，PMOS器件將在負VGS下接通，開關(guān)將把 削減的信號傳至輸出端，這可能會損壞同樣未上電的下 游器件(參見圖2)。注：如果有二極管連接至電源，它 們將發(fā)生正向偏置，把信號削減為+0.7 V。

圖2.電源接地時的過電壓信號

分立保護解決方案

設(shè)計人員通常采用分立保護器件解決輸入保護問題。

通常會利用大的串聯(lián)電阻限制故障期間的電流，而連接至供 電軌的肖特基或齊納二極管將箝位任意過電壓信號。圖3所 示為多路復用信號鏈中這種保護方案的一個示例。

但是，使用此類分立保護器件存在許多缺點。

串聯(lián)電阻會延長多路復用器的建立時間并縮短整體建立 時間。

保護二極管會產(chǎn)生額外的漏電流和不斷變化的電容，從 而影響測量結(jié)果的精度和線性度。

在電源浮動情況時時沒有任何保護，因為連接至電源的 ESD二極管不會提供任何箝位保護。

圖3.分立保護解決方案

傳統(tǒng)開關(guān)架構(gòu)

圖4為一種傳統(tǒng)開關(guān)架構(gòu)的概覽。在開關(guān)器件(在圖4的右側(cè)) 中，ESD二極管連接至開關(guān)元件輸入和輸出端的供電軌。圖 中還顯示了外部分立保護器件—用于限制電流的串聯(lián)電阻 和用于實現(xiàn)過電壓箝位的肖特基二極管(連接至電源)。在 苛刻環(huán)境下，通常還需要利用雙向TVS提供額外的保護。

圖4.采用外部分立保護器件的傳統(tǒng)開關(guān)架構(gòu)

故障保護開關(guān)架構(gòu)

故障保護開關(guān)架構(gòu)如圖5所示。輸入端的ESD二極管用雙向 ESD單元代替，輸入電壓范圍不再受連接至供電軌的ESD二 極管限制。因此，輸入端的電壓可能達到工藝限值(ADI提 供的新型故障保護開關(guān)的限值為±55 V)。

大多數(shù)情況下，ESD二極管仍然存在于輸出端，因為輸出端 通常不需要過電壓保護。

輸入端的ESD單元仍然能夠提供出色的ESD保護。使用此類 ESD單元的ADG5412F過電壓故障保護四通道SPST開關(guān)的 HBM ESD額定值可達到5.5 kV。

對于IEC ESD (IEC 61000-4-2)、EFT或浪涌保護等更嚴格的情 況，可能仍然需要一個外部TVS或一個小型限流電阻。

圖5.故障保護開關(guān)架構(gòu)

開關(guān)的一個輸入端發(fā)生過電壓狀況時，受影響的通道將關(guān) 閉，輸入將變?yōu)楦咦钁B(tài)。其他通道上的漏電流仍然很小，因 而其余通道能夠繼續(xù)正常工作，而且對性能的影響極小。幾 乎不用在系統(tǒng)速度/性能和過電壓保護之間進行妥協(xié)。

因此，故障保護開關(guān)能夠大幅簡化信號鏈解決方案。很多情 況下都需要使用限流電阻和肖特基二極管，而開關(guān)過電壓保 護消除了這種需要。整體系統(tǒng)性能也不再受通常會引起信號 鏈漏電和失真的外部分立器件限制。

ADI 故障保護開關(guān)的特性

ADI的故障保護開關(guān)新型產(chǎn)品系列采用專有高電壓工藝打造 而成，能夠在上電和未上電狀態(tài)下提供高達±55 V的過電壓 保護。這些器件能夠為精密信號鏈使用的故障保護開關(guān)提供 業(yè)界領(lǐng)先的性能。

圖6.溝槽隔離工藝

防閂鎖性

專有高電壓工藝也采用了溝槽隔離技術(shù)。各開關(guān)的NDMOS與 PDMOS晶體管之間有一個絕緣氧化物層。因此，它與結(jié)隔離式 開關(guān)不同，晶體管之間不存在寄生結(jié)，從而抑制了所有情況下 的閂鎖現(xiàn)象。例如，ADG5412F通過了1秒脈寬±500 mA的 JESD78D閂鎖測試，這是規(guī)范中最嚴格的測試。

模擬性能

新型ADI故障保護開關(guān)不僅能夠?qū)崿F(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的魯棒性(過 電壓保護、高ESD額定值、上電時無數(shù)字輸入控制時處于已 知狀態(tài))，而且還具有業(yè)界領(lǐng)先的模擬性能。模擬開關(guān)的性 能總是要在低導通電阻和低電容/電荷注入之間進行權(quán)衡。模 擬開關(guān)的選擇通常取決于負載是高阻抗還是低阻抗。

低阻抗系統(tǒng)

低阻抗系統(tǒng)通常采用低導通電阻器件，其中模擬開關(guān)的導通 電阻需要保持在最小值。在電等低阻抗系統(tǒng)中—例如源或增 益級—導通電阻和源阻抗與負載處于并聯(lián)狀態(tài)會引起增益 誤差。雖然許多情況下能夠?qū)υ鲆嬲`差進行校準，但是信號 范圍內(nèi)或通道之間的導通電阻 (RON) 變化所引起的失真就 無法通過校準進行消除。因此，低阻電路更受制于因RON平 坦度和通道間的RON變化所導致的失真誤差。

圖7顯示了一個新型故障保護開關(guān)在信號輸入范圍內(nèi)的導通 電阻特性。除了能夠?qū)崿F(xiàn)極低的導通電阻外，RON平坦度和 通道之間的一致性也非常出色。這些器件采用具有專利技術(shù) 的開關(guān)驅(qū)動器設(shè)計，能夠確保在信號輸入電壓范圍內(nèi)VGS電 壓保持恒定從而導致平坦的RON性能。權(quán)衡就是信號輸入范 圍略有縮小，開關(guān)導通性能實現(xiàn)優(yōu)化，這可從RON圖的形狀 看出。在對RON變化或THD敏感的應(yīng)用中，這種RON性能可使 系統(tǒng)具有明顯的優(yōu)勢。

圖7.故障保護開關(guān)導通電阻

ADG5404F是一款新型的具有防閂鎖、過壓故障保護功能的 多路復用器。與標準器件相比，具有防閂鎖功能和過電壓保 護功能的器件通常具有更高的導通電阻和更差的導通電阻 平坦度。但是，由于ADG5404F設(shè)計中采用了恒定VGS方案， RON平坦度實際上優(yōu)于ADG1404(業(yè)界領(lǐng)先的低導通電阻) 和ADG5404(防閂鎖，但沒有過電壓保護功能)。在很多應(yīng) 用中，例如RTD溫度測量，RON平坦度實際上比導通電阻的 絕對值更重要，因此具有故障保護功能的模擬開關(guān)在此類系 統(tǒng)中具有提高其產(chǎn)品性能的潛力。

低阻抗系統(tǒng)的典型故障模式是在發(fā)生故障時漏極輸出變成 開路。

高阻抗系統(tǒng)

在高阻抗系統(tǒng)通常采用低漏電流、低電容和低電荷注入開 關(guān)。由于多路復用器輸出上的放大器負載，數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)通 常具有高阻抗。