功率器件心得――功率MOSFET心得

功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅動負載，帶載能力要強。

功率MOSFET是較常使用的一類功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。功率MOSFET可分為增強型和耗盡型，按溝道分又可分為N溝道型和P溝道型。

做開關電源，常用功率MOSFET。一般而言，MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導通阻抗;對ORing FET應用來說，RDS(ON)也是最重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以及流經(jīng)開關的電流有關，但對于充分的柵極驅動，RDS(ON)是一個相對靜態(tài)參數(shù)。

若設計人員試圖開發(fā)尺寸最小、成本最低的電源，低導通阻抗更是加倍的重要。在電源設計中，每個電源常常需要多個ORing MOS管并行工作，需要多個器件來把電流傳送給負載。在許多情況下，設計人員必須并聯(lián)MOS管，以有效降低RDS(ON)。在DC電路中，并聯(lián)電阻性負載的等效阻抗小于每個負載單獨的阻抗值。比如，兩個并聯(lián)的2Ω電阻相當于一個1Ω的電阻。因此，一般來說，一個低RDS(ON)值的MOS管，具備大額定電流，就可以讓設計人員把電源中所用MOS管的數(shù)目減至最少。

除了RDS(ON)之外，在MOS管的選擇過程中還有幾個MOS管參數(shù)也對電源設計人員非常重要。許多情況下，設計人員應該密切關注數(shù)據(jù)手冊上的安全工作區(qū)(SOA)曲線，該曲線同時描述了漏極電流和漏源電壓的關系?；旧?，SOA定義了MOSFET能夠安全工作的電源電壓和電流。在ORing FET應用中，首要問題是：在“完全導通狀態(tài)”下FET的電流傳送能力。實際上無需SOA曲線也可以獲得漏極電流值。

做反激的時候常采用IRF540，其VDSS為100V，RDS=0.055歐，ID為22A。MOSFET在關斷瞬間，會承受到最大的電壓沖擊，這個最大電壓跟負載有很大關系：如果是阻性負載，那就是來自VCC端的電壓，但還需要考慮電源本身的質量，如果電源質量不佳，需要在前級加些必要的保護措施;如果是感性負載，那承受的電壓會大不少，因為電感在關斷瞬間會產(chǎn)生感生電動勢(電磁感應定律)，其方向與VCC方向相同(楞次定律)，承受的最大電壓為VCC與感生電動勢之和;如果是變壓器負載的話，在感性負載基礎上還需要再加上漏感引起的感應電動勢。

對于以上幾種負載情況，在計算出(或測出)最大電壓后，再留有20%~30%的裕量，就可以確定所需要的MOSFET的額定電壓VDS值。在這里需要說的是，為了更好的成本和更穩(wěn)定的性能，可以選擇在感性負載上并聯(lián)續(xù)流二極管與電感在關斷時構成續(xù)流回路，釋放掉感生能量來保護MOSFET，如果必要，還可以再加上RC緩沖電路(Snubber)來抑制電壓尖峰。(注意二極管方向不要接反。當然，你也可以直接選擇VDS足夠大的MOSFET，前提是你不care成本。)

額定電壓確定后，電流就可以計算出來了。但這里需要考慮兩個參數(shù)：一個是連續(xù)工作電流值和脈沖電流尖峰值(Spike和Surge)，這兩個參數(shù)決定你應該選多大的額定電流值。

場效應管是根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，功率MOSFET場效應管具有負的電流溫度系 數(shù)，可以避免它工作的熱不穩(wěn)定性和二次擊穿，適合于大功率和大電流工作條件下的應用。功率MOSFET場效應管從驅動模式上看，屬于電壓型驅動控制元件， 驅動電路的設計比較簡單，所需驅動功率很小。采用功率MOSFET場效應作為開關電源中的功率開關，在啟動或穩(wěn)態(tài)工作條件下，功率MOSFET場效應管的峰值電流要比采用雙極型功率晶體管小得多。功率場效應管與雙極型功率晶體管之間的特性比較如下：

1. 驅動方式：場效應管是電壓驅動，電路設計比較簡單，驅動功率小;功率晶體管是電流驅動，設計較復雜，驅動條件選擇困難，驅動條件會影響開關速度。

2. 開關速度：場效應管無少數(shù)載流子存儲效應，溫度影響小，開關工作頻率可達150KHz以上;功率晶體管有少數(shù)載流子存儲時間限制其開關速度，工作頻率一般不超過50KHz。

3. 安全工作區(qū)：功率場效應管無二次擊穿，安全工作區(qū)寬;功率晶體管存在二次擊穿現(xiàn)象，限制了安全工作區(qū)。

4. 導體電壓：功率場效應管屬于高電壓型，導通電壓較高，有正溫度系數(shù);功率晶體管無論耐電壓的高低，導體電壓均較低，具有負溫度系數(shù)。

5. 峰值電流：功率場效應管在開關電源中用做開關時，在啟動和穩(wěn)態(tài)工作時，峰值電流較低;而功率晶體管在啟動和穩(wěn)態(tài)工作時，峰值電流較高。

6. 產(chǎn)品成本：功率場效應管的成本略高;功率晶體管的成本稍低。

7. 熱擊穿效應：功率場效應管無熱擊穿效應;功率晶體管有熱擊穿效應。

8. 開關損耗：場效應管的開關損耗很小;功率晶體管的開關損耗比較大。

另外，功率MOSFET場效應管大多集成有阻尼二極管，而雙極型功率晶體管大多沒有集成阻尼二極管。場效應管內的阻尼二極管可以為開關電源感性線圈提供無功電流通路。所以，當場效應管的源極電位高于漏極時，這個阻尼二極管導通，但在開關電源中不能使用這個阻尼二極管，需要另外并聯(lián)超快速二極管。場效應管內的阻尼二極管在關斷過程中與一般二極管一樣存在反向恢復電流。此時二極管一方面承受著漏-源極之間急劇上升的電壓，另一方面又有反向恢復電流流過。