原來全是套路!三個經(jīng)典的RS-485端口EMC防護方案詳解(下)
上一篇文章中,世健公司為大家?guī)砹?a class="contentlabel" href="http://2s4d.com/news/listbylabel/label/RS-485端口">RS-485端口EMC方案相應(yīng)的規(guī)范要求。這實際上就是保護電路設(shè)計需要達到的目標(biāo)。為了達成這樣的目標(biāo),自有其設(shè)計原則:
本文引用地址:http://2s4d.com/article/201807/384251.htm針對瞬變提供保護,主要有兩種方式:過流保護用于限制峰值電流;過壓保護用于限制峰值電壓。典型的保護方案設(shè)計包括主保護和次級保護。主保護可將大部分瞬變能量從系統(tǒng)轉(zhuǎn)移開,通常位于系統(tǒng)和環(huán)境之間的接口,它能夠?qū)⑺沧冝D(zhuǎn)移到大地,從而移走絕大部分的能量。次級保護的目的是保護系統(tǒng)各個部件,使其免受主保護允許通過的任何瞬變電壓和電流的損壞。次級保護通常更側(cè)重于面向受保護系統(tǒng)的具體部件。它經(jīng)過優(yōu)化,可以確保針對上述殘余瞬變提供保護,同時還允許系統(tǒng)的這些敏感部件正常工作。Excelpoint世健技術(shù)支持部副總監(jiān)Angus Zhao說:“這兩種方式必須確保主設(shè)計和次級設(shè)計能夠一起配合系統(tǒng)輸入/輸出,以便最大限度地降低對受保護電路造成的應(yīng)力。同時在設(shè)計中,一般在主保護器件和次級保護器件之間會有一個協(xié)調(diào)元件,例如電阻或非線性過流保護器件,以確保能夠進行協(xié)調(diào)。”
按照以上的規(guī)范要求和設(shè)計原則,下面我們提供三種不同級別的EMC防護解決方案,這些方案都已經(jīng)經(jīng)過了第三方獨立EMC兼容性測試的認(rèn)證。方案中用到的元器件包括:
ADM3485EARZ 3.3 V RS-485收發(fā)器(ADI)
TVS瞬變電壓抑制器CDSOT23-SM712 (Bourns)
TBU瞬變閉鎖單元TBU-CA065-200-WH (Bourns)
TIST晶閘管浪涌保護器TISP4240M3BJR-S (Bourns)
GDT氣體放電管2038-15-SM-RPLF (Bourns)
方案一
EFT和ESD瞬變的能量級別類似,浪涌波形的能量級別則高出三到四個數(shù)量級。針對ESD和EFT的保護可通過相似的方式完成,針對高級別浪涌的保護解決方案則更為復(fù)雜。第一個解決方案提供四級ESD和EFT和二級浪涌保護。
此解決方案使用Bourns公司的CDSOT23-SM712 TVS陣列,它包括兩個雙向TVS二極管。TVS是基于硅的器件。在正常工作條件下,TVS具有很高的對地阻抗;理想情況下它是開路的。保護方法是將瞬變導(dǎo)致的過壓箝位到電壓限值。這是通PN結(jié)的低阻抗雪崩擊穿實現(xiàn)的。當(dāng)產(chǎn)生大于TVS的擊穿電壓的瞬變電壓時, TVS會將瞬變箝位到小于保護器件的擊穿電壓的預(yù)定水平,只需 1 ns,瞬變電流即可從受保護器件轉(zhuǎn)移至地。
重要的是要確保TVS的擊穿電壓在受保護引腳的正常工作范圍之外。CDSOT23-SM712的獨有特性是具有+13.3 V和–7.5 V的非對稱擊穿電壓,與RS-485芯片ADM3485E的+12 V至–7 V的收發(fā)器共模范圍相匹配,從而提供最佳保護,同時最大限度地減小對RS-485收發(fā)器的過壓應(yīng)力。
圖2:CDSOT23-SM712 TVS特性曲線
圖3:基于TVS陣列的保護方案
方案二
如果要提高浪涌保護級別,保護電路變將得更加復(fù)雜,在方案二中,我們將浪涌保護提高到四級。
在這個方案中,由TVS(CDSOT23-SM712)提供次級保護, TISP(TISP4240M3BJR-S)則提供主保護,主保護器件和次級保護器件之間的協(xié)調(diào)以及過流保護是利用Bourns專利技術(shù)的過流保護器件TBU(TBU-CA065-200-WH)實現(xiàn)的。
圖4:TBU的特性曲線
當(dāng)瞬變能量施加于保護電路時,TVS將會擊穿,通過提供低阻抗的接地路徑來保護器件。由于電壓和電流較高,還必須通過限制通過的電流來保護TVS。這可采用TBU,TBU是一個主動高速過流保護元件可阻擋電流,而不是將其分流至地。作為串聯(lián)元件,它會對通過器件的電流做出反應(yīng),而不是對接口兩端的電壓做出反應(yīng)。TBU是一個高速過流保護元件,具有預(yù)設(shè)電流限值和耐高壓能力。當(dāng)發(fā)生過流,TVS由于瞬變事件擊穿時,TBU中的電流將升至器件設(shè)置的限流水平。此時, TBU會在小于1 μs時間內(nèi)將受保護電路與浪涌斷開。在瞬變的剩余時間內(nèi),TBU保持在受保護阻隔狀態(tài),通過受保護電路的電流非常小(1 mA)。在正常工作條件下,TBU 具有低阻抗,因此它對正常電路工作的影響很小。在阻隔模式下,它具有很高的阻抗以阻隔瞬變能量。在瞬變事件后,TBU自動重置到低阻抗?fàn)顟B(tài),讓系統(tǒng)恢復(fù)正常工作。
圖5:TBU與PTC(保險絲Fuse)之間的差異
與所有過流保護技術(shù)相同,TBU具有最大擊穿電壓,因此主保護器件必須箝位電壓,并將瞬變能量重新引導(dǎo)至地。 這通常使用氣體放電管或固體放電管(晶閘管)TISP等技術(shù)實現(xiàn),例如TISP。TISP充當(dāng)主保護器件,當(dāng)超過其預(yù)定義保護電壓時,它提供瞬變開路低阻抗接地路徑,從而將大部分瞬變能量從系統(tǒng)和其他保護器件轉(zhuǎn)移開。
TISP的非線性電壓-電流特性通過轉(zhuǎn)移產(chǎn)生的電流來限制過壓。作為晶閘管,TISP具有非連續(xù)電壓-電流特性,它是由于高電壓區(qū)和低電壓區(qū)之間的切換動作而導(dǎo)致的。在TISP器件切換到低電壓狀態(tài)之前,它具有低阻抗接地路徑以分流瞬變能量,雪崩擊穿區(qū)域則導(dǎo)致了箝位動作。
圖6:TISP的特性曲線
在限制過壓的過程中,受保護電路短暫暴露在高壓下,因而在切換到低壓保護打開狀態(tài)之前,TISP器件處在擊穿區(qū)域。TBU將保護后端電路,防止由于這種高電壓導(dǎo)致的高電流造成損壞。當(dāng)轉(zhuǎn)移電流降低到臨界值以下時,TISP器件自動重置,以便恢復(fù)正常系統(tǒng)運行。
所有上述三個元件協(xié)同工作,與系統(tǒng)輸入/輸出配 合,一起針對高電壓大電流瞬變?yōu)橄到y(tǒng)提供系統(tǒng)級保護。
圖7:TVS、TBU和TISP協(xié)同工作,提供更高級別保護
方案三
如果保護方案需要應(yīng)對最高6 kV的浪涌瞬變,則需要對方案做些調(diào)整。新方案的工作方式類似于保護方案二;但此電路采用氣體放電管(GDT) 取代TISP來保護TBU,從而保護次級保護器件TVS。相對于TISP,GDT采用氣體放電原理,可針對更大的過壓和過流應(yīng)力提供保護。TISP的額定電流是220 A,GDT的額定電流則是5 kA(按單位導(dǎo)體計算)。
圖8:GDT的特性曲線
GDT主要用作主保護器件,提供低阻抗接地路徑以防止過壓瞬變。當(dāng)瞬變電壓達到GDT火花放電電壓時,GDT將從高阻抗關(guān)閉狀態(tài)切換到電弧模式。在電弧模式下,GDT成為虛擬短路,提供瞬變開路電流接地泄放路徑,將瞬變沖擊電流從受保護器件上轉(zhuǎn)移開。
圖9:用TVS、TBU、GDT協(xié)同工作,可以耐受更大的過壓和過流應(yīng)力
Excelpoint世健公司技術(shù)支持部副總監(jiān)Angus Zhao總結(jié)到:RS-485端口的EMC方案自有套路,了解了保護需要遵循的規(guī)范,熟悉電路保護器件的特性,做出合規(guī)的設(shè)計并不難。
圖10:三個RS485端口的EMC方案保護級別比較
最后,世健公司還介紹了兩個經(jīng)典實用的RS-485端口保護方案,可以通過IEC6100-4-2 ESD, IEC61000-4-4 EFT, IEC61000-4-5 Surge 4級以上EMS安規(guī)測試。
方案一:采用3極GDT+TBU+TVS架構(gòu)方案
方案二:采用2極GDT+TBU+TVS架構(gòu)方案
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