關(guān)于DC/DC電源和EMI的討論

DC/DC的噪聲的影響三個參數(shù)主要為：占空比Duty；開關(guān)頻率Fs；上升時間Tr。其中開關(guān)頻率的影響其實(shí)很大，不僅僅是EMC的效果，在不同的案子里面可以得到不同的影響關(guān)系。

1）DCDC噪聲源特性

DCDC的噪聲的影響三個參數(shù)主要為:

占空比Duty：占空比上升導(dǎo)致噪聲幅度上升

開關(guān)頻率Fs：是的噪聲衰減變在頻譜上延伸了，開關(guān)頻率一般我們可以分為幾個大類

20～100Khz：電感較大引起的成本、尺寸基本讓低頻設(shè)計(jì)慢慢不是一種選擇。

100～550Khz：主要的選擇選擇

開關(guān)頻率主要對電感大小、效率、RE/CE的特性影響比較大

上升時間Tr

備注：開關(guān)頻率的影響其實(shí)很大，不僅僅是EMC的效果，在不同的案子里面可以得到不同的影響關(guān)系，如《Choosing the opTImum switching frequency of your DC/DC converter》所示：

2）如下面的案子所示

2.1）這是一個典型的BuckBoost的電源電路，沒有病必需要過CISPR25 Class 3

2.2 初測結(jié)果

2.3 整改措施

2.3.1 原理分析

兩個開關(guān)環(huán)路中含有非連續(xù)的大電流環(huán)路是最主要的噪聲源

增加Vin和Vss電容可以減少高頻環(huán)路的電流

2.3.2 頻率選擇

噪聲分量和電流大小，環(huán)路面積和頻率成正比，和距離成反比

以下依次為不同頻率的效果對比（120、240和400Khz），深紫色為抖頻的效果

2.3.2 開關(guān)速度的優(yōu)化

2.3.3 布局優(yōu)化影響

在布局上盡可能將C14（Vin-Vss電容）放在續(xù)流二極管和MOSFET邊上減少高頻環(huán)路面積

以下是實(shí)物照片

補(bǔ)充一些相關(guān)的材料，除開芯片廠家的努力，我們能加入的設(shè)計(jì)手段主要包括：

1）輸入濾波優(yōu)化

RSIL filter 5μH 100nF 50Ω

2）輸出濾波優(yōu)化

3）Snubber電路

小結(jié)：

1）感謝建宇兄的案例總結(jié)，我們可以定量和定性的看這些參數(shù)的選擇對實(shí)際試驗(yàn)的結(jié)果

2）這個的設(shè)計(jì)，需要打通原理、計(jì)算、功能試驗(yàn)和實(shí)際驗(yàn)證的環(huán)路