[ARM筆記]存儲(chǔ)控制器的寄存器使用方法

　　存儲(chǔ)器共有13個(gè)寄存器，BANK0~BANK5只需要設(shè)置BWSCON和BANKCONx(x為0~5)兩個(gè)寄存器;BANK6、BANK7外接SDRAM時(shí)，除了BWSCON和BANKCONx(x為6、7)外，還要設(shè)置REFRESH、BANKSIZE、MRSRB6、MRSRB7等4個(gè)寄存器。下面分類說明(“[y:x]”表示占據(jù)了寄存器的位x、x+1、……、y)：

　　1. 位寬和等待控制寄存器BWSCON(Bus Width & Wait Status Control Register)

　　BWSCON中每4位控制一個(gè)BANK，最高4位對(duì)應(yīng)BANK7、接下來4位對(duì)應(yīng)BANK6，依此類推。

　　(1)STx：?jiǎn)?dòng)/禁止SDRAM的數(shù)據(jù)掩碼引腳，對(duì)于SDRAM，此位為0;對(duì)于SRAM，此位為1。Determine SRAM for using UB/LB for bank x， 0 = Not using UB/LB (The pins are dedicated nWBE[3:0])1 = Using UB/LB (The pins are dedicated nBE[3:0])。

　　(2)WSx：是否使用存儲(chǔ)器的WAIT信號(hào)，通常設(shè)為0。Determine WAIT status for bank x， 0 = WAIT disable 1 = WAIT enable。

　　(3)DWx：使用兩位來設(shè)置相應(yīng)BANK的位寬，0b00對(duì)應(yīng)8位，0b01對(duì)應(yīng)16位，0b10對(duì)應(yīng)32位，0b11表示保留。

　　比較特殊的是BANK0，它沒有ST0和WS0，DW0([2:1])只讀——由硬件跳線來決定：0b01表示16位，0b10表示32位，BANK0只支持16、32兩種位寬。The states are selected by OM[1:0] pins。

　　2. BANK控制寄存器BANKCONx(BANK CONTROL REGISTER,x為0~5,(BANKCONx: nGCS0-nGCS5))

　　這幾個(gè)寄存器用來控制BANK0~BANK5外接設(shè)備的訪問時(shí)序，一般使用默認(rèn)的0x0700即可。

　　3. BANK控制寄存器BANKCONx(BANK CONTROL REGISTER,x為6~7,(BANKCONx: nGCS6-nGCS7))

　　在8個(gè)BANK中，只有BANK6和BANK7可以外接SRAM和SDRAM，所以BANKCON6~BANKCON7與BANKCON0~BANKCON5有點(diǎn)不同。

　　MT([16:15])Determine the memory type for bank6 and bank7。00 = ROM or SRAM，01 = Reserved (Do not use)，10 = Reserved(Do not use)，11 = Sync. DRAM。

　　當(dāng)MT=0b00時(shí)，此寄存器與BANKCON0~BANKCON5類似，不再贅述。

　　當(dāng)MT=0b11時(shí)，此寄存器其他值設(shè)置如下。

　　Trcd([3:2])：RAS to CAS delay，設(shè)為推薦值0b01。

　　SCAN([1:0])：SDRAM的列地址位數(shù)，00 = 8-bit;01 = 9-bit;10= 10-bit

　　4. 刷新控制寄存器REFRESH(REFRESH CONTROL REGISTER):設(shè)為0x008C0000+R_CNT

　　(1)REFEN([23]):0=禁止SDRAM的刷新功能，1=開啟SDRAM的刷新功能。

　　(2)TREFMD([22]):SDRAM的刷新模式，0=Auto Refresh，1=Self Refresh(一般在系統(tǒng)休眠時(shí)使用)。

　　(3)Trp([21:20]):設(shè)為0即可。

　　(4)Tsrc([19:18]):設(shè)為默認(rèn)值0b11即可。

　　(5)Refresh Counter([10:0])：即上述的R_CNT，可按如下方式計(jì)算(SDRAM時(shí)鐘頻率就是HCLK)：

　　R_CNT=2^11+1-SDRAM時(shí)鐘頻率(MHz)*SDRAM刷新頻率(us)

　　Refresh period = (211-refresh_count+1)/HCLK

　　SDRAM的刷新周期在SDRAM的數(shù)據(jù)手冊(cè)上有標(biāo)明，例如HY57V561620B的數(shù)據(jù)手冊(cè)上有這么一句話“8192 refresh cycles / 64ms”。所以，刷新周期=64ms/8192=7.8125us。

　　在未使用PLL時(shí)，SDRAM時(shí)鐘頻率等于晶振的12MHz。

　　現(xiàn)在可以計(jì)算：R_CNT=2^11+1-12*7.8125=1955

　　所以，在未使用PLL時(shí)，REFRESH=0x008C0000+1955=0x008C07A3。

　　5. BANKSIZE寄存器REFRESH(BANKSIZE REGISTER)

　　(1)BURST_EN([7])

　　0=ARM核禁止突發(fā)傳輸，1=ARM核支持突發(fā)傳輸。

　　(2)SCKE_EN([5])

　　0=不使用SCKE信號(hào)SDRAM進(jìn)入省電模式，1=使用SCKE信號(hào)令SDRAM進(jìn)入省電模式。

　　(3)SCLK_EN([4])

　　0=時(shí)刻發(fā)出SCLK信號(hào)，1=僅在訪問SDRAM期間發(fā)出SCLK信號(hào)(推薦)。

　　(4)BK76MAP([2:0])

　　設(shè)置BANK7/6的大小。BANK0~5的地址空間大小都是固定的128MB，地址范圍是(x*128M)到(x+1)*128-1，x表示0到5。BANK6/7的大小是可變的，以保持這兩個(gè)地址的連續(xù)，即BANK7的起始地址會(huì)隨它們的大小變化。BK76MAP的取值意義如下：

　　010 = 128MB/128MB;001 = 64MB/64MB;000 = 32M/32M;111 = 16M/16M;110 = 8M/8M;101 = 4M/4M;100 = 2M/2M

　　6. SDRAM模式設(shè)置寄存器MRSRBx(SDRAM MODE REGISTER SET REGISTER，x為6~7)

　　能修改的只有位CL([6:4])，這是SDRAM時(shí)序的一個(gè)時(shí)間參數(shù)：

　　CAS latency 000 = 1 clock, 010 = 2 clocks, 011=3 clocks