特種機器人的低電壓大功率電機驅(qū)動系統(tǒng)設(shè)計

現(xiàn)階段電氣系統(tǒng)抗核輻射的主要途徑是使用鉛屏蔽層將控制系統(tǒng)完全包裹起來,以達到屏蔽效果，通常鉛屏蔽層厚度約為7 cm?？紤]到使用該方式對其進行抗核輻射加固會導(dǎo)致機器人體積龐大且笨重，所以很有必要設(shè)計一款適用于核輻射應(yīng)急處理機器人的底盤電機驅(qū)動系統(tǒng)。
參考文獻[1]設(shè)計了一款輸出功率可達9 kW的電機驅(qū)動器，但該驅(qū)動器使用了28 V/125 V DC-DC變換器，使得驅(qū)動器體積非常龐大，不適用于核應(yīng)急處理機器人的底盤電機驅(qū)動。參考文獻[2]和參考文獻[3]均設(shè)計了一種輸出電壓為24 V、電流為10 A的驅(qū)動器，由于其輸出功率過小，顯然也都不能用于核應(yīng)急處理機器人的底盤電機驅(qū)動。
針對上述問題，本文提出一種使用IR2184驅(qū)動且由并聯(lián)MOS管搭建的H橋大電流電機驅(qū)動設(shè)計方案。本文針對驅(qū)動中的尖峰問題設(shè)計RCD吸收回路，并針對MOS并聯(lián)中的局部過流問題設(shè)計均流保護電路，從而保證驅(qū)動器能可靠穩(wěn)定地工作。
1 系統(tǒng)方案設(shè)計
本設(shè)計需要驅(qū)動的特種機器人重約850 kg，所以要求底盤電機的輸出功率約為1 200 W，因此底盤電機驅(qū)動器的輸出功率至少應(yīng)為1 500 W。機器人只能由自身攜帶的電池供電，并且要求其機動性強、體積小，所以設(shè)計中需使用24 V電池為驅(qū)動供電。根據(jù)1.5倍峰值電流的標(biāo)準(zhǔn)[1]，本文需設(shè)計一個輸出電壓為24 V、輸出電流最大為100 A的驅(qū)動器。
驅(qū)動器的整體框圖如圖1所示，包括STM32最小系統(tǒng)、串口模塊、DC-DC隔離電源模塊、狀態(tài)指示模塊、電機驅(qū)動電路和RCD吸收電路。

2 硬件電路設(shè)計
本設(shè)計以STM32為控制核心，產(chǎn)生PWM波控制柵極驅(qū)動芯片IR2184，進而驅(qū)動由NMOS并聯(lián)搭建的H橋。同時本設(shè)計使用RCD吸收電路吸收電機啟停中的尖峰，均流保護電路使得并聯(lián)MOS管間的電流盡量均衡。
2.1 驅(qū)動電路設(shè)計
在H橋中，要使NMOS管完全導(dǎo)通，要求VGS>10 V。對于下橋臂，直接加10 V以上的電壓就可使NMOS導(dǎo)通；但對上橋臂，要使NMOS導(dǎo)通，就必須滿足VG>VSS+10 V。因此必須使用浮動?xùn)艠O驅(qū)動，才能使得上橋臂導(dǎo)通。柵極驅(qū)動芯片IR2184是懸浮柵極驅(qū)動芯片，具有自動死區(qū)時間控制，所以本設(shè)計使用其作為NMOS的驅(qū)動芯片。
圖2是IR2184的自舉驅(qū)動電路，由2片IR2184驅(qū)動一個由IRFP3206構(gòu)成的H橋電路，實現(xiàn)對電機的正反轉(zhuǎn)控制。其中，PWM1、PWM2是STM32產(chǎn)生的PWM經(jīng)光耦隔離之后用來進行電機速度控制的信號；D1~D4為泄放二極管，作用是在沒有柵極驅(qū)動信號時迅速泄放掉輸入電容中的電荷；D5~D8為12 V的穩(wěn)壓二極管，用作鉗位，以確保VGS電壓正常，進而保證MOS管驅(qū)動正常；D11~D14為續(xù)流二極管，用于增加MOS管的續(xù)流能力；R9~R12為下拉電阻；C3~C6為電源濾波電容，用于維持IR2184電源的穩(wěn)定。

C1、C2為自舉電容，D9、D10為自舉二極管。參數(shù)選擇如下[4]：
(1)自舉電容的電容值選取
在本設(shè)計中，自舉電容的容量由式(2)決定，根據(jù)IRFP3206的數(shù)據(jù)手冊知，Qg=170 nC，IGSS=100 nA。同時在本設(shè)計中VCC=12 V，Vf=1.3 V，VLS=0.7 V，QIS=5 nC，f=1 kHz，于是C1、C2的最小值為1.2 μF，故本設(shè)計中使用

2.2 RCD吸收電路
在驅(qū)動的實際測試過程中發(fā)現(xiàn)，在電機啟停時，驅(qū)動器輸出端有較大沖擊電壓，有時甚至高達60 V，這個電壓可能將MOS管擊穿，所以必須使用RCD吸收電路來濾除尖峰。在如圖3所示的電路(省略驅(qū)動電路)中，將RCD吸收電路并聯(lián)在MOS管的漏極和源極之間，以保證驅(qū)動器更加穩(wěn)定可靠地工作。

為避免由反向恢復(fù)引起震蕩而產(chǎn)生的過電壓，吸收電路中的二極管DA應(yīng)該選擇正向?qū)妷旱?、反向恢?fù)時間短的二極管，在本設(shè)計中使用SS24。
2.3 MOS管并聯(lián)設(shè)計
所有并聯(lián)的MOS管導(dǎo)通時的管壓降是相同的，必然是飽和電壓小的MOS管先流過較大的電流。由于功率MOS管的通態(tài)電阻RDS(on)具有正溫度系數(shù)，因此，從原理上講，MOS管具有電流自動均衡分配的特性，是很適合并聯(lián)的[6]。
圖4所示為MOS管并聯(lián)示意圖（忽略2184驅(qū)動和RCD吸收電路），在本設(shè)計中采用3個MOS管并聯(lián)的方式驅(qū)動電機。為抑制柵極震蕩，每個MOS管都使用獨立的柵極電阻；為保證各并聯(lián)MOS盡可能地?zé)狁詈?，并?lián)的MOS安裝在同一片散熱片上；為保證MOS管并聯(lián)驅(qū)動效果，MOS管盡量選擇性能接近的同一批次MOS管。

多管并聯(lián)的理想情況是并聯(lián)的MOS管同時通斷，如果電流分配不均，導(dǎo)致管壓降小的MOS流過的電流過大，其必然會被燒毀，其他MOS管也難以幸免。為了保證并聯(lián)MOS管間盡可能均流，在本設(shè)計中采用對每個MOS管單獨限流的方式來限制其流過的電流[6]。如圖4所示的電路，在每個MOS管組中串聯(lián)電流檢測用的錳銅采樣電阻R10、R20、R30，其電阻值為2 mΩ，經(jīng)線性光耦模塊后將AD1、AD3、AD5接到STM32單片機的AD引腳上，用作電流反饋。在本設(shè)計中，采用3個MOS管并聯(lián)，最終驅(qū)動器的最大驅(qū)動電流為100 A，由式(6)可算得每個MOS管的電流保護點Ip=43 A。

在如圖4所示的電路中，如果HO輸入一定占空比PWM信號后，Q1、Q5、Q9都導(dǎo)通，而且流過每個MOS管的電流都在Ip范圍內(nèi)。此時增加PWM的占空比，假設(shè)此時流過Q5的電流已超過Ip范圍，則會產(chǎn)生過流信號限制PWM的繼續(xù)增加，由于MOS管的自動均流特性，Q1、Q9的電流會增加，同時Q5的電流減小，小于Ip電流保護點，則過流信號消失，PWM的占空比就可以繼續(xù)增加。以后一直重復(fù)以上過程，直到達到新的電流平衡為止，最終實現(xiàn)驅(qū)動器輸出電流為100 A的目的。
3 實驗驗證
(1)RCD吸收電路驗證
如圖5所示，在沒有RCD吸收電路時，隨著PWM占空比的增加，尖峰電壓迅速增加；使用RCD吸收電路后，尖峰電壓沒有明顯變化。實驗表明，本文設(shè)計的RCD吸收電路能基本吸收尖峰電壓，并將其控制在30 V以下，這樣對MOS管的沖擊較小，MOS管能更穩(wěn)定地工作。

(2)驅(qū)動器輸出特性驗證
為了測試驅(qū)動器的實際輸出性能，本文選用淄博惠康微電機公司生產(chǎn)的J130ZYT66PX36A3直流力矩電機進行了實際測試。如圖6所示，本文設(shè)計的驅(qū)動器在水泥場地上輸出的最大電流已超過100 A，且MOS管溫升不明顯。

本文使用RCD吸收回路削弱了電機啟停過程中產(chǎn)生的尖峰，將尖峰控制在30 V以下；同時使用均流保護電路很好地解決了并聯(lián)MOS管局部過流的問題，從而達到了驅(qū)動電壓為24 V時，持續(xù)驅(qū)動電流達100 A的目的。實驗表明，本文提出的使用IR2184驅(qū)動由并聯(lián)MOS管搭建的H橋的設(shè)計實現(xiàn)了對項目中核應(yīng)急處理機器人的穩(wěn)定可靠控制。
參考文獻
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[2] 余曉填，楊曦，陳安.基于移動機器人直流電機驅(qū)動電路的設(shè)計與應(yīng)用[J].微電機，2011，44(11)：37-38．
[3] 陳曦，隋龍.低電壓大功率直流電機驅(qū)動器[J].電機控制與應(yīng)用，2009，36(12)：10-13.
[4] International Rectifier.應(yīng)用指南AN-978“高壓懸浮門驅(qū)動IC”[EB/OL].(2013)[2013].http：//www.irf.com/technical-in-fo/appnotes/an-978c.pdf.
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