全球首個無半導(dǎo)體的微電子器件問世 導(dǎo)電性能增加10倍
近日,加利福尼亞大學(xué)圣地亞哥分校(University of California San Diego)的工程師利用超材料(metamaterials)研發(fā)出世界上首個無半導(dǎo)體的光控微電子器件,該電子器件僅在低電壓、低功率激光的激發(fā)下,導(dǎo)電性能相比傳統(tǒng)增加10倍。該技術(shù)有利于制造更快、更高功率的微電子器件,并有望制造更高效的太陽能電池板。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/201611/340267.htm該研究發(fā)表于11月4日的國際期刊《Nature Communications》。
無半導(dǎo)體電子器件。圖片來源:UCSan Diego Applied Electromagnetics Group
現(xiàn)有的傳統(tǒng)微電子器件,如晶體管等,其性能最終都會受到其構(gòu)成材料性能的限制。例如,半導(dǎo)體本身的性質(zhì)限制了器件的導(dǎo)電性或電子流。因為半導(dǎo)體有所謂的帶隙,這就意味著需要施加一定的外部能量來促使電子躍過帶隙。此外,電子速度也是有限制的,因為當(dāng)電子通過半導(dǎo)體時,總是會與半導(dǎo)體內(nèi)部的原子發(fā)生相互碰撞。
UC San Diego電氣工程學(xué)教授丹·西文皮珀(Dan Sievenpiper)帶領(lǐng)的應(yīng)用電磁學(xué)小組(AppliedElectromagnetics Group)探索了利用空間自由電子替代半導(dǎo)體的方法來克服傳統(tǒng)電子器件的局限性。該研究的第一作者易卜拉辛·佛拉狄(EbrahimForati)說:“并且,我們希望在微觀上實現(xiàn)。“
然而,從材料中釋放電子的過程很有挑戰(zhàn)性。這個過程要么需要施加高電壓(至少100伏特)以及大功率紫外激光,要么需要極高的溫度(超過1000華氏溫度),這在微米和納米級的電子器件上是不切實際的。
無半導(dǎo)體微電子器件(左上)及其上的Au超穎表面(右上,下)的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。圖片來源:UC San Diego Applied Electromagnetics Group
為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn),西文皮珀團(tuán)隊設(shè)計了一個可以從材料中釋放電子的光電放射微型器件,并且釋放條件并沒那么苛刻。
該器件由硅片基底、二氧化硅隔層以及頂部一層稱為“超穎表面”(metasurface)的工程表面組成。超穎表面由平行的條狀A(yù)u(金)陣列以及其上的蘑菇狀A(yù)u納米結(jié)構(gòu)陣列組成。
Au超穎表面的設(shè)計目的是,當(dāng)同時施加直流低電壓(低于10伏特)以及低功率紅外激光時,超穎表面會產(chǎn)生具有高強(qiáng)度電場的“熱點”(hot spots),這些“熱點”的能量足以將電子從金屬中“拉”出來,從而釋放自由電子。
器件測試結(jié)果顯示,其導(dǎo)電率增強(qiáng)了10倍之多。易卜拉辛說:“這意味著可以操控更多的自由電子”。
西文皮珀說: “當(dāng)然,這并不會取代所有的半導(dǎo)體器件,但是對于某些特定應(yīng)用來說,這可能是最佳方案,比如高頻率或高功率器件等。”
研究者稱,目前這個特殊的Au超穎表面只是概念驗證性設(shè)計,針對不同類型的微電子器件,還需要進(jìn)行不同超穎表面的設(shè)計及優(yōu)化。研究者稱,下一步還需了解這些器件的擴(kuò)展性以及其性能的局限性。”
除了電子器件應(yīng)用方面,該團(tuán)隊還在探索這項技術(shù)的其他應(yīng)用,例如光化學(xué),光催化等,以期能夠?qū)崿F(xiàn)新型光伏器件或環(huán)境應(yīng)用器件。
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