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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 微電子器件

美國開發(fā)出不依賴半導體的微電子器件

  • 　　美國加州大學圣地亞哥分校的一個研究團隊開發(fā)出一款基于納米結(jié)構(gòu)的、不依賴半導體傳導的光控微電子器件，在低電壓和低功率激光激發(fā)的條件下可將電導率比現(xiàn)有半導體器件提高近10倍。這一成果發(fā)表在11月4日的《自然·通訊》雜志上。 　　傳統(tǒng)的半導體器件受到材料本身的限制，在頻率、功耗等方面存在極限，而利用自由電子替代半導體材料通常需要高電壓、大功率激光或高溫激發(fā)。該團隊在硅片上用金加工出一種類似蘑菇形狀的納米結(jié)構(gòu)(稱為“超材料”結(jié)構(gòu))，在10伏以下的直流電壓和低功率紅外激光
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全球首個無半導體的微電子器件問世 導電性能增加10倍

  • 　　近日，加利福尼亞大學圣地亞哥分校(University of California San Diego)的工程師利用超材料(metamaterials)研發(fā)出世界上首個無半導體的光控微電子器件，該電子器件僅在低電壓、低功率激光的激發(fā)下，導電性能相比傳統(tǒng)增加10倍。該技術(shù)有利于制造更快、更高功率的微電子器件，并有望制造更高效的太陽能電池板。 　　該研究發(fā)表于11月4日的國際期刊《Nature Communications》。 　　無半導體電子器件。圖片來源：UCSan Diego Applied
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復旦研制新型微電子器件半浮柵晶體管 有望提速CPU

  • 　　復旦大學微電子學院副院長、國家02重大專項總體組專家張衛(wèi)教授領(lǐng)銜的科研團隊研制出一種新型的微電子器件——半浮柵晶體管(SFGT)，可讓數(shù)據(jù)擦寫更容易、速度更快，操作電壓更低，為設(shè)計低功耗芯片奠定了基礎(chǔ)。相關(guān)研究成果刊登于8月8日出版的《科學》雜志上。這是我國科學家在該雜志上發(fā)表的第一篇微電子器件方面的論文。 　　據(jù)介紹，張衛(wèi)教授團隊長期從事集成電路工藝和半導體器件的研究。這一成果被業(yè)內(nèi)學者稱為將可能改變近年來IT業(yè)界所擔憂的問題:技術(shù)的發(fā)展將使摩爾定律達到極限無法再突破。這也
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微電子器件介紹

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