5G和軍工雙輪驅動化合物半導體業(yè)爆發(fā)

　　2015 年，平均每臺手機應用到的頻段數量為 9.15 個，相對 2011 年的 4.18 個翻了一倍多。我們預計到 2020 年，平均每臺手機應用到頻段數將達到 16.44 個。同時，對應智能手機射頻前端總價格在 9 美元左右，到 2020 年射頻前端價值將增至 16 美元。

　　2G-3G-4G 手機單機 PA 價值量增長迅速。 一個 2G 手機單機 PA 價值量為 0.3 美元;3G 手機單價價值量為 1.25美元，普通 4G手機單機 PA價值量為 2美元，而全頻 4G 手機單價價值量高達 3.25 美元，手機更新換代帶動 PA價值量迅速增長。

　　在 PA領域，一直存在硅基 CMOS PA與砷化鎵 PA之爭。2013年上半年高通推出 CMOS 功率放大器解決方案開始打入低端智能手機供應鏈，但是由于硅材料物理性能限制，無法應用于高頻領域。因此，雖然硅材料較砷化鎵有成本優(yōu)勢，但是，高端市場并不會受到影響，砷化鎵材料在功率放大器市場仍有 85%的市占率。

　　根據全球市場研究機構 TrendForce 報告顯示，2015 年全球智能手機出貨量為 12.93 億部，年增長 10.3%，其中來自中國地區(qū)的手機品牌合計出貨量高達 5.39 億部，占全球比重超過四成;對應的 2015 年全球射頻前端市場為 116 億美元，我們按照 2020 年全球手機出貨量 20億臺計算，對應的全球射頻前端市場為 320億美元。2015 年度全球手機砷化鎵元件需求接近 135 億顆，國內手機砷化鎵元件市場需求量超過 49億顆。未來隨著 4G 手機滲透率不斷提升，手機用砷化鎵元件還將不斷增長;而隨著 2020年之后 5G 的普及，手機用砷化鎵元件市場需求還將繼續(xù)提升。

　　3.1.2. 國外 IDM 廠商搶占砷化鎵半導體市場先機

　　砷化鎵半導體的制造流程與硅相似，從上游材料、IC 設計、晶圓代工到封裝測試，完成砷化鎵半導體制造的全部產業(yè)鏈。與硅材料大規(guī)模集成電路制造不同，砷化鎵微波功率半導體多為分立器件，制造工藝相對簡單。另一方面，由于材料性能差異大，晶圓制造的設備及工藝與硅有極大的不同，主要難點在外延片的生產，通過拉單晶形成GaAs晶棒，然后通過復雜工藝形成 GaAs晶圓，在MOCVD 設備中長成GaAs外延片晶圓。

　　砷化鎵半導體產業(yè)參與者多為國外 IDM廠商。據 Strategy Analytics 統(tǒng)計，2014 年全球 GaAs 元器件市場總產值為 74.3 億美元，其中 Skyworks、 Qorvo (2014 年由 RFMD 和 TriQuint 合并而來)、 Avago 三大 IDM 廠商占據 GaAs 元器件市場達到 63.50%。而占據總市場規(guī)模 4.4%的純代工企業(yè)穩(wěn)懋即占據了 GaAs 元器件市場代工市場近 60%的份額。砷化鎵材料現在正處于發(fā)展階段，目前全球砷化鎵微波功率半導體領域參與者數量遠遠小于硅，市場分布較為均衡。IDM廠商毛利率達40%，RFMD(Qorvo)為原諾基亞PA 供貨商，毛利率低于同行業(yè)平均水平。