SDRAM在windows CE系統(tǒng)中的應用

作者：時間：2016-10-08 來源：網(wǎng)絡

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(1)頻率設置

完成寄存器的復值，其中r3的選擇為F即就是0x1111，打開4片內(nèi)存區(qū)域。

(3) 刷新間隔設置。關(guān)于刷新間隔值(DIR)的計算在手冊中是這樣給出的：

目前公認的標準是，存儲體中電容的數(shù)據(jù)有效保存期上限是64 ms，也就是說每一行刷新的循環(huán)周期是64 ms。這樣刷新速度為：64 ms/行數(shù)量。由于行地址有13位(在MDCNFG寄存器的DRACO[1：0]中設置，需要與硬件一致)，所以每行的的刷新時間為64 ms/213=64 ms/8 192=7.812 5/μs，則7.812 5μs×100 MHz/32=0x18，這樣就得到了系統(tǒng)的DRI值。

(4) 潛伏期的設置。潛伏期是指SDRAM在讀寫過程中所存在的延遲，潛伏期的時間長度是由以下幾個參數(shù)共同決定的：

CL：在選定列地址后，就已經(jīng)確定了具體的存儲單元，剩下的事情就是數(shù)據(jù)通過數(shù)據(jù)I/O通道(數(shù)據(jù)總線)輸出到內(nèi)存總線上。但是在CAS發(fā)出之后，仍要經(jīng)過一定的時間才能有數(shù)據(jù)輸出，從CAS與讀取命令發(fā)出到第一筆數(shù)據(jù)輸出的這段時間被稱為讀取潛伏期。tRP：在發(fā)出預充電命令之后，要經(jīng)過一段時間才能允許發(fā)送行有效命令打開新的工作行，這個間隔被稱為預充電有效周期(Precharge command Period)。tRCD：在發(fā)送列讀寫命令時必須要與行有效命令有一個間隔，這個間隔被定義為tRCD，即RAS to CASDelay(RAS至CAS延遲)，也可以理解為行選通周期。tRAS：行有效至預充電命令間隔周期。tRC：包括行單元開啟和行單元刷新在內(nèi)的整個過程所需要的時間。

所有參數(shù)可以從SDRAM數(shù)據(jù)手冊得到，計算出理論潛伏期時長為200/μs。

(5)其他設置

設置操作系統(tǒng)的入口點，這里用到的虛擬地址需要與系統(tǒng)中建立的映射表相對應。

3.2 BSP內(nèi)代碼的實現(xiàn)

Windows cE系統(tǒng)啟動中，對SDRAM的操作分為兩個部分：首先對SDRAM的物理空間進行分配;其次將SDRAM所對應的物理地址轉(zhuǎn)換為虛擬地址。

3.2.1 地址的分配

地址的分配和系統(tǒng)加載的順序有著密切的關(guān)系。首先要在內(nèi)存中開辟一段空間用來存放啟動代碼BootLoader，它被存放在sDRAM的第一個區(qū)域空間內(nèi)。當發(fā)生外部復位中斷時系統(tǒng)會從這里重新開始運行。其次分配操作系統(tǒng)內(nèi)核空間，它被存放在SDRAM的第二個區(qū)域，以便使BootLoader能夠順利加載操作系統(tǒng)內(nèi)核。分配地址空間根據(jù)所建立系統(tǒng)內(nèi)核來確定。剩余的內(nèi)存空間用來存放系統(tǒng)下的應用程序。

3.2.2 地址的映射

在操作系統(tǒng)中，需要把SDRAM的空間連續(xù)起來并作為首地址，不僅方便內(nèi)存管理，而且當應用程序申請大塊內(nèi)存時，操作系統(tǒng)內(nèi)核也可方便的分配。這就引入了將不連續(xù)的物理地址空間映射為連續(xù)的虛擬地址空間。PXA255的SDRAM起始物理地址OxA0000000，可將其映射為0x80000000，這里0x80000000將作為系統(tǒng)虛擬空間的起始地址，當有IRQ中斷發(fā)生時，系統(tǒng)PC指針會重新指向這個地址。需要注意的是這里分配的虛擬地址要與啟動代碼中BootLoader中所使用的虛擬地址對應起來。