中芯國際進軍RRAM存儲 蠶食三星40nm產(chǎn)能

　　近日，中國內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進的集成電路晶圓代工企業(yè)中芯國際(SMIC)，與阻變式存儲器(RRAM)技術(shù)領(lǐng)導者Crossbar，共同宣布雙方就非易失性RRAM開發(fā)與制造達成戰(zhàn)略合作協(xié)議。

　　作為雙方合作的一部分，中芯國際與Crossbar已簽訂一份代工協(xié)議，基于中芯國際40納米CMOS制造工藝，提供阻變式存儲器組件。這將幫助客戶將低延時、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲器組件整合入MCU及SoC等器件，以應(yīng)對物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、平板電腦、消費電子、工業(yè)及汽車電子市場需求。

　　中芯國際曾發(fā)展過130nm到65nm制程的NOR閃存，2014年自主研發(fā)的38nm制程取得突破，繼而轉(zhuǎn)向更加先進的NAND閃存，將使用40nm工藝代工PRAM阻變式存儲器芯片，意味著中芯國際已經(jīng)進入了下一代內(nèi)存產(chǎn)業(yè)。

　　RRAM元件能夠集成到標準的CMOS邏輯工藝當中，在標準CMOS晶圓的兩條金屬線之間。這將促成高度集成的非易失性存儲器解決方案的實現(xiàn)，將片上非易失性存儲器、處理器核、模擬及射頻集成在一個單獨的芯片上。

　　高度集成的MCU及SoC設(shè)計廠商需要非易失性存儲器技術(shù)，Crossbar的RRAM CMOS兼容性及對更小工藝尺寸的可擴展性使非易失性存儲器組件在更低工藝節(jié)點的MCU和SoC中集成成為可能。

　　中芯國際能夠幫助Crossbar攤薄芯片成本，縮短入市時間。

　　目前，中國半導體政策目前主攻存儲器產(chǎn)業(yè)，2015年以來也透過不斷并購相關(guān)供應(yīng)鏈來加快成長腳步，晶圓產(chǎn)能擴充積極。中國半導體政策持續(xù)帶給三星存儲器部門一定的競爭壓力，勢必分散三星在晶圓代工產(chǎn)業(yè)的專注度。