三星和臺積電偷笑：就算Intel技術(shù)牛又奈我何？

　　代工廠一直在進步

　　不可否認，在芯片制造業(yè)，各大代工廠尤其是三星和臺積電的進步非常之大，并且正在加快步伐縮減與英特爾的技術(shù)差距，盡管英特爾長期處于領(lǐng)先，但當前十分需要將差距拉開更大。

　　我們不清楚英特爾是否是缺乏競爭壓力，但在移動領(lǐng)域，三星14納米FinFET、臺積電16納米FinFET兩大工藝的競爭可謂空前慘烈，從合伙代工蘋果A9，到爭搶各路訂單，殺得好不熱鬧。更重要的是，兩大代工廠已經(jīng)做好了部署全新工藝制程的準備，不止是第二版，還包括第三版。

　　例如說，臺積電第一代是標準的16納米FinFET工藝，之后推出的第二代FinFET Plus(FF+)增強版已經(jīng)部署。至于下一代FinFET Compact(FFC)也已經(jīng)完成了設計研發(fā)，并確定本季度就可以投入量產(chǎn)，提前了大半年。

　　三星方面，其第一代14納米是Low Power Eatly(LPE)，現(xiàn)在第二代Low Power Plus(LPP)已經(jīng)開始量產(chǎn)，重點產(chǎn)品為Snapdragon 820和Exynos 8890。三星高管聲稱，衍生于第二代的下一版14納米也將很快推出。

　　更長遠的計劃上，無論是三星和臺積電都已經(jīng)開始朝著10納米的目標邁進。臺積電表示，10納米今年即可試產(chǎn)，正式批量生產(chǎn)等到2016年年底，或者是2017年的第一季度。至于三星也提供了大概相同的線路圖，堅稱2016年年底10納米就可量產(chǎn)，2017年一定會出現(xiàn)在手機和平板電腦上。

　　反觀英特爾，不僅桌面處理器“Tick-Tock”策略在兩年前已經(jīng)被打破，而且第一款基于10納米工藝的產(chǎn)品按計劃要等至2017年下半年才能推出。除非英特爾改革研發(fā)模式，否則今年年底將喪失工藝領(lǐng)先的地位。作為半導體芯片領(lǐng)域的巨頭，英特爾長期自信滿滿，但在當前競爭環(huán)境中，還真的得加把勁了。