三星和臺(tái)積電偷笑：就算Intel技術(shù)牛又奈我何？

　　工藝是一回事，那晶體管的實(shí)際性能呢?

　　多年以來，英特爾從未放棄過任何吹噓自己的芯片技術(shù)，只是在臺(tái)積電和三星上位之后收斂了很多。而且，難能可貴的是英特爾竟然沒有過度宣傳自家的第二代FinFET工藝，畢竟其余競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在其14納米問世時(shí)，均處于第一代FinFET工藝水平。簡(jiǎn)單的說，英特爾14納米正式問世之初，從晶體管性能的角度來看，整整領(lǐng)先了競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一代。

　　在很多對(duì)芯片深度評(píng)測(cè)的機(jī)構(gòu)報(bào)告中，尤其是權(quán)威站點(diǎn)ChipWorks，我們可以看到英特爾14納米晶體管所有性能指標(biāo)均領(lǐng)先于其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。更重要的是，ChipWorks通過先進(jìn)的透射電子顯微鏡觀察分析發(fā)現(xiàn)，英特爾14納米芯片的晶體管鰭片間距做得最為緊密，堪稱這個(gè)星球上迄今最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，全面領(lǐng)先代工廠的14/16納米。

　　英特爾22納米和14納米晶體管鰭片細(xì)節(jié)對(duì)比：

　　所以，質(zhì)疑英特爾在晶體管性能優(yōu)勢(shì)競(jìng)爭(zhēng)中落后的人都該閉嘴了。為什么，將下面三星的14納米FinFET工藝晶體管細(xì)節(jié)與上面英特爾的對(duì)比就能明白。在22納米時(shí)代，英特爾的晶體管鰭片的確不夠出色，但14納米鰭片看起來已近乎“垂直”，使得了鰭片更高、更薄，更易于提高晶體管的驅(qū)動(dòng)電流和性能。

　　而三星的14納米FinFET工藝晶體管細(xì)節(jié)，請(qǐng)注意看，很顯然更像是2011年英特爾22納米工藝時(shí)代的水平，宣稱超越難免有點(diǎn)大嘴了，畢竟無論如何還是基于第一代FinFET工藝打造。

　　三星14納米FinFET晶體管細(xì)節(jié)圖：

　　當(dāng)然了，性能突飛猛進(jìn)不太現(xiàn)實(shí)，而且英特爾考慮到了移動(dòng)領(lǐng)域和其他應(yīng)用的競(jìng)爭(zhēng)，畢竟在這些領(lǐng)域不需要非常高的CPU頻率。但說到頻率，英特爾的14nm駕馭大于4GHz不會(huì)存在任何技術(shù)障礙，而代工廠的14/ 16納米當(dāng)前仍然相當(dāng)困難。