海茲定律要接摩爾定律的班?
2015年是LED產(chǎn)業(yè)很低潮的一年,尤其是中上游,經(jīng)歷了產(chǎn)能過剩,芯片與燈珠一個月一個價,跌跌不休讓芯片與燈珠的議價幾乎是一個很痛苦的過程,相信很多從事LED技術的人跟我一樣有一種不如歸去的感覺,所以我封筆一年進行無言的抗議!
本文引用地址:http://2s4d.com/article/201602/287333.htm去年的秋天,當我在日本福岡參加2015年WUPP for wide bandgap Semiconductors論壇與2014年諾貝爾物理獎得主天野浩教授交流之后,我對這個行業(yè)又燃起了一線曙光,這也是我今天在封筆一年之后給大家的一個2016新年獻禮。
2015年8月的WUPP會議
大學或研究所的時候,如果是電子或半導體科系的學生一定會修固體物理或半導體物理,我們知道IC有摩爾定律,但是由于課程的編排,在化合物半導體這部分比較少著墨,所以很少人知道在化合物半導體里面的光電領域有一個LED海茲定律。
先看看IC的摩爾定律:
集成電路芯片上所集成的電路的數(shù)目,每隔18個月就翻一倍,微處理器的性能每隔18個月提高一倍,或價格下降一半。
如下圖所示:這個定律在2010年20納米制程之后就有一點欲振乏力了,摩爾定律遭遇了一個嚴酷的考驗,科學家與半導體工程師都絞盡腦汁延長摩爾定律,在半導體技術上尋求突破?
微觀的摩爾定律
巨觀的摩爾定律
效能與速度的摩爾定律
關鍵時刻總是會有一個英雄來拯救,美國加州大學伯克利分校杰出講座教授胡正明教授就是半導體行業(yè)的救星,他發(fā)明了一種FinFET技術,可以將半導體制程線寬縮小到10納米到12納米的制程(柵極的線寬越窄,處理器的工作速率越快)。
詳細技術細節(jié)請看下圖所示,當別人絞盡腦汁利用曝光技術縮小線寬極限的時候,他首先解決晶體做薄后漏電的問題,反其道而行的向上發(fā)展,晶片內(nèi)構從水平變成垂直。
這個技術不但延長了摩爾定律,也讓我們?nèi)祟愒谶@個電子資訊時代生活更快捷更便利。
FinFET技術示意圖
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