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Silego推出業(yè)界首顆p通道MOSFE替代產(chǎn)品集成負載開關(guān)

—— NanopowerFET 納安級功耗負載開關(guān)是一款基于Silego CuFET?技術(shù)的小型,快速且?guī)缀趿愎挠蒚DFN封裝而成
作者: 時間:2013-11-28 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  2013年10月15日,公司的電源族又推出了納安級功耗負載開關(guān)系列。此系列推出了兩款產(chǎn)品:支持6A負載電流的SLG59M1470V和支持2A負載電流的SLG59M1460V。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/197979.htm

  公司專有的亞微米銅裝FET技術(shù)支持以1 x 1 mm標準塑封的業(yè)界最小,功能最全的高效率電源開關(guān)

  納安級功耗能源負載開關(guān)支持低至9.5 μs內(nèi)快速電源切換。此快速切換特點允許任意系統(tǒng)當(dāng)電源關(guān)閉時提供電源分離。有效模式下啟動SLG59M1470V僅消耗35 nA 休眠模式下的極低功耗以及有效模式下的低Rds(ON)

  性能大大提高了電池壽命。

  公司營銷部主管Jay Li 說到,手機系統(tǒng)設(shè)計人員要求負載開關(guān)同時具備三個參數(shù):快速啟動,低Rds(ON)以及低能耗。目前的P通道T解決方案雖然啟動速度能耗低,但是電源低于2.5V時高。我們的納安級功耗能源負載開關(guān)是業(yè)界首顆具備了此三樣關(guān)鍵手機性能參數(shù)的集成負載開關(guān)。此款器件現(xiàn)廣泛應(yīng)用到新一代手機器件包括平板電腦,筆記本以及智能手機中。

  SLG59M1470V以9 pin, 1.5 x 2.0 mm STDFN封裝。此器件可切換1.0V以下電源。SLG59M1470V的導(dǎo)通電阻在7.4 m?.。

  SLG59M1460V以8 pin, 1.0 x 1.6 mm STDFN封裝。此器件可切換1.0V電源。SLG59M1460V的導(dǎo)通電阻在21.3 m?。

  目標應(yīng)用:

  · 平板電腦
  · 智能手機
  · 筆記本電腦
  · 任一頻繁切換叫醒與休眠循環(huán)的系統(tǒng)Any system requiring frequent wake & sleep cycle

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關(guān)鍵詞: Silego MOSFE 導(dǎo)通電阻

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