衛(wèi)星外部電磁環(huán)境效應分析和控制

　　圖2 發(fā)射天線在星外產生的電場環(huán)境分析示例

　　對于衛(wèi)星普通單機設備在星外產生的無意弱電場環(huán)境分布，可通過對工程經驗數據進行歸納總結的方法進行預估，即對星上所有單機設備EMC試驗中的電磁輻射發(fā)射[3](RE102)測試結果進行歸納，將各單機設備在測試頻段內的輻射發(fā)射值進行疊加，得到一幅完整的星外無意發(fā)射頻譜圖。需要注意的是，對于安裝于星內的設備，需考慮星體的屏蔽，將輻射值減去星體屏蔽效能，才是其在星外的電磁輻射值。另外，對于星上全新研制的單機設備，是無法得到這些EMC測試數據的。

　　相對于歸納總結方法所得到的較為粗略的結果而言，電磁場數值仿真的方法能得到更為精確的分析結果。我們可以使用電磁場仿真分析軟件(如Ansoft HFSS，CST等)對單機設備主要電磁發(fā)射途徑的互聯(lián)電纜進行建模，將電纜中傳輸的信號作為激勵源，計算得到單機設備通過互聯(lián)電纜在輻射到星外的電場分布。

　　3. 衛(wèi)星外部電磁環(huán)境效應的控制

　　對衛(wèi)星外部電磁環(huán)境效應進行控制，防止星外電磁環(huán)境干擾星上設備的正常工作，包括兩個方面的工作，一個是對星外電磁環(huán)境本身進行控制，即針對強電場環(huán)境和弱電場環(huán)境分別進行控制，改變電場環(huán)境的分布規(guī)律，在關注區(qū)域降低電磁輻射強度，另一個是在電磁環(huán)境不可改變的情況下，提高衛(wèi)星射頻接收機和星外敏感設備的抗干擾能力。

　　3.1 星外電磁環(huán)境控制

　　對于大大功率射頻發(fā)射機產生的有意強電場分布，我們可以在衛(wèi)星總體設計方案允許的范圍內，通過以下幾種方法對其進行控制：

　　a. 調整天線安裝位置;

　　b. 調整天線副瓣方向圖;

　　c. 使用金屬板進行電磁遮擋;

　　d. 使用吸波材料減小電磁反射。

　　在應用這幾種控制方法時，需使用電磁場數值仿真分析軟件對控制的效果進行分析驗證。圖3顯示了使用一塊拐角金屬板對安裝太陽敏感器的位置進行遮擋的仿真分析，遮擋后該位置的電場強度下降了12V/m。

　　圖3 使用拐角金屬板對安裝太陽敏感器的位置進行遮擋的仿真分析示例

　　對于普通單機設備產生的無意弱電場分布，主要通過為其制定嚴格的電場輻射發(fā)射試驗限值來進行控制，以使這些設備產生的無意電磁發(fā)射，不會干擾射頻接收機的正常工作。所依據的計算公式如下：

　　其中P為射頻接收機的靈敏度，L為從接收天線到接收機的射頻衰減量，AF為接收天線的天線系數。在計算得到的結果上再疊加一定的電磁干擾安全裕度和計算誤差，即可作為各設備在該頻段的電場輻射發(fā)射限值。值得注意的是此時還需考慮被測設備與射頻接收天線的相對安裝位置和電磁隔離特性(如星體表板的屏蔽作用)，從而可以對限值進行進一步的調整。

　　3.2提高敏感設備的抗干擾能力

　　經過對星外強電磁環(huán)境的分析，能夠得到星外敏感設備周圍的電場強度，衛(wèi)星總體設計部門在該電場強度的基礎上疊加一定的余量(比如10dB，考慮到分析誤差和設備自身應具有的電磁干擾安全裕度)后作為電場輻射敏感度指標下發(fā)給設備研制單位，然后研制單位可根據該指標對設備采取相應的抗電磁干擾措施，主要包括以下幾個方面：

　　a. 設備互聯(lián)電纜改為屏蔽電纜;

　　b. 提高設備殼體屏蔽效能，使用導電襯墊、導電膠等消除機殼縫隙;

　　c. 在設備內部電路中使用有效的濾波器或濾波電路，并注意將濾波器(電路)的輸入/輸出進行隔離;

　　d. 對有視窗的設備(如地球紅外敏感器、太陽敏感器等的視窗)，視窗應使用導電玻璃，并保證導電玻璃四周與設備金屬殼體之間搭接良好。

　　4.結論

　　衛(wèi)星外部電磁環(huán)境的存在直接影響著星外敏感設備和射頻接收機的正常工作。衛(wèi)星總體設計部門可在衛(wèi)星方案階段對星外的電磁環(huán)境進行有效的預估和分析，一旦發(fā)現(xiàn)電磁干擾隱患，則采取有效的電磁環(huán)境控制和提高星外設備抗電磁干擾能力的措施，消除電磁干擾隱患，保證初樣或正樣衛(wèi)星的星外電磁環(huán)境不會影響衛(wèi)星自身的兼容性。