新聞中心

EEPW首頁(yè) > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 3.7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計(jì)

3.7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2009-04-20 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

當(dāng)開(kāi)關(guān)處于OFF狀態(tài)時(shí),開(kāi)關(guān)電容

本文引用地址:http://2s4d.com/article/188965.htm


振蕩頻率正比于因此調(diào)節(jié)范圍取決于最大電容和最小電容的比值,由式(3)、(4)可以得到最大電容和最小電容的比值為


從公式(5)、(6)可以看到開(kāi)關(guān)電容最大的Q值與最大的調(diào)節(jié)比率之間存在沖突。C0由工作頻率w0決定,因此Wsw在優(yōu)化中是最重要的設(shè)計(jì)參數(shù)。
開(kāi)關(guān)電容的Q值可以通過(guò)差分電容開(kāi)關(guān)的方式來(lái)改善,如圖7所示。當(dāng)開(kāi)關(guān)處于ON狀態(tài)的時(shí)候只有溝道電阻RON的一半與電容串聯(lián),相比于單端的結(jié)構(gòu),Q值可以提高一倍。M2和M3為工作在亞閾值區(qū)的有源電阻,可以為MOS開(kāi)關(guān)的源端和漏端提供直流偏置。

當(dāng)Vsw設(shè)為0的時(shí)候,VD/S=0,VG=VDD,因此MOS開(kāi)關(guān)管的VGs―VT達(dá)到最大,從差分端口看進(jìn)來(lái),等效電容達(dá)到最大,因此電路振蕩在較低的頻率上;當(dāng)Vsw設(shè)為VDD時(shí),VD/S=VDD,VG=0 V,電路工作在較高的頻率上。
1.4 輸出緩沖器及匹配電路的設(shè)計(jì)
為了將的輸出信號(hào)送到片外,考慮到外部電容很大,采用了電感負(fù)載的緩沖器,通過(guò)選擇合適的電感和電容使其諧振在3.7 ,如圖8所示。

在匹配電路的設(shè)計(jì)上,選用了π型匹配電路,首先利用spectreRF仿真得到輸出緩沖器的S22參數(shù),然后構(gòu)建匹配電路使其阻抗達(dá)到50 Ω。具體的匹配電路(1.3 nH為邦線電感,94.9 pF的電容為隔直電容)及其Smith圓圖如圖9所示。

2 測(cè)試結(jié)果
是用于3.7 鎖相環(huán)的,整個(gè)鎖相環(huán)是在和艦0.18μm混合信號(hào)工藝下制造的,整個(gè)的面積為0.4 mm×1 mm,芯片照片如圖10所示。測(cè)試得到的VCO的工作頻率為3.4~4 ,有16%的調(diào)節(jié)范圍,調(diào)節(jié)電容陣列開(kāi)關(guān)得到的頻率隨控制電壓的變化曲線如圖11所示。在1.8 V電源電壓下的功耗為10 mW;在1 MHz頻偏處的相位噪聲為一100 dBc/Hz。測(cè)試得到的VCO輸出頻譜如圖12所示,輸出功率相對(duì)較低,主要是由于對(duì)邦線的寄生電感和寄生電容估計(jì)出現(xiàn)偏差導(dǎo)致匹配電路沒(méi)有實(shí)現(xiàn)完全匹配,但這對(duì)VCO性能的測(cè)試沒(méi)有實(shí)質(zhì)的影響。

3 結(jié)論
基于和艦0.18μm混合信號(hào)工藝設(shè)計(jì)了一款工作在3.7 GHz的VCO。本文著重論述了電感與射頻開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì),通過(guò)采用電容開(kāi)關(guān)陣列的方式增加了VCO的工作范圍以補(bǔ)償PVT的變化所帶來(lái)的影響。測(cè)試結(jié)果表明,該VCO可用于鎖相環(huán)和頻率合成器。


上一頁(yè) 1 2 下一頁(yè)

關(guān)鍵詞: CMOS GHz VCO LC

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專(zhuān)區(qū)

關(guān)閉