基于多數(shù)決定邏輯非門的低功耗全加器設(shè)計

O 引言
加法運算是算術(shù)運算中最基本的運算。減法、乘法、除法及地址計算這些基于加法的運算已廣泛地應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路(VLSI)中。全加器是組成二進制加法器的基本組成單元，所以提高全加器的性能是提高運算器性能的最重要途徑之一。
對于全加器結(jié)構(gòu)的研究，國內(nèi)外有許多相關(guān)報道，大多數(shù)研究致力于提高全加器的速度和降低其功耗。設(shè)計全加器的方法有很多種，最簡單的方法是用組合門實現(xiàn)所需的邏輯函數(shù)，另外一種常用的方法是采用傳輸門實現(xiàn)。由于傳輸門具有很強的邏輯功能，且輸入電容小，因而用傳輸門實現(xiàn)的全加器速度快，且結(jié)構(gòu)簡單。采用傳輸門實現(xiàn)的全加器比組合門實現(xiàn)的全加器電路要簡單。但這種電路以CMOS傳輸門為基本單元，而不是在管子級進行設(shè)計，因而，這種全加器電路存在冗余，需進一步簡化。
結(jié)合上面的討論，提出一種結(jié)構(gòu)更加簡單，性能更好的加法器單元電路，它僅由輸入電容和CMOS反向器組成，而且通過電路簡化設(shè)計，克服了功耗問題。
本文首先提出多數(shù)決定邏輯門的概念和電路設(shè)計，然后提出了一種基于多數(shù)決定邏輯門的全加器電路設(shè)計。該全加器三個主要特征是較少的管子、工作于極低電源電壓以及短路電流的消除。模擬結(jié)果表明，這種新的結(jié)構(gòu)能夠很好地完成全加器的邏輯功能。

1 多數(shù)決定邏輯非
1．1 多數(shù)決定邏輯非的提出
多數(shù)決定邏輯(Majority Logic)定義為：若邏輯1的個數(shù)大于邏輯0的個數(shù)，則輸出為邏輯1；若邏輯O的個數(shù)大于邏輯1的個數(shù)，則輸出為邏輯O。表1中CO即為A，B，CI的多數(shù)決定邏輯，邏輯式表示為CO=M(A，B，CI)。多數(shù)決定邏輯非(Majority-not Logic)則為多數(shù)決定邏輯非函數(shù)，表1中即為A，B，CI的多數(shù)決定邏輯非函數(shù)，邏輯式表示為F=F(A，B，CI)。

1．2 多數(shù)決定邏輯非門的電路設(shè)計
圖1即為三輸入端的多數(shù)決定邏輯非門電路。其中，C1=C2=C3，它由輸入電容和一個靜態(tài)CMOS反向器構(gòu)成。只需增加輸入電容的個數(shù)，即可增加輸入端的個數(shù)。電容網(wǎng)絡(luò)的作用是分離電壓。當(dāng)輸入端中O的個數(shù)多于l的個數(shù)，電容網(wǎng)絡(luò)的輸出為0，經(jīng)反向器之后輸出為高電平1(VDD)；當(dāng)輸入端中1的個數(shù)多于0的個數(shù)，電容網(wǎng)絡(luò)的輸出為1，經(jīng)反相器之后輸出為低電平O(0 V)。輸入電容的電容值大約為O．05 fF，它對電路沒有影響。

輸入電容可選擇用金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)電容。與其他電容相比，MOS電容具有占用芯片面積小，電容值大，更容易匹配等優(yōu)點。一個MOS電容所占用芯片的面積與一個普通晶體管相當(dāng)。通常，對于相同的面積，PMOS電容值大于NMOS電容值。所以可選用PMOS電容來實現(xiàn)多數(shù)決定邏輯非門的輸入電容。