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IDT70V9289的典型應(yīng)用電路設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2011-10-09 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

70公司新推出的一款高速同步雙口靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM),可實(shí)現(xiàn)不同傳輸方式的雙路高速數(shù)據(jù)流的無(wú)損傳輸。文中詳細(xì)介紹該電路的結(jié)構(gòu)和原理,給出70的典型應(yīng)用電路及設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意的問(wèn)題。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/187287.htm

  1 引言

  隨著科技的發(fā)展和高速設(shè)備的不斷涌現(xiàn),數(shù)據(jù)傳輸率也越來(lái)越高。而由于傳輸方式的不同,各種高速設(shè)備在連接時(shí)能否實(shí)現(xiàn)可靠的數(shù)據(jù)交換就顯得十分重要。高速雙口SRAM的出現(xiàn)為解決這一問(wèn)題提供了一種有效途徑。IDT70是IDT公司新推出的高速同步雙口靜態(tài)存儲(chǔ)器,其容量為64k×16bit,具有設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單,應(yīng)用靈活等特點(diǎn)。

  2 IDT9289的結(jié)構(gòu)及功能

  2.1 內(nèi)部結(jié)構(gòu)

  圖1示出IDT9289的結(jié)構(gòu)框圖,它主要由I/O控制器、存儲(chǔ)器陣列、計(jì)數(shù)器/地址寄存器和一些邏輯電路組成。

  

IDT70V9289的結(jié)構(gòu)框圖

  2.2 功能特點(diǎn)

  ·真正的雙端口存儲(chǔ)器,完全同步操作

  3.5ns時(shí)鐘建立時(shí)間,0ns保持時(shí)間(所有控制、數(shù)據(jù)和地址輸入)

  具有數(shù)據(jù)輸入、地址和控制寄存器

  ·存儲(chǔ)容量達(dá)1024kbit(64k×16bit);

  ·高速數(shù)據(jù)存取,其TCD(時(shí)鐘上升沿與數(shù)據(jù)輸入/輸出的時(shí)延)為

  商業(yè)級(jí):6/7.5/9/12ns(最大)

  工業(yè)級(jí):9ns(最大)

  ·應(yīng)用IDT公司的高性能CMOS技術(shù),所耗低

  工作時(shí):500mW(典型值)

  待機(jī)時(shí):1.5mw(典型值)

  ·計(jì)數(shù)使能和重置功能

  ·通過(guò)FT/PIPE引腳選擇任意端口的流通(folw-through)或流水線輸出模式

  ·可對(duì)多路傳輸總線中的獨(dú)立高位字節(jié)和低位字節(jié)進(jìn)行控制

  ·LVTTL接口電平,3.3V(±0.3V)單電源供電

  2.3 引腳功能(以左邊端口引腳為例)

  VDD:電源輸入端,起濾波作用的旁路電容器應(yīng)盡可能靠近電源引腳,并直接連接到地;

  VSS:接地引腳;

  CE0L,CE1L:使能端,當(dāng)CE0L為低電平且CE1L為高電平時(shí),電路工作。該引腳可允許每個(gè)端口的片上電路進(jìn)入低功耗的待機(jī)模式;

  R/WL:讀/寫(xiě)使能,此端為高電平時(shí)讀出,為低電平時(shí)寫(xiě)入;

  OEL:異步輸出使能;

  A0L-A15L:地址同步輸入端;

  I/O0L-I/O15L:數(shù)據(jù)輸入/輸出端;

  CLK::存儲(chǔ)器工作時(shí)鐘,所以輸入信號(hào)在該時(shí)鐘上升沿有效;

  UBL:高位字節(jié)選擇,低電平有效;

  LBL:低位字節(jié)選擇,低電平有效;

  CNTENL:計(jì)數(shù)器使能,當(dāng)時(shí)鐘上升沿到來(lái)時(shí),如果該引腳為低電平,則地址計(jì)數(shù)器工作,優(yōu)先級(jí)高于其它引腳;

  CNTRSTL:計(jì)數(shù)器重置,低電平有效,優(yōu)先級(jí)高于其他引腳;

  


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關(guān)鍵詞: V9289 9289 IDT 70V

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