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基于高壓背光逆變器的液晶電視性能改善方法

作者: 時間:2012-08-03 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用,讓消費者體驗到以往CRT電視所沒有的高分辨率。則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢的下一代家電設(shè)備。因而消費者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價格更低的電視機。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/185987.htm

采用高壓來替代現(xiàn)有的低壓,是提高性能并降低整體系統(tǒng)成本的手段之一。

采用高壓的優(yōu)點在于:逆變器直接連接功率因數(shù)校正(power factor correction, PFC)級,無需DC-DC轉(zhuǎn)換器;而低壓背光逆變器則需要在PFC級之后添加一個DC-DC轉(zhuǎn)換器。事實上,在高壓背光逆變器解決方案中,為其它負(fù)載供電所用的DC-DC轉(zhuǎn)換器只需處理整個約30%的功率,這是因為液晶電視中背光單元的典型功耗占總功耗的70%。因此,采用高壓背光逆變器能夠降低DC-DC轉(zhuǎn)換器中變壓器和MOSFET的成本。

高壓逆變器通常采用半橋電路拓?fù)浼軜?gòu)。不過,由于半橋電路很難在每種狀況下都實現(xiàn)零電壓開關(guān)(Zero Voltage Switching, ZVS),因此,一般需要將阻隔二極管(blocking diode)與MOSFET串聯(lián),同時并聯(lián)一個快速恢復(fù)二極管(fast recovery diode, FRD)。

雖然MOSFET本身內(nèi)置了二極管,但如果半橋電路沒有在ZVS狀態(tài)下工作,那么內(nèi)置二極管的反向恢復(fù)電流在該MOSFET導(dǎo)通時就會流入其它MOSFET。這會在導(dǎo)通電阻(RDS(ON))上產(chǎn)生很大的熱量,使得第二個MOSFET的溫度升高,進(jìn)而使該MOSFET的反向恢復(fù)電流在其關(guān)斷時增大。第二個MOSFET中反向恢復(fù)電流的增大,將會導(dǎo)致第一個MOSFET的功耗和反向恢復(fù)電流增加。

這種正反饋效應(yīng)會使MOSFET的溫度不斷升高,直到耗散熱量與產(chǎn)生熱量相等為止。

通常,典型MOSFET中內(nèi)置的二極管的反向恢復(fù)電流都較大,因此,液晶電視廠家都采用半橋解決方案,使用串聯(lián)阻隔二極管來防止內(nèi)置二極管導(dǎo)通。

要解決液晶電視的功耗設(shè)計問題,可以采用飛兆半導(dǎo)體的Ultra FRFETTM解決方案,其MOSFET采用出眾的壽命控制工藝以大幅降低反向恢復(fù)電流。

Ultra FRFET具有如下優(yōu)點:
-軟開關(guān)反向恢復(fù)特性
-反向恢復(fù)電流小,保持良好的液晶電視EMI性能
-柵極電荷(Qg)小,降低了導(dǎo)通和關(guān)斷的開關(guān)損耗
-具有更高的二極管dv/dt抗擾性(達(dá)20V/ns),一般 MOSFET僅達(dá)到4.5V/ns
-在高溫高頻條件下具有高可靠性

在液晶電視高壓背光逆變器應(yīng)用中,Ultra FRFET無需阻隔二極管和快速恢復(fù)二極管,也可以很好地工作,非常適合調(diào)光鎮(zhèn)流器應(yīng)用。



關(guān)鍵詞: 背光 逆變器 方法 液晶電視

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