2～4 GHz波段低噪聲放大器的仿真設(shè)計(jì)

作者：時(shí)間：2013-05-16 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)

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為了適當(dāng)改善放大器增益平坦度，在晶體管柵源之間采用負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)，一般負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)為柵源之間的電感、電阻、電容串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)。其中反饋電感的作用是對(duì)低頻率段信號(hào)進(jìn)行負(fù)反饋而對(duì)較高頻率段信號(hào)影響較小，通過(guò)在反饋支路中串接電感，高頻時(shí)反饋支路阻抗增大，反饋量減少，低頻時(shí)反饋支路阻抗小，反饋量較大。這樣可以拓寬頻帶和改善增益平坦度。負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)電路圖如圖2所示。

本文引用地址：http://2s4d.com/article/185442.htm

3 整體電路以及仿真結(jié)果
整體電路的優(yōu)化仍然采用ADS微波設(shè)計(jì)軟件進(jìn)行。在對(duì)電路進(jìn)行仿真時(shí)，應(yīng)選取廠家提供的模型，這樣才能獲礙和實(shí)際電路最接近的仿真結(jié)果。整體電路優(yōu)化后的增益如圖3所示。電路LAN的增益達(dá)到20．5 dB。噪聲系數(shù)如圖4所示，在2～4 GHz頻段噪聲系數(shù)小于1．1 dB。噪聲系數(shù)在高頻段惡化的主要原因在于器件寄生的噪聲性能會(huì)隨著頻率升高而逐漸惡化。因此，在電路設(shè)計(jì)時(shí)，需要在各方面與噪聲進(jìn)行折中，取得最優(yōu)結(jié)果。輸出駐波比如圖5所示，輸出駐波比為1．8，很好地滿足了設(shè)計(jì)要求。

4 結(jié)論
通過(guò)分析，得到了適用于低噪聲放大器的pHEMT選擇的基本原則。電路采用二級(jí)級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)，利用微帶電路實(shí)現(xiàn)匹配，并運(yùn)用EDA軟件對(duì)電路進(jìn)行優(yōu)化。最后仿真結(jié)果顯示，該電路在2～4 GHz頻段內(nèi)，可達(dá)到20 dB以上增益；噪聲系數(shù)小于1．2 dB。該電路滿足接收前端對(duì)LNA提出的要求，具有廣闊應(yīng)用前景。